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- [实用新型]PECVD沉积槽-CN201220157527.1有效
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孙双庆;杜颖涛;齐海洋
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英利能源(中国)有限公司
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2012-04-13
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2012-11-21
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C23C16/44
- 本实用新型提供了一种PECVD沉积槽,包括:PECVD沉积槽本体(1),覆盖于PECVD沉积槽本体(1)顶面的喷砂层(2),和覆盖于喷砂层(2)顶面的镀铝层(3)。本实用新型提供的PECVD沉积槽,与现有技术相比,通过喷砂层(2)提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度,镀铝层(3)增强了PECVD沉积槽顶面的吸附能力,使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面,减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量,即减少了落在硅电池片上的氮化硅量,进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响,提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。
- pecvd沉积
- [实用新型]带有废渣沉积槽地漏-CN94237304.9无效
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任华国
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任华国
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1994-05-07
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1995-04-19
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E03C1/282
- 带有废渣沉积槽地漏是一种立体式地漏,地漏的面板(3)上设有可开启的滤板(4),滤板内装有导流罩(7),面板下有一个圆筒体(11),圆筒体中设有排水管(1),排水管(1)的一端伸出圆筒体底部与排水管道连接,另一端在圆筒体内与园筒体内壁形成一个沉积槽(2)。废水由滤板流入地漏筒体时先滤除一部较大的废物,再由导流板导向沉积槽,进一步沉淀细小废渣后,以溢流的方式经排水管(1)进入地下排水管道。
- 带有废渣沉积地漏
- [实用新型]一种新型排水沟-CN201921151537.2有效
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韩光
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江苏驰隆环境科技有限公司
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2019-07-22
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2020-04-21
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E03F5/04
- 本实用新型公开了一种新型排水沟,包括排水沟本体,排水沟本体侧壁外部还设有上端开口的沉积槽,沉积槽小于排水沟本体的长度,沉积槽与排水沟本体平行设置,排水沟本体和沉积槽的横截面均为U型结构,沉积槽的两端均设有端挡板,沉积槽的侧壁上端和端挡板的上端均与排水沟本体的侧壁上端齐平,与排水沟本体相邻的沉积槽侧壁与排水沟本体的侧壁固定连接,排水沟本体底部与沉积槽相邻的一侧还设有沿排水沟本体长度方向的开口槽,开口槽与沉积槽的长度相等,沉积槽通过开口槽与排水沟本体相通,排水沟本体底部上端面高于沉积槽底部上端面的高度。该排水沟可以将雨水中的尘土等小颗粒杂质隔离至沉积槽底部并形成淤泥,保证了排水沟本体的排水通畅性。
- 一种新型排水沟
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