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[发明专利]发光化合物-CN201980033490.6在审
发明人：亚历克斯·罗宾逊;乔恩·普里斯;格雷戈里·奥卡拉汉;卡罗利斯·维兹比卡斯;欧文·琼斯;丹尼斯·赵;迈克尔·巴特林;萨里纳·松德 -专利权人：伯明翰大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C07D413/04 文献下载
摘要：多环芳族烃衍生物，其由以下通式：(I)表示，其中R独立地表示芳族基团和/或脂肪族基团；Q是环状脂族烃、环状芳族烃、多环烃、多环芳族烃和/或稠合多环芳族烃中的一种；其中取代基独立地包括氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碳原子、氧原子(例如烷基化的氧原子)、氮原子(例如烷基化的氮原子)、氰基、硝基、烷基和/或芳基中的一种或多种；p是1‑2的整数；q是1‑4的整数；Y1和Y2独立地表示氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碳原子、氧原子(例如烷基化的氧原子)、氮原子(例如烷基化的氮原子)、氰基、硝基、烷基和/或芳基中的一种或多种
发光化合物

[发明专利]一种可重复使用的原子氧探头及探测系统-CN200710304607.9有效
发明人：王云飞;陈学康;李中华;杨生胜;郑阔海;冯展祖;王敬宜 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重复使用的原子氧探头及探测系统，属于气体探测领域。原子氧作用于探头后，通过测量氧化锌薄膜电阻变化可以得出原子氧束流通量变化，从而达到探测的目的。通过加热器加热，可以使半导体薄膜表面吸附的原子氧脱附，使其电阻值恢复到初始值，从而达到重复使用的目的。本发明对原子氧具有良好的响应特性，通过加热，探头具有稳定的重复使用特性，可用于地面原子氧探测和低地球卫星轨道环境中的原子氧探测。
一种重复使用原子探头探测系统

[发明专利]一种耐空间环境原子氧剥蚀的杂化材料及制备方法-CN201310091125.5有效
发明人：赵小虎;段凌泽;张璐丹;沈志刚;蔡楚江 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：一种耐空间环境原子氧剥蚀的杂化材料，它由以下组分：（A）聚合物，用量为100份；（B）溶胶－凝胶前驱体，用量为20～150份；（C）用量分别不同的溶剂、固化剂和催化剂构成。一种耐空间环境原子氧剥蚀的杂化材料的制备方法，有五大步骤：一、按质量比称取聚合物和溶胶－凝胶前驱体；二、制备溶胶-凝胶前驱体溶液；三、制备聚合物溶液；四、制备耐空间环境原子氧剥蚀的杂化材料溶液；五、制出耐空间环境原子氧剥蚀的杂化材料本发明利用溶胶-凝胶过程的水解-缩聚反应，在聚合物中原位生成不与原子氧反应的无机相制得有机无机/无机杂化材料。该杂化材料具有较好的耐原子氧剥蚀性能，较好地解决了航天器用高分子材料受原子氧剥蚀严重的问题。
一种空间环境原子剥蚀材料制备方法

[发明专利]一种基于LIF的氧原子绝对浓度时域/空域分辨的测试方法及装置-CN201710833099.7有效
发明人：孟松鹤;金华;曾庆轩;许成海;易法军 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LIF的氧原子绝对浓度时域/空域分辨的测试方法及装置，所述测试方法是利用高时域/空域分辨激光诱导荧光检测装置实现的，其包括如下步骤：一、基于双光子激光诱导荧光光谱的氧原子浓度表征；二、NO2化学滴定法对氧原子浓度进行定量标定。本发明通过检测基态氧原子的荧光光谱获得原子相对浓度，结合NO2化学滴定可实现氧原子浓度的定量化测量，配合测试装置中的高空间分辨光路系统和荧光采集系统，实现氧等离子体环境中氧原子绝对浓度的时域
一种基于 lif 氧原子绝对浓度时域空域分辨测试方法装置

