“浅迭代”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果89622个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种适用于深井的尾矿胶结填充施工方法-CN202210224675.9在审
发明人：陈克峰;余剑;孙永茂;陈顺;王辉;黄凯;许继斌;赵煜罡;黄松 -专利权人：安徽马钢矿业资源集团有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： E21F15/00 文献下载
摘要：该适用于深井的尾矿胶结填充施工方法，包括如下步骤：S1、用浅基坑开挖方式在深井周围开挖浅坑，挖浅坑的数量为6‑8个，浅坑的深度为浅基坑开挖方式可开挖的最深深度，浅坑的有效直径竟可能等于深井的有效半径，且施工时尽量使得浅坑相对于深井对称设置该适用于深井的尾矿胶结填充施工方法，通过增挖浅坑，并利用挖浅坑时所获得的沙土进行填充，沙土填充层将尾矿胶结填充层分为两层，从而减少了单层尾矿胶结填充层的厚度，同时加大了上层尾矿胶结填充层的外露面积，增加了填充物的稳定性，同时挖坑和混合所使用的设备不同，可同时进行，增挖浅坑并不会影响施工效率。
一种适用于深井尾矿胶结填充施工方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201310129640.8有效
发明人：杨芸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种浅沟槽隔离结构的形成方法，形成第二浅沟槽隔离沟道后保留光阻层，借着光阻层对第一浅沟槽隔离沟道的遮挡继续进行第一次回拉刻蚀，暴露出第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，之后去除光阻层，再对半导体衬底进行第二次回拉刻蚀，暴露出第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层，这样便能平衡第一浅沟槽隔离沟道以及第二浅沟槽隔离沟道的回拉刻蚀程度，使第二浅沟槽隔离沟道边角的介质层暴露更多并且变的更加圆滑，使后续形成在边角处的栅极氧化层可长得更厚，提高了击穿电压；同时保证第一浅沟槽隔离沟道的边角暴露的不会过多，防止在后续形成隧穿氧化层的时候消耗过多边角处的半导体衬底而降低了有效区域的面积。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201410451995.3有效
发明人：张先明;丁敬秀 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供半导体衬底以及位于所述衬底上的外延层，其中所述外延层分为深沟槽区和有源区，在所述深沟槽区内形成有深沟槽，并在所述深沟槽内填充有N型多晶硅层；在所述外延层内形成第一浅沟槽和第二浅沟槽，其中所述第一浅沟槽位于所述深沟槽区内的所述N型多晶硅层的上方，所述第二浅沟槽位于所述有源区内；进行激光热退火，以在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽的底部形成热生长氧化硅层；在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽的底部和侧壁形成氧化物衬垫层；在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽内形成隔离材料层。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]具有高速滑行或半滑行船身船舶-CN94194890.0无效
发明人：鲍里斯·V·查彼科夫;阿纳托利·N·帕夫兰科;爱德华·I·普里维洛夫;塞姆扬·N·艾泽恩;鲍里斯·R·蒂莫菲夫 -专利权人：西弗莱特有限公司
申请日： 1994-11-28 - 公布日： 1997-02-12 - 主分类号： B63B1/38 文献下载
摘要：一种具有高速滑行或半滑行船身的船舶，包括(a)第一船段(12)，位于船头并设计得可提供一前滑行船段；(b)第二船段(13)，在第一船段后面，包括一具有由在第二船段前端横跨船身延伸的台肩(15)所形成的前端的浅腔(14)，以及位于船身每侧沿第二船段长度设置的肋板(16)；(c)压缩空气源，设置在船舶里面并连接于浅腔(14)，通过出口(17)向浅腔(14)发送加压空气，供此使空气基本上均匀地分布在浅腔之内并不致扰动浅腔(14)下面的水面；以及(d)第三船段，在浅腔(14)后面，在浅腔(14)后端处形成一种密封，形式为制有一或多条槽道(20)的后部成型表面，槽道(20)从浅腔(14)伸向船尾，允许出自浅腔(14)的得到控制的气流通过，从而第三船段的基本部分不同流出浅腔的空气接触。
具有高速滑行船身船舶

[实用新型]一种浅基坑支撑板的防脱落装置-CN201721908317.0有效
发明人：王凌;梁剑;张跃明;傅雅莉;朱正宜;李风云;史策辉;钟彦之;潘伟波;张文正 -专利权人：广州地铁设计研究院有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： E02D17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浅基坑支撑板的防脱落装置，所述装置包括：先期完成施工的深基坑顶板；在所述深基坑顶板上设置的上翻过梁；一端固定于所述深基坑顶板，另一端固定于所述上翻过梁的支顶柱；支撑所述浅基坑支撑板一侧的冠梁所述浅基坑支撑板通过所述上翻过梁和所述冠梁支撑了浅基坑支撑板，使得浅基坑支撑板受力均匀。在全部破除浅基坑支挡结构后，由于浅基坑支撑板两侧都收到支撑力，故在施工中浅基坑支撑板不会发生脱落现象。所述浅基坑支撑板的防脱落装置设计结构新颖，在地铁挖基坑施工时实用性强，大大提高了地铁施工的效率和安全性，此外，通过所述浅基坑支撑板的防脱落装置进一步提高了结构质量、降低工程造价。
浅基坑支撑板防脱落装置深基坑冠梁本实用新型支撑板两侧地铁施工工程造价基坑施工设计结构受力均匀支挡结构支撑力支顶柱支撑施工地铁

