专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电致变色显示器件及其制备方法-CN202210836295.0在审
  • 凃偲阳;张航川;陈黎暄 - 惠州华星光电显示有限公司;TCL华星光电技术有限公司
  • 2022-07-15 - 2022-10-11 - G02F1/153
  • 所述电致变色显示器件包括第一透明基板以及设置在所述第一透明基板上的电致变色像素阵列,所述电致变色像素阵列包括若干纵向叠加排布的结构单元以及设置在每一结构单元上的第二透明基板;所述结构单元包括公共电极、像素电极以及设置在所述公共电极和所述像素电极之间的电致变色层,且所述电致变色层设置在所述像素电极的表面;所述结构单元还包括电解质,所述电解质与所述电致变色层接触;所述电致变色层基于施加的电压显示为透明态或着色态;所述结构单元独立地选自青色结构单元、品红结构单元和黄色结构单元中的一种;并且所述电致变色像素阵列包括青色结构单元、品红结构单元和黄色结构单元
  • 变色显示器件及其制备方法
  • [发明专利]一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器-CN201510413414.1有效
  • 程晓敏;胡阳芷;黄婷;关夏威;缪向水 - 华中科技大学
  • 2015-07-14 - 2018-12-07 - G11C16/06
  • 本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元;每个上电极只与一个功能层相连;功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极,使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作;沿着上电极的方向定义为X方向,沿着下电极的方向定义为Y方向。本发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度,提高了阵列各存储单元的读写精度。在隔离型crossbar阵列结构中,读写操作时,当行选线和列选线确定后,可确保仅有一个存储单元中有操作电流通过,从而避免了传统crossbar结构中因存在缺陷单元而出现存储单元间的混联串扰问题。
  • 一种基于隔离存储阵列结构固态存储器
  • [实用新型]一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器-CN201520510413.4有效
  • 程晓敏;胡阳芷;黄婷;关夏威;缪向水 - 华中科技大学
  • 2015-07-14 - 2015-12-02 - G11C16/06
  • 本实用新型公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器,包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元;每个上电极只与一个功能层相连;功能层位于上电极与所述下电极之间;通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极,使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作;沿着上电极的方向定义为X方向,沿着下电极的方向定义为Y方向。本实用新型中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度,提高了阵列各存储单元的读写精度。在隔离型crossbar阵列结构中,读写操作时,当行选线和列选线确定后,可确保仅有一个存储单元中有操作电流通过,从而避免了传统crossbar结构中因存在缺陷单元而出现存储单元间的混联串扰问题。
  • 一种基于隔离存储阵列结构固态存储器
  • [实用新型]一种Micro-LED显示装置-CN202320536800.X有效
  • 林志伟;陈凯轩;尤翠萍;蔡建九;柯志杰 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-03-20 - 2023-09-22 - H01L33/50
  • 本实用新型提供一种Micro‑LED显示装置,该Micro‑LED显示装置包括:驱动电路单元,设置在驱动电路单元上的若干像素单元,每个像素单元均包括:发光单元,发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构,三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构,通过荧光粉激发获得白光,经过红、绿、蓝三基色滤光片后,结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制,第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧,可增加出光面的发光面积,且第四电极通过分割道与透明导电层连接,可明显增大电流扩展和增强电导热能力,进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
  • 一种microled显示装置
  • [发明专利]像素单元及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201310200428.6有效
  • 陈海晶;王东方 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-05-27 - 2013-09-11 - G02F1/1343
  • 本发明提供一种像素单元及其制备方法、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的两层结构的存储电容的占用面积大,开口率低的问题。本发明的像素单元包括存储电容,所述存储电容包括第一电极和第二电极;所述第一电极包括电连接的多层结构,所述第二电极包括电连接的多层结构,两电极的各层结构交替设置在不同层,所有层结构至少部分重叠,且第一电极与第二电极结构的层结构数相同;所述存储电容在远离基底的方向上的最顶层结构为像素单元的像素电极。本发明的像素单元的电容为多层结构的,减小了电容尺寸,进而提高了开口率。
  • 像素单元及其制备方法阵列显示装置
  • [实用新型]像素单元、阵列基板及显示装置-CN201320293786.1有效
  • 陈海晶;王东方 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-05-27 - 2013-11-27 - G02F1/1362
  • 本实用新型提供一种像素单元、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的两层结构的存储电容的占用面积大,开口率低的问题。本实用新型的像素单元包括存储电容,所述存储电容包括第一电极和第二电极;所述第一电极包括电连接的多层结构,所述第二电极包括电连接的多层结构,两电极的各层结构交替设置在不同层,所有层结构至少部分重叠,且第一电极与第二电极结构的层结构数相同;所述存储电容在远离基底的方向上的最顶层结构为像素单元的像素电极。本实用新型的像素单元的电容为多层结构的,减小了电容尺寸,进而提高了开口率。
  • 像素单元阵列显示装置
  • [发明专利]低反射率的自发光单元显示器的像素单元结构-CN200610151537.3有效
  • 李重君 - 友达光电股份有限公司
  • 2006-09-11 - 2007-02-28 - H01L27/32
  • 本发明提供一种自发光单元显示器的像素结构,主要包括第一基板、暗色吸光结构、滤光层、驱动电路单元和自发光单元。暗色吸光结构与滤光层形成在第一基板上,并彼此相邻。驱动电路单元位于暗色吸光结构的上方,并为暗色吸光结构所遮蔽。自发光单元位于滤光层上,主要包括透光电极层、发光层和黑电极层。透光电极层位于滤光层上方,发光层和黑电极层则依次形成在透光电极层上。通过暗色吸光结构、滤光层和黑电极层的搭配设置,还可有效减少因外在环境光线入射而造成的反射光量,以达到增加对比的效果。
  • 反射率发光单元显示器像素结构
  • [发明专利]热电装置-CN202180065767.0在审
  • 崔万休;李锺旼;李世运;赵容祥 - LG伊诺特有限公司
  • 2021-07-20 - 2023-06-09 - H10N10/82
  • 根据本发明一实施例的热电装置包括:第一基板;绝缘层,设置在第一基板之上;第一电极单元,设置在绝缘层之上;第一端子电极和第二端子电极,设置在绝缘层之上,并从第一电极单元朝向第一基板的第一外侧突出;半导体结构,设置在第一电极单元之上;第二电极单元,设置在半导体结构之上;以及第二基板单元,设置在第二电极单元之上。第二基板单元包括彼此分开设置的多个第二基板。所述第一电极单元包括:多个电极组,分别与所述多个第二基板在竖向上重叠;以及第一连接电极,连接所述多个电极组中的两个不同的电极组。第一连接电极的长边要比包括在所述多个电极组中的第一电极的长边更长。第一连接电极的至少一部分并不与所述多个第二基板在竖向上重叠。
  • 热电装置

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