专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SERS基底材料及其热点激发方法与表征-CN201410502575.3有效
  • 何璇;王慧;张祺 - 中国工程物理研究院化工材料研究所
  • 2014-09-26 - 2016-11-30 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种基底材料,特别是一种可以在表面上产生增强拉曼效应激发热点的基底材料及在瞬态过程中通过对其热点的激发而产生极强表面增强拉曼效应的方法和对瞬态过程中出现的表面增强拉曼效应的表征。该基底材料通过在镀锌硅片上原位生长ZnO纳米棒状阵列后蒸镀Ag得以构建出能产生增强拉曼效应热点的表面结构,进一步通过合理利用特定溶剂与其表面结构间的毛细效应激发出增强拉曼效应热点,同时本发明也公开了对该激发方法的表征手段本发明工艺简单、稳定,制得的基底材料通过热点激发方法可以得到进一步增强的拉曼光谱,使其在炸药检测中灵敏度高、选择性好。
  • 一种sers基底材料及其热点激发方法表征
  • [发明专利]一种多热点分布单频掺铥光纤激光器-CN202011356819.3在审
  • 沈德元;王飞 - 中红外激光研究院(江苏)有限公司
  • 2020-11-27 - 2021-03-12 - H01S3/067
  • 本发明公开了一种多热点分布单频掺铥光纤激光器,增益光纤由多段吸收系数不同的增益光纤熔接组成,使光纤的吸收系数沿纵向非均一分布,并且光纤两端的吸收系数最低,中间段的吸收系数最高。对该增益光纤采用双端泵浦方案,可有效降低增益光纤两端最热点的温度,将热量在光纤纵向进行分散,形成多热点分布,解决热致损伤对光纤系统输出功率的限制,同时光纤整体温度的降低也有利于抑制模式非稳效应,多热点分布在光纤中引入的多段温度梯度又提高了SBS效应的产生阈值。该方案能同时解决影响单频掺铥光纤激光器功率提升的热效应、模式非稳及SBS效应等几大限制因素。
  • 一种热点分布单频掺铥光纤激光器
  • [发明专利]光刻工艺图形缺陷检测方法-CN201310631490.0有效
  • 王伟斌;季亮;魏芳;张旭昇 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-11-29 - 2014-03-19 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法,包括如下步骤:将设计目标图形数据转化为光刻目标图形;对光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟;对光刻目标图形进行第一次工艺热点检测;若第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点,则对各潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟;根据第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测;其中,检测区域与潜在工艺热点一一对应,并根据潜在工艺热点的位置而生成。该方法可缩短光刻工艺中版图设计友善性检测的耗时,实现对工艺热点的快速准确的查找,并减少软件和硬件的使用成本。
  • 光刻工艺图形缺陷检测方法
  • [发明专利]一种结构关键疲劳构件的识别方法-CN201310182122.2有效
  • 李兆霞;吴佰建;王莹 - 东南大学
  • 2013-05-16 - 2013-09-04 - G01M99/00
  • 本发明公开了一种结构关键疲劳构件的识别方法,它提供了可容纳不同的疲劳累积理论的统一框架,即有效应力幅,并将有效应力幅作为判断构件关键疲劳构件的识别标准,步骤包括1)遍历所有构件,从健康监测采集的应变数据库中各自具有代表性的标准样本,并根据该构件的热点应力分析结果换算成热点应力时程;2)对热点应力时程进行预处理、雨流计数等操作得到提取出来的应力幅序列;3)计算所有构件的有效应力幅,将数值较大的构件列为关键疲劳构件。
  • 一种结构关键疲劳构件识别方法
  • [发明专利]一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法-CN202111436108.1有效
  • 朱忠华;魏芳;曹云 - 上海华力微电子有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-10-10 - G03F7/20
  • 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法,包括:提供具有目标图形数据的待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图;基于设计规则,按线宽(W)与间距(S)选择二维版图图形;将二维版图图形按照归类半径R1进行图形匹配;按照半径R2截取二维版图图形,并生成热点检查设计版图;对热点检查设计版图进行改变设计图形目标、光学邻近效应修正;进行工艺偏差图形模拟;进行光刻工艺热点检查并标识各热点;在待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图中匹配热点,获得潜在的光刻工艺之热点;待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图产生光刻工艺热点索引文件。本发明不仅极大缩短了软件计算时间,降低了生产成本,而且能精确定位到版图中的光刻工艺热点
  • 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查方法

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