专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]熔融装置内熔融温度的测量方法及系统-CN202110684262.4有效
  • 李玉松;朱冬冬;汪润慈;鲜亮;郄东生 - 中国原子能科学研究院
  • 2021-06-21 - 2022-07-01 - G06F30/17
  • 本发明公开了一种熔融装置内熔融温度的测量方法及系统,其中,通过搅拌装置对熔融装置内的熔融进行持续搅拌,测量方法包括以下步骤:获取多个时刻的搅拌装置的受力数据、搅拌装置的可设定的工作参数数据以及熔融装置内熔融的温度数据;构建样本集,样本集的每个样本包括获取的同一时刻的搅拌装置的受力数据、工作参数数据以及熔融的温度数据,其中,搅拌装置的受力数据和工作参数数据作为辅助变量,熔融的温度数据作为主导变量,样本集包括训练样本集;通过训练样本集对测量模型进行训练;实时采集搅拌装置当前的受力数据和工作参数数据,并通过训练后的测量模型得到熔融装置内熔融当前的温度数据。
  • 熔融装置温度测量方法系统
  • [发明专利]用于生产多晶硅锭的方法和装置-CN201180037803.9无效
  • 史蒂芬·胡希;克利斯天·后俄斯 - 山特森西特股份有限公司
  • 2011-06-10 - 2013-04-10 - C03B11/00
  • 本发明涉及一种在熔融坩埚中用于生产多晶硅锭的方法和装置,所述熔融坩埚设置于工艺室中并且填充有硅材料。所述硅材料在所述熔融坩埚中熔融以形成硅熔融,并且随后冷却到硅的凝固温度以下。在一部分工艺过程中,位于所述工艺室中且具有贯穿式开口的板元件可设置于所述硅熔融的上方,并且在所述熔融坩埚中冷却到所述硅熔融的凝固温度以下;并且气流可至少部分经由所述板元件中的至少一个贯穿式开口引导到所述硅熔融的表面上或者,描述了一种方法以及一种由熔融坩埚和固定环组成的熔融坩埚布置。所述固定环可放置在填充有硅材料的熔融坩埚上或上方,使得额外的硅材料可收纳于所述固定环内,从而使所述额外的硅材料通过所述固定环而固定在所述熔融坩埚的上方。在对所述熔融坩埚中的所述硅材料以及所述固定环中的所述额外的硅材料进行加热的过程中,所述熔融坩埚中形成硅熔融,并且所述硅熔融随后冷却到所述硅的所述凝固温度以下。
  • 用于生产多晶方法装置

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