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[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法-CN202011090280.1有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。
一种具备微结构三层氮化硅减反层及其制备方法

[发明专利]一种适用于MWT太阳能电池的多层复合膜及其制造方法-CN202310303454.5在审
发明人：钱小芳;徐建华;彭小江;范琼 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公布了一种适用于MWT太阳能电池的多层复合膜及其制造方法，该多层复合膜位于硅片表面的氧化铝层上，自内向外依次为：第二氮化硅层、碳氮化硅层、第三氮化硅层、氮氧化硅层以及氧化硅层；其中所述第三氮化硅层为由19‑21nm的第四氮化硅层、20‑30nm的第五氮化硅层以及30‑40nm的第六氮化硅层叠置组成。本发明通过氧化铝膜和氮化硅膜中间先加镀一层氮化硅膜，对氧化铝进行重构，再镀一层碳氮化硅膜，碳氮化硅的折射率高于氮化硅，所以底层高折射率的膜层起到优化钝化效果，然后在氮化硅膜外侧镀上氮氧化硅膜和氧化硅膜，氮氧化硅和氧化硅的折射率低于2.0，可以做到2.0以下的折射率，进一步减少了光损失。
一种适用于 mwt 太阳能电池多层复合及其制造方法

[发明专利]一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺及其制得的光学镀膜-CN202111499911.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市恒鼎新材料有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：镀氮化硅打底层步骤：在待镀膜工件表面通过溅射镀膜，镀氮化硅打底层；镀光学膜层步骤：在氮化硅打底层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，然后在氮化硅和碳化硅合金膜层上镀氮化硅过渡层，作为一个光学周期，镀光学膜层步骤包括若干光学周期；镀耐磨层步骤：在光学镀膜层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，通过上述设置，氮化硅和碳化硅合金膜层放在两层氮化硅之间，可以消除氮化硅膜层本身的应力；用氮化硅和碳化硅合金膜层作为外观膜层，能够提供更高的膜层折射率，提升膜层的光泽度和亮度，耐磨性好。
一种高分子材料表面耐磨镀膜工艺及其光学

[发明专利]具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法-CN201310566294.X有效
发明人：陈韦廷;黄家琦;黄俊杰;胡友元 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，包括：第一氮化硅膜；设置于第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜；设置于第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中第一氮化硅膜与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量，且第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N‑H键含量之差不小于5%。还提供上述栅极绝缘层的形成方法。本发明的栅极绝缘层，内在致密性存在差异，使得蚀刻速度产生差异，从而能够形成具有理想蚀刻角度的斜坡状侧面轮廓。此外，本发明的三层氮化硅膜在同一腔室中以相同原料气体一次性连续形成，工艺简单、成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。
氮化硅膜蚀刻栅极绝缘层三层斜坡状侧面界面性能连续形成同一腔室原料气体一次性致密性

[发明专利]一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法-CN202210663188.2在审
发明人：刘贤金;彭碧;周塘华;易辉;郭英江;江庆 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法，该正膜膜层结构包括由下至上依次设置的氧化层、高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层，高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层、氧化硅膜层的折射率依次递减。制备方法包括采用PECVD沉积方法在底层氧化层上先后制备高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层。本发明的晶硅太阳能电池正膜膜层结构可改善片内和片间膜层均匀性，最大程度降低正面反射率，使组件外观效果呈现黑色，有效解决黑色电池片边缘发蓝和片间颜色差异问题。
一种适用组件太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法

[实用新型]硬质光学膜及玻璃产品-CN201721724122.0有效
发明人：李可峰;许仁 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司;万津科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硬质光学膜及玻璃产品。所述硬质光学膜包括氮化硅层和氧氮化硅层，氮化硅层和氧氮化硅层层叠设置。所述硬质光学膜通过氮化硅层和氧氮化硅层层叠配合设置，并可通过调整氮化硅层和氧氮化硅层的厚度使硬质光学膜满足预设的光透射要求并具有高硬度，表面不易被划伤，进而避免膜层因微观挫伤造成的光学颜色差异，同时所述硬质光学膜还具有良好的耐摩擦性和耐溶剂性
光学膜硬质氮化硅层氧氮化硅层玻璃产品氧氮化硅本实用新型光学颜色耐摩擦性耐溶剂性配合设置高硬度光透射划伤膜层预设挫伤微观

