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[发明专利]一种基于空动作的深空探测约束可满足任务规划方法-CN201710694234.4有效
发明人：姜啸;徐瑞;崔平远;朱圣英;高艾 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于空动作的深空探测约束可满足任务规划方法，属于航天深空探测领域。本发明在建立深空探测器规划模型与深空探测器约束模型基础上，对深空探测器系统模型进行分层处理，对活动单元逐层处理，降低约束处理过程中的复杂度；考虑到深空探测任务规划问题的稀疏特性，根据最小承诺原则在每层活动单元中仅选择一个活动单元赋值并将其它活动单元赋予空动作；当冲突发生时对赋空值的活动单元进行修正解除冲突或进行回溯；当所有层的变量都完成赋值后，获得规划解，实现深空探测器自主任务规划。本发明要解决问题为：将深空探测任务中的复杂约束转化为约束处理中的剪枝能力，提高深空探测器自主任务规划的效率，满足探测器实时性要求。
一种基于动作探测约束满足任务规划方法

[发明专利]一种水下拖曳式高精度重磁探测系统及方法-CN201810764190.2有效
发明人：陈洁 -专利权人：广州海洋地质调查局
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： B63C11/52 文献下载
摘要：一种水下拖曳式高精度重磁探测系统及方法，所述系统包括探测拖体、定深拖体和用于拖动探测拖体和定深拖体的母船，以及设置在探测拖体上的探测设备组，所述母船上还设有甲板测控单元，母船通过光电复合缆与定深拖体机械连接，定深拖体通过轻质复合缆与探测拖体机械连接；所述探测设备组用于探测重力场和磁力场而获得重磁测量数据，探测设备组与甲板测控单元电性连接，甲板测控单元通过光电复合缆和定深拖体电性连接，甲板测控单元依次通过光电复合缆、定深拖体和轻质复合缆与探测拖体电性连接。本发明的定深拖体和探测拖体能够在2000米的深海下保持稳定的姿态，完成精准重磁探测，重力仪和磁力装置能够承受深海的高压和低温环境。
拖体探测测控单元光电复合缆甲板电性连接探测设备磁探测机械连接复合缆拖曳式深海母船轻质磁力装置低温环境拖动探测磁测量磁力场重力场重力仪

[发明专利]一种基于约束可满足技术的深空探测自主任务规划方法-CN201610055582.2有效
发明人：徐瑞;姜啸;崔平远;朱圣英;高艾 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于约束可满足技术的深空探测自主任务规划方法，涉及深空探测自主任务规划方法，属于航空航天技术领域。本发明包括如下步骤建立深空探测器系统模型；建立深空探测器约束模型；根据约束模型对深空探测器系统模型进行分层；规划任务初始化；在level层中选取活动单元在活动单元对应的状态集合Di中选择状态并对活动单元进行赋值；对活动单元约束进行一致性检查；通过赋值和循环直到深空探测器约束模型约束集C中全部约束得到满足，赋值结果即为深空探测器自主任务规划结果，完成自主任务规划。本发明能够克服现有深空任务中约束复杂、约束间耦合关系强等难点，提高深空探测器自主任务规划的效率，满足探测器实时性要求。
一种基于约束满足技术探测自主任务规划方法

[发明专利]一种基于数字显示的埋深管道定位方法-CN202210921979.0在审
发明人：刘静;黄进超;贾晓刚;刘子伟 -专利权人：广州迪升探测工程技术有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01S13/06 文献下载
摘要：本申请提供一种基于数字显示的埋深管道定位方法，包括：采用多种探测方法初步获取管道位置；根据所述探测方法的差异性确定复杂管道位置区域；基于垂直分量观测法探测金属管道；基于BP神经网络搭建管道误差置信度模型；基于数字显示确定埋深管道的位置和深度，所述基于数字显示确定埋深管道的位置和深度，具体包括：基于垂直分量观察法建立管道埋深探测系统，根据管道埋深探测系统确定埋深管道位置和深度；对复杂管道确定各管道走向。
一种基于数字显示管道定位方法