[实用新型]装配式波纹钢混凝土组合单仓综合管廊-CN201820581875.9有效
发明人：刘昌永;孙大伟;王玉银 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： E02D29/045 文献下载
摘要：本实用新型装配式波纹钢混凝土组合单仓综合管廊由2个侧向浅拱、上侧浅拱和预制底板组成，所述的侧向浅拱和上侧浅拱是在波纹钢板拱的外表面浇筑钢筋混凝土而成，预制底板的左右两侧预埋有多根底板螺栓，侧向浅拱的底部边沿开有多个螺栓孔，侧向浅拱的上部边沿预埋有多个浅拱螺栓，预制底板的左、右两侧分别设置有侧向浅拱从而围成仓室，在仓室的上部盖设有上侧浅拱。本实用新型综合管廊中的浅拱采用钢‑混组合体系，自带浇筑模板，减少了混凝土的模板架设工作量，各构件为工厂化生产预制，大大加快施工速度。
侧向综合管廊本实用新型预制底板混凝土波纹钢装配式预埋土木工程领域钢筋混凝土工厂化生产混凝土管廊螺栓波纹钢板底板螺栓底部边沿浇筑模板模板架设上部边沿现场作业组合体系左右两侧螺栓孔仓室成仓施工自带预制工作量浇筑

[实用新型]一种在线式生态植被渗透浅沟-CN201521108655.7有效
发明人：李艳平;刘娟;罗金学;张美;陈倩;赵慧 -专利权人：中科嘉亿生态工程技术有限公司;中科嘉亿（北京）生态工程技术研究院有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： E03F5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及到一种在线式生态植被渗透浅沟。其包括连续交替循环设置的渗透浅沟段、二重堰体段和滞留池段；每50-150m渗透浅沟段后依次设置长2-5m的二重堰体段和10-30m的滞留池段；所述渗透浅沟段包括硬质浅沟和带植被护坡的浅沟；所述硬质浅沟邻近机动车道；所述带植被护坡的浅沟紧邻硬质浅沟，并依次分为平缓区、斜坡区A、缓冲区、斜坡区B和沟底；所述渗透浅沟段的横断面自上而下均依次为植被层、自嵌式生态砖层、种植土层、土工布层、碎石填料层A、碎石填料层B、防水土工膜
一种在线生态植被渗透

[实用新型]一种油罐区用事故液收集池-CN202122657822.5有效
发明人：刘璠;刘正滨;李仁宝;汪悦平;贺春晖;冯伟伟;贾蓓;邢东亮;李宜铭;孙宜超;刘威;刘广波;孙鹏举 -专利权人：中交第一航务工程勘察设计院有限公司;山东省港口集团有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B65D90/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种油罐区用事故液收集池，收集池为地下式池体，从外到里按水流方向依次分为浅池、导流池和深池，深池下沉在浅池中，深池池壁低于浅池外壁且凸出于浅池的池底，导流池设置在浅池中，导流池池壁连接深池池壁，设置U型连通管穿越导流池池壁，用于连通浅池和导流池，位于浅池和导流池区域的U型连通管的自由端分别接近浅池的池底和导流池的池底，穿越导流池池壁段的U型连通管的最高点低于深池池壁的顶端，在深池中设置有与导流池下部相通的导流管事故液池通过进液管进入浅池，集满后，通过连通管将浅池下部事故液溢流进入导流池，再进入深池，完成整个事故液收集过程。
一种油罐用事收集

[实用新型]一种浅圆仓低温储粮系统-CN202221180307.0有效
发明人：王广波;辛培防;付玉鹏 -专利权人：河南金明自动化设备有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： A01F25/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅圆仓低温储粮系统，包括浅圆仓本体和多个用于对浅圆仓本体进行控温处理的控温机构；多个控温机构均分别包括设置在浅圆仓本体上的仓壁通风道系统和设置在浅圆仓本体上的浅圆仓控温系统；仓壁通风道系统包括两个分别设置在浅圆仓本体底部周围的墙壁上主风道、多个进风支风道、回风支风道、分别与两个回风支风道相连接的回风集管和设置在两个回风集管上端之间的三通；所述浅圆仓控温系统包括浅圆仓控温专用机组和控制系统。通过本实用新型所述的浅圆仓低温储粮系统，不仅能够满足对粮面及粮堆周围空间及粮面上层空间进行控温的要求，而且还能达到节能降耗的目的，满足绿色低温储粮的需求。
一种浅圆仓低温系统