[发明专利]一种有机白漆材料原子氧作用下太阳吸收率外推预示方法-CN200910259306.8无效
发明人：李中华;郑阔海;赵琳 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机白漆材料原子氧作用下太阳吸收率(αs)外推预示方法，属于航空航天技术领域。将有机白漆材放入地面原子氧试验设备中，用一定能量和密度的原子氧对材料进行试验；在试验过程中，对有机白漆材的反射率(R)进行测量，获取材料在一定通量原子氧作用下的反射率变化数据；利用αs＝1-R，得到太阳吸收率数据(αs)；对数据进行分析拟合后，建立白漆材料在原子氧作用下的太阳吸收率数学公式；最后，用建立的数学公式外推该有机白漆材料在超过原有原子氧通量作用下太阳吸收率数据(αs)数据。本发明能够快速地获取有机白漆材料在大通量原子氧作用下发射率数据，有效地提高试验效率，降低试验成本。
一种有机材料原子作用太阳吸收率预示方法

[发明专利]用于原子氧散射角分布及侵蚀率测量的试验系统-CN201210219864.3无效
发明人：姜海富;刘向鹏;李涛;孙继鹏;翟睿琼 -专利权人：北京卫星环境工程研究所
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01B21/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于原子氧散射角分布及侵蚀率测量的试验系统，其中散射腔体的下端开口设置在叠置于靶台机构上的铝散射板上，SiO2/Kapton薄膜机械固定在散射腔体的上端开口，Kapton薄膜设置在散射腔体内表面，SiO2/Kapton薄膜中心设置有圆孔，设置在散射腔体上方的原子氧发生系统通过上述圆孔向散射腔体内产生原子氧，散射腔体内的SiO2/Kapton薄膜以及Kapton薄膜表面上分别散落设置有不与原子氧反应起保护作用的NaCl颗粒，散射腔体底部的铝散射板对入射原子氧进行不同角度的散射。该试验系统能够为航天器外露材料原子氧环境效应仿真分析模型及软件参数的设定提供依据，通过该试验系统得到的原子氧侵蚀率测量结果为航天器非暴露表面材料的设计及选择奠定了基础。
用于原子散射角分布侵蚀测量试验系统

[实用新型]一种可重复使用的原子氧探头及探测系统-CN200720190997.7无效
发明人：王云飞;陈学康;李中华;杨生胜;郑阔海;冯展祖;王敬宜 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可重复使用的原子氧探头及探测系统，属于气体探测领域。原子氧作用于探头后，通过测量氧化锌薄膜电阻变化可以得出原子氧束流通量变化，从而达到探测的目的。通过加热器加热，可以使半导体薄膜表面吸附的原子氧脱附，使其电阻值恢复到初始值，从而达到重复使用的目的。本实用新型对原子氧具有良好的响应特性，通过加热，探头具有稳定的重复使用特性，可用于地面原子氧探测和低地球卫星轨道环境中的原子氧探测。
一种重复使用原子探头探测系统

[发明专利]新型含氟二氧戊环化合物及新型含氟聚合物-CN200480029080.8无效
发明人：杉山德英;伊藤昌宏;室谷英介;岡添隆 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： C07D317/22 文献下载
摘要：提供了可作为耐热性、机械强度、透明性以及刚性等特性优良的含氟聚合物的原材料使用的新型含氟二氧戊环化合物以及新型聚合物。其中，Q^f1表示单键、氧原子、碳原子数1～5的全氟亚烷基或者在碳－碳原子间插入了醚性氧原子的碳原子数1～5的全氟亚烷基；X²表示氟原子或者－OR所示的基团，其中R表示氢原子、碳原子数1～5的烷基或者在碳－碳原子间插入了醚性氧原子的碳原子数1～5的烷基。
新型二氧环化聚合物

[发明专利]大辐照面积原子氧束流模拟系统-CN200910217154.5有效
发明人：李涛;姜利祥;郭亮;冯伟泉;刘向鹏;姜海富;秦玮 -专利权人：北京卫星环境工程研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大辐照面积原子氧束流模拟系统，包括水冷式的电磁场系统，可产生最高可达1200高斯的强磁镜场；频率为2.45GHz、功率最高可达1000W的微波发生及传输系统，可在强磁镜场下激发工作氧气电离产生高密度氧等离子体并对其进行拘束；长、短轴长分别为200mm和140mm钼中性化板，用于加速、收集并反射等离子体中的正离子，形成截面积直径大于150mm的定向原子氧束流；水冷系统，可保证原子氧源能长达100小时的不间断稳定工作；真空系统，用于保证原子氧正常工作的真空条件；靶台机构，用于在原子氧束流区内放置试验样品。系统通过冷却、密封、材料选择等方面的措施，保证了装置在较高原子氧束流状态下连续稳定运行的能力。使用本系统能够极大地提高宇航材料的原子氧环境适应试验效率，缩短试验周期、降低试验成本，同时能够突破组件级原子氧试验的技术瓶颈，为更有效地进行航天器设计的可靠性验证提供模拟手段。
辐照面积原子氧束流模拟系统