[发明专利]一种海洋温盐深剖面船基自动探测装备-CN202210589305.5有效
发明人：毛科峰;陈希;曲俊奇;李妍;刘科峰 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种海洋温盐深剖面船基自动探测装备，包括箱体、装备底盘、托盘升降驱动机构、发射枪、探测仪托举传递机构、多个发射管以及多个温盐深仪。该海洋温盐深剖面船基自动探测装备利用托盘升降驱动机构将装满发射管的托盘逐一向上托举，使托盘到达探测仪托举传递机构的工作位置，由探测仪托举传递机构将各个发射管向上托举，由发射枪抓取发射管并投放温盐深仪，实现温盐深仪的自动投放，满足XCTD、XBT温盐深剖面探测的自动化需求，从而替代人工探测；利用装备底盘使自动探测装备可以在甲板上自由移动，并调节箱体的高度，从而适应不同的船只，增强通用性。
一种海洋温盐深剖面自动探测装备

[发明专利]一种超深地下管线竖直剖面的探测方法-CN201910897654.1在审
发明人：肖顺;张永命;郑启炳;黄志晔;陈锐杰;罗普关;李伟干;陈慧彪;廖雪麟;刘松青;江启双 -专利权人：广州市天驰测绘技术有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G01V3/12 文献下载
摘要：本发明公开一种超深地下管线竖直剖面的探测方法，S1.定位线的设置；S2.中心剖面的确定；S3.探测仪器的放置；S4.信号的收集；S5.记录并计算。竖直剖面法探测精度与管线埋深无关，只与钻孔与管线的水平距离有关，能够解决了超深管线(埋深超过10米)探测用常规探测手段无法完成或探测精度不能满足要求的问题，提高了超深管线检测的精度，减少了检测误差。
探测埋深地下管线管线检测检测误差竖直剖面水平距离探测手段探测仪器中心剖面定位线钻孔竖直记录

[发明专利]深空探测增益天线对地增益实时计算方法及系统-CN202210088906.8在审
发明人：李金岳;朱新波;王民建;何春黎;陆希;刘镒 -专利权人：上海卫星工程研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种深空探测增益天线对地增益实时计算方法及系统，包括如下步骤：计算步骤：计算天线对地增益，得到天线增益值；实践步骤：将天线增益值用于深空探测中探测器和地面的实时通信。本发明能够实时给出深空探测器的天线对地增益情况，为深空测控通信链路提供数据支撑。
探测增益天线实时计算方法系统

[发明专利]一种减小深空探测器天线波束宽度的方法及系统-CN201210306698.0无效
发明人：屈晨阳;谢春坚;王竹刚;熊蔚明 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：发明提供了一种减小深空探测器天线波束宽度的方法及系统，所述方法包含：步骤1）获取太阳、深空探测器与地球之间的夹角所呈现的规律性范围；步骤2）利用获取的夹角所呈现的规律性将天线的半波束宽度设计为大于上述夹角范围的窄波束定向天线步骤1）包含：建立深空探测器轨道动力学模型；获得深空探测器在地球J2000坐标系下的位置矢量，根据已知探测器的轨道根数，利用建立的探测器轨道动力学模型，采用龙格库塔7/8阶数值积分进行探测器轨道递推计算，获得深空探测器在地球J2000坐标系下的位置矢量；同时获得太阳在地球J2000坐标系下的位置矢量；根据深空探测器及太阳在地球J2000下的位置矢量，获取了太阳、深空探测器与地球之间的夹角所呈现的规律性
一种减小探测器天线波束宽度方法系统

[发明专利]一种基于神经网络的深空探测器自主任务规划方法-CN201410812327.9有效
发明人：徐瑞;李朝玉;崔平远;朱圣英;尚海滨 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于神经网络的深空探测器自主任务规划方法，属于深空探测技术领域。本发明方法通过建立深空探测器系统模型，定义深空探测器系统自主任务规划问题，确定自主任务规划系统的输入输出，建立神经网络模型，利用深空探测器仿真系统产生的仿真数据对神经网络进行训练，训练后的神经网络能够在给定一组输入后本发明能在多个子系统需要协调的情况下、满足探测器实时性要求；能够快速得到规划解，弥补采用地面站控制的通讯延迟的缺点，有助于大大提高深空探测器自主任务规划的效率，满足探测器实时性要求，规划时间短、效率高，更加适合实时性要求高的深空探测器。
一种基于神经网络探测器自主任务规划方法

[发明专利]一种深槽半导体光探测结构及其制造方法-CN201910513109.8有效
发明人：谭开洲;崔伟;张霞;张静;陈仙;唐昭焕;吴雪;张培健 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电杂质类型的掺杂区，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，所述深槽填充区和深槽扩散区作为光探测电极A，欧姆接触掺杂区作为光探测电极B，本发明可以避免使用价格较贵且不易获得的极低掺杂的高阻半导体材料，并大幅度降低光探测反向偏置电压，降低相关偏置电压电路复杂度和难度。
一种半导体探测结构及其制造方法

