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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示面板的制造方法-CN201710199035.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：肇庆端州湖水机电科技有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制造方法，该方法包括以下步骤A、形成彩膜基板；B、形成薄膜晶体管阵列基板；C、形成背光模组；D、将液晶层设置于彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间；E、在彩膜基板背向液晶层的一面和薄膜晶体管阵列基板背向液晶层的一面分别设置第一偏光板和第二偏光板；F、将背光模组设置在第二偏光板背向薄膜晶体管阵列基板的一面；步骤A包括在共通电极层上设置底座；在底座上设置支撑柱。
显示面板制造方法

[发明专利]菱形中空十二面体磷酸钾纳米晶体及其合成方法-CN201611018880.0在审
发明人：庞欢;李欣冉;肖潇;魏积蕾;邵瑾莹 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C01B25/30 文献下载
摘要：菱形中空十二面体磷酸钾纳米晶体及其合成方法，属于可见光催化材料的制备技术领域。以去离子水为溶剂，将钾盐和磷钨酸混合进行水热反应，取沉淀以去离子水和无水乙醇清洗后干燥，即得菱形中空十二面体磷酸钾纳米晶体。本发明采用简便的方法在温和的条件下一步合成，得到形貌均一的中空菱形十二面体纳米晶体。该纳米晶体独特的中空菱形十二面体的特殊结构，通过纳米孔道显示出有效的降解染料污染物的能力，在90分钟可见光照射后，有效的降解染料污染物的能力，几乎可以将RhB完全分解，并且可以多次循环使用。
菱形中空十二磷酸纳米晶体及其合成方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法-CN201710092140.X在审
发明人：陈万军;刘亚伟;陶宏;刘承芳;刘杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。该绝缘栅双极型晶体管的制备方法与现有工艺兼容，不需要专有设备，可大大降低成本，相比于传统的非穿通型绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管还具有FS‑IGBT的优点，在相同工作电压下具有更小的漏电流，这将很好的提高
一种绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]ESD保护电路及其半导体器件-CN201611215680.4在审
发明人：艾瑞克·布劳恩 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：公开了一种保护集成电路免受ESD损坏的ESD保护电路，ESD保护电路具有放电晶体管和体区夺取电路。放电晶体管电耦接于第一节点和第二节点之间。放电晶体管的栅极和体区电耦接在一起。体区夺取电路输出的电压被提供至放电晶体管的体区。这样，ESD保护电路不仅能够对集成电路提供ESD保护，还能避免噪音被带入集成电路中。
esd 保护电路及其半导体器件

[发明专利]半导体器件和其制造方法-CN201610964483.6在审
发明人：木村雅俊 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在具有第一光电二极管和第二光电二极管的像素中，被耦合到第一光电二极管的第一传输晶体管和被耦合到第二光电二极管的第二传输晶体管分别由相同的栅极电极控制，由此允许用于控制第一传输晶体管和第二传输晶体管的导线的数量被减少
半导体器件制造方法

[发明专利]像素结构及液晶显示器-CN201710017468.5在审
发明人：郭晋波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：其中像素结构包括扫描线、数据线、公共线和像素区，其中，扫描线与数据线垂直设置，数据线与公共线同层设置且相互平行，像素区位于扫描线与数据线所围成的区域内，像素区包括子区，子区包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与扫描线连接，第一薄膜晶体管的源极与公共线连接。由于数据线与公共线同层设置，因此第一薄膜晶体管的源极与公共线连接时不再需要经过通孔进行连接，由此可以省去一个通孔的设计，从而提高像素的开口率。
像素结构液晶显示器

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201710127535.9在审
发明人：李嘉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管电性连接有一像素电极，其中，所述薄膜晶体管包括有源层，所述像素电极与所述有源层位于同一结构层中，所述有源层由第一部分半导体材料形成
薄膜晶体管阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法-CN201611068963.0在审
发明人：何佳铸;刘新科;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层本发明实施例提供的环栅结构场效应晶体管使用高介电常数电介质材料作为绝缘层，具备良好的绝缘属性，可在栅极和衬底通道之间产生较高的场效应，能够使晶体管漏电量降低并减少器件的耗电和发热，使晶体管的尺寸进一步缩小
一种结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种自适应调节驱动电阻的SiCMOSFET驱动电路-CN201710341561.1在审
发明人：罗子涵;曾正;邵伟华;王雨晴;谭浩彬 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：该发明通过利用经过隔离后的开关控制脉冲信号调节各晶体管调节单元的各晶体管的开通时间，使不同晶体管调节单元的晶体管的导通支路的电阻切换，实现开关过程的不同阶段SiC MOSFET的栅极电阻阻值可调节的目的
一种自适应调节驱动电阻 sicmosfet 电路