[发明专利]太阳能电池板、其制备方法及包含其的太阳能电池-CN201310581582.2有效
发明人：马继奎;徐卓;李永超;孙宁宁;安海娇 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该太阳能电池板包括硅片以及设置在硅片上的氮化硅膜。其中，氮化硅膜包括第一氮化硅层与第二氮化硅层；第一氮化硅层形成在硅片上；第二氮化硅层形成在第一氮化硅层上；且第二氮化硅层的折射率大于第一氮化硅层的折射率。本发明的太阳能电池板中，在硅片表面设置具有两层结构的氮化硅膜，并使位于外层的第二氮化硅层的折射率大于第一氮化硅层的折射率。能够增加氮化硅膜表面对紫外线的阻挡作用，进而使进入氮化硅膜的紫外线强度减弱。这就能够在一定程度上阻止进入的紫外线激活氮化硅膜内部的K0基团，进而减少电荷俘获中心的产生，从而降低太阳能电池的光致衰减问题。
太阳能电池板制备方法包含太阳能电池

[发明专利]在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法-CN200910055509.5无效
发明人：徐爱斌;李荣林;李栋;董耀旗;宗登刚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法，包括如下步骤：在多晶硅膜层上淀积第一层氮化硅膜层；在第一层氮化硅膜层上涂布光刻胶，光刻定义沟槽区域；刻蚀曝光露出的第一层氮化硅膜层，去除剩余光刻胶；在刻蚀后的第一层氮化硅膜层上淀积第二层氮化硅膜层；干法刻蚀第二层氮化硅膜层，并在第一层氮化硅膜层中形成侧墙和隔离区；用刻蚀后剩余的氮化硅膜层作为硬掩膜层，刻蚀多晶硅膜层，在多晶硅膜层内形成窄沟槽结构；去除剩余的氮化硅膜层。本发明不需要改进光刻设备即可在多晶硅膜层中制备宽度＜＝0.10um的窄沟槽结构，且窄沟槽的宽度可以通过改变第二层氮化硅膜层的厚度控制。
多晶硅膜层中形成沟槽结构制备方法

[发明专利]通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法-CN200710126049.1有效
发明人：瑞维克·巴哈迪亚;夏立群;查德·彼得森;海彻姆·马萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。
通过添加降低氮化蚀刻速率方法

[发明专利]制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法-CN200410045757.9无效
发明人：泷本俊英 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。
制造具有绝缘性能提高氮化半导体器件方法

[实用新型]一种绿色玻璃盖板-CN201821449896.1有效
发明人：尹凡华;周伟杰 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绿色玻璃盖板，包括：具有相对设置的第一表面和第二表面的玻璃基板；颜色膜层，设置在所述玻璃基板的第一表面，所述颜色膜层为绿色，所述颜色膜层为交叉层叠的多层第一氮化硅膜层和多层第二氮化硅膜层；所述第一氮化硅膜层与第二氮化硅膜层的折射率不同；黑色油墨层，设置在所述玻璃基板的第二表面。本实用新型中，通过多层折射率不同的第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层的反复叠加，合理调控第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层的层数和厚度，使得颜色膜层既能提高玻璃基板表面的硬度又能显示绿色，达到美观效果，由于只需使用氮化硅一种材料
一种绿色玻璃盖板

[发明专利]一种用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法-CN201410217930.2在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于双重图形化工艺流程的侧墙形成方法，包括：首先，利用光刻胶执行光刻以对硬掩膜及硬掩膜上的氮化硅进行图形化，从而形成硬掩膜和氮化硅的叠层柱体；此后，用原子层沉积工艺在叠层柱体外部生长氮化硅层，并随后利用原子层沉积工艺在氮化硅层外部生长将作为侧墙的氧化硅层；随后，去除氮化硅层顶部的氧化硅层以暴露出氮化硅层，从而形成侧墙；然后，执行氧气等离子体处理以使得氮化硅层氧化，并且去除进氧化的氮化硅层以及硬掩膜
一种用于双重图形化工流程形成方法

[发明专利]氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201210294388.1无效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化制备方法含有硅片太阳能电池

[实用新型]氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201220414730.2有效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化含有硅片太阳能电池

[实用新型]一种防辐射钢化玻璃膜-CN201620685360.4有效
发明人：何伟 -专利权人：东莞捷尔信实业有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种防辐射钢化玻璃膜，包括钢化玻璃层、透明基材层，所述钢化玻璃层设置在所述透明基材层的上端，在所述透明基材层的下端设置有胶粘层，在所述胶粘层的下端和所述钢化玻璃层的上方分别设置有离型层；所述钢化玻璃层包括玻璃基片，在所述玻璃基片上设置有第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层和第三氮化硅膜层，在所述玻璃基片与第一氮化硅膜层之间、所述第一氮化硅膜层与第二氮化硅膜层之间和第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层之间分别设置有透明导电膜层有益效果：该钢化玻璃膜可以有效降低钢化膜的光反射作用，同时有效的降低了电磁辐射；且具备良好的散热作用。
一种防辐射钢化玻璃

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