[实用新型]一种气动伸缩式井下孔深探测装置-CN202022975464.8有效
发明人：高彬;杨帆;李军;张池;张卫国;王生全;郭晨 -专利权人：陕煤集团神木张家峁矿业有限公司;西安科技大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01B5/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气动伸缩式井下孔深探测装置，包括孔深探测箱、柔性管道和管道收纳箱，孔深探测箱的底部和管道收纳箱的顶部均开设有供柔性管道穿过的条形孔隙，孔深探测箱的顶部设置有导管，柔性管道的下端卷绕在管道收纳箱内的卷轴上，柔性管道的上端由下至上依次穿过管道收纳箱、孔深探测箱和导管后套设在导管的上端，导管的一侧设置有与其相互连通的进气口和出气口，孔深探测箱内设置有第一导向转轴和第二导向转轴，第一导向转轴上设置有旋转编码器本实用新型通过测量柔性管道的伸长量来实现对钻孔孔深的有效检测，使得整个测量过程不受钻孔表面质量限制，测量精度高，测量效率高，能有减少人力物力的投入，保证孔深测定过程安全可靠。
一种气动伸缩井下探测装置

[实用新型]一种埋深测量装置-CN202321025822.6有效
发明人：陈丹;解博 -专利权人：陈丹
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01B21/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种埋深测量装置，涉及管线埋深测量技术领域，包括移动结构和管线埋深探测仪本体，所述管线埋深探测仪本体设置在移动结构的内部，所述移动结构包括支架板，所述支架板的底端设置有万向轮，所述支架板的顶端一侧固定连接有推杆，所述支架板远离推杆的一侧固定连接有电动伸缩杆，推导推杆即可完成对管线埋深探测仪本体整体的移动效果，而需要对管线埋深探测仪本体的探头一端探测角度进行调节时，调节电动伸缩杆来实现纵向角度的变换，通过移动杆拉扯调节结构使斜板逐渐远离磁铁板，来实现横向位置的调整，以此完成对探头探测范围的提升效果。
一种测量装置

[发明专利]一种铸铁件深孔探测设备-CN202111028948.4在审
发明人：柏建雨;张玉铭;邢继伦 -专利权人：徐州徐工精密工业科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸铁件深孔探测设备，包括：手持终端、万向节点组件、深孔探测组件和图像显示器，图像显示器固定安装于手持终端的表面，手持终端的一端固定连接有弹性线束管，弹性线束管的另一端通过若干万向节点组件依次连接并与深孔探测组件的一端相互固接本发明中，通过设置可伸入式深孔探测探头结构，利用弹性线束管手动推动万向节点组件和深孔探测组件深入铸铁件深孔内部进行探伤检测，将携带有传感器组件的传感组件舱深入深孔进行超神波探伤以及内窥检测，从而全面展现深孔内壁情况，有效识别隐蔽性裂痕，提高该深孔探测设备的实用性。
一种铸铁件探测设备

[发明专利]一种超深管线竖直剖面探测方法-CN201310191710.2在审
发明人：张永命;肖顺;韩颖;刘天华 -专利权人：广州市天驰测绘技术有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01V3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超深管线竖直剖面探测方法，它包含以下步骤：（1）、设备安装；（2）、设置竖直通道；（3）、初步定位：在目标管道上方，垂直管道走向进行水平剖面观测进行初步定位；（4）、收集信号；（5）、记录并计算：记录当Hx达到峰值时，此时探头离地面的距离即为管道的中心埋深以及当Hx=0.8Ki/h即峰值的80%时的两个点，计算出管道中心埋深h。本发明的有益效果是：竖直剖面法探测精度与管线埋深H无关，只与钻孔与管线的水平距离L有关，解决了超深管线（埋深超过10米）探测用常规探测手段无法完成或探测精度不能满足要求的问题，提高了超深管线检测的精度，
一种管线竖直剖面探测方法

[发明专利]一种深槽半导体光探测增益结构-CN201910513320.X有效
发明人：谭开洲;崔伟;张霞;张静;陈仙;唐昭焕;吴雪;张培健 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种深槽半导体光探测增益结构，其中，所述深槽半导体光探测增益结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设多个深槽，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽扩散区，深槽扩散区在半导体材料里形成PN结，所述深槽位置形成具有第二导电杂质类型的深槽填充区，相邻两个深槽中，其中一个深槽作为光探测电极A，另一个深槽作为光探测电极B。
一种半导体探测增益结构

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