“磁控溅射”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果35044个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机-CN202010726322.X在审
发明人：童玲 -专利权人：童玲
申请日： 2020-07-25 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，包括底座，底座上设有呈并排布置的氩离子辐射室与磁控溅射室，氩离子辐射室的前侧设有进料口，磁控溅射室的后侧设有出料口，氩离子辐射室与磁控溅射室之间设有输送口底座的后部设有收卷机构，氩离子辐射室内安装有氩离子辐射机构，氩离子辐射机构包括氩离子激光器与水平移动架，水平移动架的底面设有一排氩离子枪，氩离子枪与氩离子激光器通过激光电缆线连接；氩离子枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的内部设有磁控溅射壳，磁控溅射壳的底面设有磁控溅射枪，磁控溅射枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的顶部设有真空泵。
一种辐射玻璃制备真空磁控溅射镀膜

[发明专利]一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法-CN201310567780.3在审
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；D、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；E、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Si层上磁控溅射AZO层；F、直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；G、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；H、交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射SiO2层。
一种低成本金色辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法-CN201310567856.2在审
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括：A、交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、直流电源溅射不锈钢平面靶，在Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；F、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Si层上磁控溅射NiCr层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；H、交流电源溅射硅铝旋转靶，在ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
一种异地加工辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种低成本防辐射薄膜的制备方法-CN201310554538.2有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本防辐射薄膜的制备方法，包括：交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Cu层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种低成本防辐射薄膜制备方法

[实用新型]一种磁控溅射机-CN202222671300.5有效
发明人：周征华;夏伟;沈聚丰;周显君;李花 -专利权人：上海哈呐技术装备有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种镀膜用的磁控溅射机。为保证磁控溅射机的镀膜质量，本实用新型提出一种磁控溅射机，该磁控溅射机的镀膜腔的侧壁上设置有多个抽气口，所述抽气口靠近所述磁控溅射机中的溅射靶位，且所述抽气口与抽气系统连通。本实用新型磁控溅射机中的镀膜腔上的抽气口靠近溅射靶位并与抽气系统连通，抽气系统在进行抽真空工作时，可通过抽气口将镀膜腔中的气体抽出，从而可使得溅射靶位周围的气氛保持一致，即使溅射靶周围的气氛保持一致，进而可提高本实用新型磁控溅射机的镀膜质量
一种磁控溅射

[发明专利]磁控溅射镀膜装置及其工作方法-CN202010196863.6在审
发明人：杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜装置及其工作方法，其中，磁控溅射镀膜装置包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对的位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大。利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。
磁控溅射镀膜装置及其工作方法

[实用新型]多功能离子束复合处理系统-CN200920199384.9无效
发明人：张高会;李红卫;万向明;武建军;郑顺奇;焦志伟;于明州;周云;黄国青 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能离子束复合处理系统，包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置，真空室连接真空泵，离子注入装置安装在真空室上部，真空室内部设有样品台，样品台位于离子注入装置下方；离子注入装置包括气体离子源和金属离子源，磁控溅射装置为磁控溅射靶，磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源，金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部，金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。本实用新型集离子注入、磁控溅射、金属离子注入于一体，磁控溅射后(或磁控溅射时)既可以注入气体离子，也可以在注入气体离子的时候，还可以外加注入金属离子，从而既提高了沉积速度，又可以增加改性层厚度。
多功能离子束复合处理系统

[发明专利]一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺-CN201410448333.0无效
发明人：金井升;蒋方丹;金浩;陈康平 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体；开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积；ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源；在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；在磁控溅射设备中充气至大气压
一种提高 ito 薄膜性能磁控溅射工艺

[发明专利]一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法-CN202110098442.4在审
发明人：王正安;来华杭;郭峰;俞峰;周海龙 -专利权人：浙江上方电子装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法，其中制备方法包括：采用磁控溅射方法依次在异质结太阳能电池的PN结上沉积组成前电极的种子层和主层；种子层的磁控溅射工艺为：采用包含两个靶材的双极磁控溅射系统进行磁控溅射，两个靶材的溅射粒子流相互碰撞散射后沉积在异质结太阳能电池的PN结上；主层的磁控溅射工艺为：采用至少包含一个靶材的磁控溅射系统进行磁控溅射，各靶材的溅射粒子流以垂直于种子层的方向沉积在种子层上。本申请提供的异质结太阳能电池的前电极制备方法，对现有磁控溅射工艺进行改进，改善前电极的光电转化效率。
一种异质结太阳能电池电极及其制备方法

