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[发明专利]一种自由锻工艺制备p型碲化铋基热电材料的方法-CN202210836853.3在审
发明人：胡晓明;韩学武;胡浩;樊希安 -专利权人：湖北赛格瑞新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋基热电材料技术领域，特别是一种自由锻工艺制备p型碲化铋基热电材料的方法。
一种自由锻工艺制备型碲化铋基热电材料方法

[发明专利]一种不同形貌的碲化铋纳米材料及其合成方法-CN201510163013.5有效
发明人：尹凯;梁砚琴;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种不同形貌的碲化铋纳米材料及其合成方法，利用溶剂热法，控制不同的温度，恒温加热，即可制备出纳米颗粒、纳米棒、纳米六角片和纳米类圆片四种不同形貌的纳米碲化铋。
一种不同形貌碲化铋纳米材料及其合成方法

[实用新型]碲化铋基热电器件-CN201521093349.0有效
发明人：柏胜强;吴汀;王超;唐云山;廖锦城;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碲化铋基热电器件，包括：具有用于放置热电材料的多个孔的框架；分别设于所述框架两侧以密封所述多个孔的阻挡层和金属导流电极；从所述金属导流电极引出的金属电极引脚；在所述框架的各个孔内设有阶梯结构本实用新型的碲化铋基热电器件可以长期适合于在潮湿、富氧环境中使用。
碲化铋基热电器件

[发明专利]纳米碲化铋的制备方法-CN201110461097.2有效
发明人：潘慧娟;黄娟 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米碲化铋的制备方法，包括：用三氧化二铋、浓硝酸、蒸馏水配制含铋溶液；用二氧化碲和氢氧化钠溶液配制含碲溶液；准备还原用草酸溶液和介质用草酸溶液，介质用草酸溶液中添加有表面活性剂；取含铋溶液、含碲溶液和还原用草酸溶液，边搅拌边同时加到介质用草酸溶液中，以形成混合溶液，随后采用氢氧化钠溶液调节混合溶液的pH值，从而获得含铋和碲的共沉淀物；将共沉淀物过滤、洗涤、和真空干燥；将干燥制品放入加热炉中进行煅烧，之后随炉冷却至室温，以获得煅烧制品；使煅烧制品在氢气气氛的加热炉中进行还原反应，之后随炉冷却至室温，以获得纳米碲化铋。本发明简化含碲溶液制备、有效控制有害氮氧化物、减少酸碱用量。
纳米碲化铋制备方法

[发明专利]低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法-CN201510089732.7有效
发明人：杜保立;宿太超;胡保付;乔文涛;陈亮;蔡红新 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，包括如下步骤1)配料按照化学式AgSbTe2+x中各元素的化学计量比称量单质银、碲和锑作为原料，其中x为0～0.02；2)压块密封；3)固相反应将步骤2)所得真空密封后的块体升温至反应温度390～450℃保温6～12h，得单相碲化银锑锭体或者近单相碲化银锑锭体；4)热压将步骤3)所得锭体研磨后进行热压烧结，即得到高致密度碲化银锑热电材料该方法反应温度低，工艺简单可控、制备成本低，且所制备的碲化银锑块体材料致密度高，纯度高，重复性好，热电性能优异。
低温相反结合热压工艺制备碲化银锑热电材料方法

[发明专利]一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用-CN202310290237.7在审
发明人：汪桂根;党乐阳;宋涛;崔天昊 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及二维材料的制备技术领域(IPC分类号为H01L31/032)，尤其涉及一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用，所述方法包括如下步骤：S1.将柠檬酸铋铵、亚硒酸盐、亚碲酸盐溶解在无机碱水溶液中，加热保温，得到混合物1；S2.弃去混合物1的上层清液，摇晃混合物1的下层液体，待纳米片悬浮后转移至离心管，离心，收集沉淀，干燥，得到碲掺杂硒氧化铋二维材料。本发明采用低能耗、操作简单的水热法，相比于合成二维材料常用的化学气相沉积法，水热法所需设备成本更低，且能将Te元素均匀的掺杂进二维硒氧化铋纳米片中。
一种掺杂氧化二维材料制备方法及其应用

[发明专利]一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法-CN201310594619.5有效
发明人：房国丽;王晓芳;李进;张刚 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法，该方法制备的多晶纳米盘包含无取向优势的碲化铋多晶纳米盘和具有取向优势的层片状碲化铋多晶纳米盘两种。
一种溶剂合成碲化铋多晶纳米方法

[实用新型]一种生产碲化铋热电材料的热压成型设备-CN201721214868.7有效
发明人：卢鹏荐;张林 -专利权人：武汉鑫融新材料有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及热压成型技术领域，尤其是一种生产碲化铋热电材料的热压成型设备，包括机体，机体顶部安装有底座，底座顶部四角均安装有导向杆，导向杆顶部连接有顶板，底座上表面中部安装有液压缸，液压缸的活塞杆顶部与载板连接能根据用户需要，制作出不同尺寸的碲化铋薄片，通过安装不同内径的环形模具板及圆形模具板，确定薄片的大小及厚度，开启液压缸，合并上下模具，热压出碲化铋热电材料。
一种生产碲化铋热电材料热压成型设备