[实用新型]一种浅圆仓储粮用气柱气囊缓释气调系统-CN202220067687.0有效
发明人：蔡育池;付鹏程;董晓欢;李浩杰;吴东亮;徐擎宇 -专利权人：中央储备粮厦门直属库有限公司;中储粮成都储藏研究院有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： A01F25/14 文献下载
摘要：本申请提出了一种浅圆仓储粮用气柱气囊缓释气调系统，包括浅圆仓以及充氮气柱气囊，所述充氮气柱气囊设置在所述浅圆仓内，所述充氮气柱气囊上分别设置有进气口与出气口，所述进气口连接有充气管，所述充气管的另一端连接有氮气源通过对充氮气柱气囊填充氮气变大后能够排出浅圆仓内的一部分空气，再向浅圆仓内的粮堆通入氮气，使得浅圆仓内的剩余空气全部排出并充满一定浓度的氮气，提高了氮氧置换效率，后续通过缓慢释放充氮气柱气囊内的氮气对浅圆仓进行氮气补充，抵消浅圆仓内外氧气交换导致的氮气浓度衰减，能够提高对浅圆仓内氧气浓度较高部位害虫的防治效果，确保浅圆仓内的杀虫效果好，储粮效果好，同时降低了劳动强度以及劳动成本。
一种仓储粮用气柱气囊缓释气调系统

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法，图像传感器-CN201810417077.7在审
发明人：何延强;林宗德;黄仁德;李晓明 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，图像传感器。所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成浅沟槽；在所述研磨停止层表面、浅沟槽侧壁及底部形成氧化层；在所述氧化层表面形成氟掺杂介质层；向所述浅沟槽内填充绝缘介质，所述绝缘介质填满所述浅沟槽且覆盖所述氟掺杂介质层；进行退火工艺；通过平坦化工艺去除所述研磨停止层上的绝缘介质、氟掺杂介质层和氧化层，形成浅沟槽隔离结构所述浅沟槽隔离结构可以减小图像传感器的暗电流。
浅沟槽隔离结构研磨停止层衬底图像传感器半导体氟掺杂介质层浅沟槽氧化层绝缘介质填满填充绝缘介质浅沟槽侧壁氧化层表面绝缘介质退火工艺暗电流平坦化减小刻蚀去除覆盖

[发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法-CN201710867399.7在审
发明人：周颖;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法，所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括如下步骤1）提供半导体衬底；2）于所述半导体衬底内形成沟槽；3）于所述沟槽内形成覆盖所述沟槽侧壁及底部的浅沟槽隔离衬垫，所述浅沟槽隔离衬垫包括覆盖所述沟槽侧壁及底部的第一氧化硅层及覆盖所述第一氧化硅层表面的氮掺杂氧化硅层；4）于所述浅沟槽隔离衬垫表面填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，所述隔离材料填满所述沟槽。本发明通过形成包括氮掺杂氧化硅层的浅沟槽隔离衬垫，相较于现有技术，在形成相同厚度的浅沟槽隔离衬垫的前提下，对有源区的消耗比较小，从而减小对器件性能的不良影响。
沟槽隔离结构半导体及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201910417235.3在审
发明人：杨志勇;蒋鑫 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上形成有至少两个相邻的晶体管区；相邻的晶体管区的相接处形成有浅隔离沟槽。为了保护浅隔离沟槽的侧壁上的材料在后续刻蚀中不被不同程度地刻蚀，可在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，用于保护浅隔离沟槽的侧壁的材料不被刻蚀掉，防止浅隔离沟槽的宽度变大，使得半导体器件的性能较佳。进一步地，本发明还提供一种半导体器件，在浅隔离沟槽的侧壁上形成第一电介质层，用于保护浅隔离沟槽的侧壁的材料不被刻蚀掉，防止浅隔离沟槽的宽度变大，使得半导体器件的性能较佳。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种超低动态阻抗双向TVS及制造方法-CN202110324180.9在审
发明人：吴昊;陆亚斌;王成 -专利权人：傲威半导体无锡有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提出一种超低动态阻抗双向TVS及制造方法，该超低动态阻抗双向TVS包括衬底层及基区层，衬底层为第一导电类型，基区层为第二导电类型，并形成于衬底层上；还包括浅槽结构，浅槽结构形成于基区层中，其深度小于基区层的深度，在浅槽结构两侧形成第一导电类型的有源区，浅槽结构具有复数个，各浅槽结构之间留有间隔，形成梳齿式布局；还包括浅槽填充层，浅槽填充层形成于浅槽结构内部；还包括电极，电极采用表面多层金属化引出。
一种动态阻抗双向 tvs 制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法-CN202110226518.7在审
发明人：许进;陈敏杰;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：步骤一、采用干法刻蚀工艺对浅沟槽形成区域中的半导体衬底进行第一次刻蚀形成浅沟槽；第一次刻蚀中干法刻蚀工艺腔会析出金属离子并沉积浅沟槽的内侧表面上以及金属离子会扩散并形成污染层；步骤二、采用湿法刻蚀工艺对浅沟槽内侧表面暴露的半导体衬底进行第二次刻蚀以去除浅沟槽的内侧表面处污染层。本发明能去除浅沟槽的干刻刻蚀中干法刻蚀工艺腔析出并沉积在浅沟槽内侧表面上的金属离子，从而能避免金属离子对产品特别是CMOS图像传感器的良率的影响。
沟槽隔离制造方法