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法,显示元件,显示装置,系统-CN201610991447.9在审
发明人：新江定宪;植田尚之;中村有希;平野由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管,显示元件，显示装置,系统,以及场效应晶体管的制造方法。本发明的课题在于,抑制对半导体层或基板产生损害，防止薄膜晶体管的特性及均一性降低。场效应晶体管包括栅电极；源电极和漏电极，用于根据向上述栅电极施加电压，取出电流；半导体层，与上述源电极和上述漏电极相接配置，在上述源电极和上述漏电极之间形成沟道；作为栅绝缘膜的第一绝缘层，位于上述半导体层和上述栅电极之间
场效应晶体管及其制造方法显示元件显示装置系统

[发明专利]一种LED调制驱动电路及电源采集电路-CN201510845416.8在审
发明人：曾丽 -专利权人：成都德善能科技有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED调制驱动电路及电源采集电路，包括开关电路和电流驱动电路，所述电流驱动电路包括晶体管BG3与稳压二极管DZ，所述晶体管BG3的发射极与开关电路相连，集电极与稳压二极管DZ的阳极相连；还包括电位器Rb，两端分别与晶体管BG3的集电极和稳压二极管DZ的阴极相连，滑变端与晶体管BG3的基极相连。
一种 led 调制驱动电路电源采集

[发明专利]钚产品干燥焙烧炉-CN201510929633.5在审
发明人：唐辉;韩雄伟;符勰;胡云科;张燕平;杨从志;毛刚;陈进;李卫国 -专利权人：中核四○四有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： F27D11/02 文献下载
摘要：该焙烧炉包括炉膛、晶体纤维、电炉丝以及外壳，其中，炉膛为两端开口的圆柱筒结构，其直径略大于焙烧杯直径，在炉膛外部缠绕有螺旋状的电炉丝，并在炉膛与圆柱筒状的外壳之间填充有晶体纤维；炉体上端盖通过法兰与外壳固定连接，并在晶体纤维、炉膛与炉体上端盖之间填充安装有圆盘状的晶体纤维隔热板。
产品干燥焙烧

[发明专利]一种阻尼二极管-CN201710190426.1在审
发明人：王金富;徐初惠;王伟;张艳;许柏松 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种阻尼二极管，它包括框架和NPN双极晶体管，在所述框架的一侧依次设置有阳极、中引脚和阴极，所述NPN双极晶体管安装于框架上，所述NPN双极晶体管的发射极和基极分别通过金属线连接至框架上的阳极上，使得发射极与基极短接，所述NPN双极晶体管的集电极以共晶方式连接至框架的阴极上，框架的中引脚悬空并剪切，使其短于阳极和阴极引脚。
一种阻尼二极管

[发明专利]显示设备及其显示面板-CN201611220718.7在审
发明人：梁硕珍 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：显示区设置有晶体管阵列基板。非显示区设置有源极控制芯片和栅极控制芯片。源极控制芯片通过数据线与晶体管阵列基板中的晶体管的源极电性连接。栅极控制芯片通过扫描线与晶体管的栅极电性连接。
显示设备及其面板

[发明专利]一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池-CN201611256323.2在审
发明人：吴坚;王栩生;蒋方丹;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述方法包括以下步骤在晶体硅片背面沉积钝化层、沉积电极浆料、烧结、背面沉积掺杂浆料和激光处理，得到局部掺杂晶体硅太阳能电池；其中，激光处理包括第一阶段和第二阶段本发明通过激光掺杂和诱导生成金属导电层而制备局部掺杂晶体硅太阳能电池，可显著增加电池背表面场强度，减少局部区域复合速率，进而大幅度提高开路电压和填充因子，最终大幅度提升电池的转换效率。
一种局部掺杂晶体太阳能电池制备方法及其电池

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