专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]芯片转移到晶圆的方法-CN201911417000.0有效
  • 刘孟彬;李林超 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2019-12-31 - 2023-09-26 - H01L21/683
  • 一种芯片转移到晶圆的方法,包括:提供衬底,衬底包括一个或多个第一区域;在衬底上形成多个呈阵列排布的多个源芯片,每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片,第一阵列为A行×B列;提供目标器件晶圆,目标器件晶圆具有多个第一目标区域,第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同;通过第一转移操作将一个或多个第一区域上的全部源芯片,转移到目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域。
  • 芯片转移到晶圆方法
  • [发明专利]一种早期垃圾渗滤液的处理方法-CN201310720198.6有效
  • 宋应民 - 中山市环保实业发展有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-04-23 - C02F9/14
  • 本发明涉及一种早期垃圾渗滤液的处理方法,通过调节池收集早期垃圾渗滤液,通过水泵将渗滤液转移到全混厌氧反应器之中进行厌氧反应,之后转移到一体化脱氮反应器之中进行脱氮反应,之后转移到一体化铁碳芬顿反应器之中进行芬顿反应,之后转移到混凝沉淀器之中进行混凝沉淀,之后转移到活性污泥反应器之中进行活性污泥处理,之后转移到过滤池过滤,之后转移到消毒池中消毒,之后将达到国家排放标准的溶液排放至城市生活污水管道,有效的保护了环境。
  • 一种早期垃圾渗滤处理方法
  • [发明专利]一种中、晚期垃圾渗滤液的处理方法-CN201310720197.1有效
  • 宋应民 - 中山市环保实业发展有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-04-23 - C02F9/14
  • 本发明涉及一种中、晚期垃圾渗滤液的处理方法,通过调节池收集中、晚期垃圾渗滤液,通过水泵将渗滤液转移到一体化脱氮反应器之中进行脱氮反应,之后转移到酸析反应器进行酸析反应,之后转移到一体化铁碳芬顿反应器之中进行芬顿反应,之后转移到混凝沉淀器之中进行混凝沉淀,之后转移到活性污泥反应器之中进行活性污泥处理,之后转移到过滤池过滤,之后转移到消毒池中消毒,之后将达到国家排放标准的溶液排放至城市生活污水管道,有效的保护了环境。
  • 一种晚期垃圾渗滤处理方法
  • [实用新型]一种中、晚期垃圾渗滤液的处理系统-CN201320856869.7有效
  • 宋应民 - 中山市环保实业发展有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-07-30 - C02F9/14
  • 本实用新型涉及一种中、晚期垃圾渗滤液的处理系统,通过调节池收集中、晚期垃圾渗滤液,通过水泵将渗滤液转移到一体化脱氮反应器之中进行脱氮反应,之后转移到酸析反应器进行酸析反应,之后转移到一体化铁碳芬顿反应器之中进行芬顿反应,之后转移到混凝沉淀器之中进行混凝沉淀,之后转移到活性污泥反应器之中进行活性污泥处理,之后转移到过滤池过滤,之后转移到消毒池中消毒,之后将达到国家排放标准的溶液排放至城市生活污水管道,有效的保护了环境。
  • 一种晚期垃圾渗滤处理系统
  • [实用新型]一种早期垃圾渗滤液的处理系统-CN201320856870.X有效
  • 宋应民 - 中山市环保实业发展有限公司
  • 2013-12-24 - 2014-07-30 - C02F9/14
  • 本实用新型涉及一种早期垃圾渗滤液的处理系统,通过调节池收集早期垃圾渗滤液,通过水泵将渗滤液转移到全混厌氧反应器之中进行厌氧反应,之后转移到一体化脱氮反应器之中进行脱氮反应,之后转移到一体化铁碳芬顿反应器之中进行芬顿反应,之后转移到混凝沉淀器之中进行混凝沉淀,之后转移到活性污泥反应器之中进行活性污泥处理,之后转移到过滤池过滤,之后转移到消毒池中消毒,之后将达到国家排放标准的溶液排放至城市生活污水管道,有效的保护了环境。
  • 一种早期垃圾渗滤处理系统
  • [发明专利]将电路转移到接地层的方法-CN200580044396.9有效
  • 贝尔纳·阿斯帕尔 - 特拉希特技术公司
  • 2005-12-22 - 2007-12-12 - H01L21/762
  • 本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法,包括:a)在衬底的表面层(2)内或表面层上制造至少部分电路,包括上述的表面层(2),在表面层下的掩埋层(4),和用作第一支撑体的下层(6),b)将这个衬底转移到操作基片(20)上,然后去除第一支撑体(6),c)在掩埋层(4)上形成导电层(14)或构成接地层的层,d)在这个导电层(14)或构成接地层的层上形成接合层(12),e)将获得的结构转移到第二支撑体(30)上并去除操作基片
  • 电路转移接地方法

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