[发明专利]一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法-CN200810120013.7有效
发明人：宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2008-07-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度
一种用于表面防护离子束辅助磁控溅射沉积装置方法

[发明专利]固态电解质膜、固体氧化物燃料电池及其磁控溅射制备方法-CN202210860771.2在审
发明人：周莉骅;王贺武;欧阳明高 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M8/1253 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态电解质膜、燃料电池及其磁控溅射制备方法。所述固态电解质膜的磁控溅射制备方法，包括如下步骤：获取电池预制件；采用磁控溅射法于所述电池预制件的表面制备固态电解质膜；所述磁控溅射法的条件包括：溅射功率为30W～150W，溅射时间为60min～200min上述固态电解质膜的磁控溅射制备方法，利用磁控溅射的方法进行燃料电池中固态电解质膜的制备，配合合适的溅射功率，能够制备得到致密的固态电解质膜，规避了传统的高温烧结工艺，适应范围广。
固态电解质膜固体氧化物燃料电池及其磁控溅射制备方法

[发明专利]一种离子源辅助高功率脉冲磁控溅射沉积装置-CN201711091583.3在审
发明人：孙德恩;李静;梁斐珂 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子源辅助高功率脉冲复合磁控溅射沉积装置，包括真空腔室；设置在真空腔室内由偏压电源供电的用于承载和转动工件的工件转架；与真空腔室连接的真空泵；设置在真空腔室内璧安装的离子源枪、与高功率脉冲磁控溅射电源相连接的第一磁控溅射靶枪、分布设置在第一磁控溅射靶枪两侧相向设置并与第一磁控溅射靶枪的连线的夹角成预定角度的第二磁控溅射靶枪；其中，离子源枪与第一磁控溅射靶枪在真空腔室内壁相向设置。通过在真空腔室内相向设置离子源枪与第一磁控溅射靶枪，由高功率脉冲磁控溅射电源连接的第一磁控溅射靶枪提供较高的离化金属离子，线性离子源提供较高的离化气体离子，两者共同作用提高了系统的离化率。
一种离子源辅助功率脉冲磁控溅射沉积装置

[发明专利]一种低辐射玻璃的制作方法-CN201310718118.3无效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低辐射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤：A、交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂介质层；B、直流电源溅射铬平面靶，在TiO₂介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO₂介质层上磁控溅射AZO平整层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、直流电源溅射，在Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、交流中频电源溅射锡靶，在(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO₂保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步SnO₂保护层上磁控溅射
一种辐射玻璃制作方法

[实用新型]真空磁控溅射镀膜机-CN201720297494.3有效
发明人：朱国朝;袁安素;沈学忠;温振伟 -专利权人：纳狮新材料股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型是关于真空磁控溅射镀膜机。本实用新型一实施例提供一真空磁控溅射镀膜机，其包括真空抽气系统、真空室、真空室门、设置在真空室中用于放置镀膜产品的工件转架以及设置在真空室中的磁控溅射装置，其中磁控溅射装置包含与真空室固定连接的磁控靶法兰，其中真空磁控溅射镀膜机还包括设置于磁控溅射装置附近的纳米粉末导入装置。本实用新型实施例提供的真空磁控溅射镀膜机可制作具有高硬度、良好的耐磨损性能以及可包含多种其它性能的涂层。
真空磁控溅射镀膜

[发明专利]非晶态钨薄膜的制备方法-CN201110121213.6无效
发明人：王雯;张勇;刘方舒;朱开贵 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射法制备非晶态钨薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取99.95％的块状钨作为磁控溅射的靶材，将把才放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗后放入磁控溅射室；(3)制备非晶态钨薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、溅射时间和靶材到衬底的距离，经过一顶时间溅射制备薄膜。
晶态薄膜制备方法