[发明专利]一种锯齿状结构的碲化铋纳米线及其制备方法-CN202011133325.9在审
发明人：刘帅;刘迎港;陈国祥 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种锯齿状结构的碲化铋纳米线及其制备方法。采用溶剂热合成的方法，将氧化碲、聚乙烯吡咯烷酮和氢氧化钾混合溶于乙二醇，并在惰性气体保护环境下排除溶液中的氧气后，将溶液升至一定温度，再加入水合肼并保温一段时间。随后加入五水铋酸钠和乙二醇的混合溶液，同时注射一定量的浓盐酸，反应得到锯齿状结构碲化铋纳米线。本发明能够在保持高电导率的情况下，显著降低材料的晶格热导率。
一种锯齿状结构碲化铋纳米及其制备方法

[发明专利]一种采用Se优化高纯碲化铋掺锑热电材料的制备方法-CN202310891426.X在审
发明人：白志玲;籍永华;秦丙克;赵丹;雷以柱 -专利权人：六盘水师范学院
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用Se优化高纯碲化铋掺锑热电材料的制备方法，涉及热电材料领域，包括以下步骤：步骤1：获取4N级的碲粉、锑粉、铋粉和硒粉，按Bi0.5Sb3‑xSex中的质量百分比为x，x的范围为0.01‑0.13％；步骤2：将配比好的碲粉、锑粉、铋粉和硒粉投入真空球磨设备中形成混合物，放置混合物体积600％的磨球，并添加混合物体积80％的无水乙醇，抽真空后进行球磨，制得研磨体系；通过以硒和锑联合掺杂在碲化铋化合物体系中的方式，优化了原有碲化铋体系
一种采用 se 优化高纯碲化铋掺锑热电材料制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310386334.2无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：封装盖将发光层及阴极封装于阳极上，封装盖包括第一氮氧化硅层、形成于第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层；第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属，第二无机层的材料包括硒化物及金属；碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种，硒化物选自硒化锑、硒化钼、硒化铋、二硒化铌、二硒化钽及硒化亚铜中的至少一种
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]以碲化铋为基的热电材料的制备方法-CN201410768207.3在审
发明人：吴燕青;贺贤汉;荒木暉 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法，包括如下步骤：第一步，将原材料在真空气氛下合成；第二步，将合成所获得的多晶体封接在安瓿瓶中；第三步，将安瓿瓶放入晶体生长装置内，旋转安瓿瓶，并对晶体生长装置进行抽气本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法采用安瓿瓶真空绝热、Bi₂Te₃合金材料旋转的方法进行晶体区熔生长，有效地防止了因周向传热不均，生长界面发生倾斜，使装有sub>2Te₃合金材料的安瓿瓶在晶体生长过程中始终处在真空状态下，阻断了晶体材料表面与环境间对流方式的热交换，使晶体生长地过程中热流的传递方向得到了有效的控制，热流沿晶棒生长轴方向导出
碲化铋热电材料制备方法

[发明专利]一种拓扑绝缘体材料及其制备方法-CN201010537041.6有效
发明人：吴凯;黄斌;陈晨 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：该扑绝缘体材料为碲化锑/碲分节纳米线阵列或碲纳米圆盘阵列。本发明采用模板辅助的方法，在模板上直接得到规整的碲化锑/碲分节纳米线阵列或碲纳米圆盘阵列，制得的纳米材料为调控材料的拓扑绝缘性能。较之于传统硒化铋材料的制备，本发明具有工艺简单、成本低廉和一次性成型等特点。
一种拓扑绝缘体材料及其制备方法

[实用新型]一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置-CN201320218528.7有效
发明人：郭建华;邓惠勇;邱锋;孙艳;李小南;俞国林;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置。该装置包括真空腔体、生长炉、气氛补偿炉、衬底支架、不锈钢挡板、生长石英管和带孔石英挡板：生长炉包括补偿源炉体、生长源炉体和热壁炉体。采用此装置能够外延生长具有化学计量比的单晶碲化铋纳米薄膜。
一种生长碲化铋纳米薄膜外延装置

[发明专利]一种高碲含量铜碲触头材料及其熔炼工艺-CN201810585274.X在审
发明人：王发展;郭阳阳;王永滨;吕勤良 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高碲含量铜碲触头材料及其熔炼工艺。本发明的高碲含量的铜碲触头材料，以重量份数计，由以下材料制备：碲粉3～4份，余量为铜。本发明还提供了一种高碲含量的铜碲触头材料的熔炼工艺，该方法采用上述的高碲含量的铜碲触头材料的配方，该方法通过制备铜碲中间合金，然后将该铜碲中间合金与铜块在惰性气体下进行熔炼并除气，最后将熔融的合金液在惰性气体保护下浇铸成铜碲触头材料锭坯，挤压铜碲触头材料锭坯得到铜碲触头材料。本发明的铜碲触头材料熔炼工艺使最终铜碲触头材料中元素成分被严格控制，并且铜碲触头材料中氧含量低于30ppm，氮含量低于10ppm，铜碲触头材料抗熔焊性能和分段能力良好，组织均匀性高，金属元素偏析程度低。
铜碲触头材料熔炼中间合金锭坯惰性气体保护抗熔焊性能组织均匀性材料制备惰性气体分段能力金属元素合金液重量份除气浇铸偏析熔融铜块制备碲粉挤压配方