[发明专利]合成CVD金刚石-CN201510083320.2在审
发明人： D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及合成CVD金刚石以及用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法，所述方法包含提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of＝1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比CfOf满足比率约0.451＜CfOf＜约1.251；其中源气体包含以氢分子H2形式添加的氢原子，占存在的氢、氧和碳原子总数的原子分数为0.05至0.40；和其中所述原子分数Hf、Cf和Of是源气体中存在的氢原子、氧原子和碳原子的总数的分数。
合成 cvd 金刚石

[发明专利]透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置-CN201180049693.8有效
发明人：永元公市;近藤健;永绳智史 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：本发明是透明导电性膜等，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，阻气层由包含硅Si原子、氧O原子和碳C原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅Si原子、氧O原子和碳C原子的含量是，相对于硅Si原子、氧O原子和碳C原子的合计100原子%，硅Si原子18.0～28.0%，氧O原子48.0～66.0%，碳C原子10.0～28.0%，并且，透明导电性膜在40℃90%RH气氛下的水蒸气透过率为
透明导电性制造方法电子装置部件

[发明专利]合成CVD金刚石-CN201080058389.5有效
发明人： D·J·特威切恩;A·M·贝内特;R·U·A·卡恩;P·M·马蒂诺 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积（CVD）方法，所述方法包含：提供基底；提供源气体；使所述源气体离解；和允许在基底上的同质外延金刚石合成；其中所述合成环境包含原子浓度为约0.4ppm至约50ppm的氮；并且其中该源气体包含：a)氢的原子分数Hf，其为约0.40至约0.75；b)碳的原子分数Cf，其为约0.15至约0.30；c)氧的原子分数Of，其为约0.13至约0.40；其中Hf+Cf+Of=1；其中碳的原子分数与氧的原子分数之比Cf:Of满足比率：约0.45:1原子，占存在的氢、氧和碳原子总数的原子分数为0.05至0.40；和其中所述原子分数Hf、Cf和Of是源气体中存在的氢原子、氧原子和碳原子的总数的分数。
合成 cvd 金刚石

[发明专利]共轭二烯系聚合物、共轭二烯系聚合物组合物及共轭二烯系聚合物的制造方法-CN201110047049.9无效
发明人：伊藤真;稻垣胜成 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C08F236/10 文献下载
摘要：聚合物的至少一端被下述式(2)所示的化合物改性，在此，r为0或1，R¹表示具有选自由氮原子、氧原子及硫原子构成的原子组中的至少一种原子的基团或烃基，R²表示具有选自由氮原子、氧原子及硫原子构成的原子组中的至少一种原子的基团，在此，X表示氧原子或硫原子，R³表示具有氮原子和/或氧原子的基团、烃基或氢原子，R⁴表示具有氮原子和/或氧原子的基团
共轭二烯系聚合物组合制造方法

[发明专利]层叠膜及电子器件-CN201280030205.3有效
发明人：长谷川彰 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少一层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少一层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值）/（Q4的峰面积）＜1.0…（I）Q1：与一个中性氧原子及三个羟基键合的硅原子，Q2：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3：与三个中性氧原子及一个羟基键合的硅原子，Q4：与4个中性氧原子键合的硅原子。
层叠电子器件

[发明专利]氧氮化物半导体-CN200880012789.5有效
发明人：板垣奈穗;岩崎达哉;渡边壮俊;田透 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供氧氮化物半导体，其包含金属氧氮化物。该金属氧氮化物含有Zn和选自In、Ga、Sn、Mg、Si、Ge、Y、Ti、Mo、W和Al中的至少一种元素。该金属氧氮化物具有7原子％-80原子％的N的原子组成比N/(N+O)。
氮化物半导体