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[发明专利]高通量气相沉积设备及气相沉积方法-CN201910759403.7有效
发明人：李卫民;俞文杰;朱雷;王轶滢 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种高通量气相沉积设备及气相沉积方法，高通量气相沉积设备包括：反应腔室；旋转工作台，位于反应腔室内；气体导入装置，位于所述反应腔室内，且位于旋转工作台的上方；气体导入装置将反应腔室分割为上部腔室及下部腔室本发明的高通量气相沉积设备只需要使用一套隔离气体供给系统及一套反应气体隔离系统共两套气体供给系统，结构简单，容易实现，且隔离度好。
通量沉积设备方法

[发明专利]气相轴向沉积装置及气相轴向沉积方法-CN200610129070.2无效
发明人：金镇杏;李皓镇;都文显;成在铉;金允镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相轴向沉积装置。所述气相轴向沉积装置包括：第一喷灯、第二喷灯、温度测量单元以及控制器单元。所述第一喷灯在与垂直轴线成直线的烟灰预制棒的末端上沉积烟灰，从而长出纤芯。所述第二喷灯在所述纤芯的外周面上沉积烟灰，从而长出包覆层。所述温度测量单元探测所述烟灰预制棒的端部沿所述垂直轴线的温度分布。所述控制器单元确定探测到的温度分布中的第一和第二相对最高温度T1和T3以及T1和T3之间的相对最低温度T2，并控制T1使其处于预定的范围之内以及控制差值(T1－T2)和(T3－T2)中较大的一个使其不超过预定的温度
轴向沉积装置方法

[实用新型]化学气相沉积炉及化学气相沉积设备-CN201821947553.8有效
发明人：朱伟杰;顾志强;戴建庭;董宁;李强 -专利权人：中化国际（控股）股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学气相沉积炉，包括：炉体，进料口，出料口，进气口，出气口和设置于炉体内部的搅拌结构。本实用新型还包括一种化学气相沉积设备，所述设备包括本实用新型所述的化学气相沉积炉，与所述化学气相沉积炉的进料口可拆卸连接的原料仓，和与所述化学气相沉积炉的出料口可拆卸连接的成品仓。本实用新型通过在化学气相沉积炉内设置搅拌结构，使得物料在炉腔内反复移动，实现均匀的碳包覆；通过将原料仓和成品仓设置为可密封拆卸，实现半连续化生产，提高了生产效率。
化学气相沉积炉本实用新型化学气相沉积设备可拆卸连接成品仓出料口进料口原料仓进气口半连续化生产炉体内部生产效率出气口可密封碳包覆炉腔炉体拆卸移动

[发明专利]真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物-CN200810178706.1无效
发明人：佐野真二;郷原广道;滨敏夫;木村浩 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2008-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物。当客体材料与主体材料之比非常小时，很难非常精确地保持待气相沉积在工件表面上的客体材料的比率和客体材料的分布状态。根据本发明的真空气相沉积装置包括：真空室；设置在真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源；以及用于在真空室内将工件保持在固定状态的工件保持构件，工件具有将从第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的客体材料和主体材料沉积于其上的表面，该真空气相沉积装置还包括：屏蔽件，屏蔽件定位在第一气相沉积源和由工件保持构件保持的衬底之间，且引起在衬底表面上客体材料的气相沉积量小于主体的气相沉积量；屏蔽件驱动机构，屏蔽件驱动机构使屏蔽件绕第一轴线转动且使屏蔽件相对于第二轴线运动
空气沉积装置方法和气沉积物

[实用新型]一种钟罩式气相化学用沉积炉-CN202222520598.X有效
发明人：王勇 -专利权人：成都四盛科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钟罩式气相化学用沉积炉，包括钟罩式气相化学沉积炉、固定压板和安装机构，所述钟罩式气相化学沉积炉直接置于用于支撑的底座上端的中部，连接柱，所述连接柱固定连接在底座上端的左右两侧，所述固定压板用于对钟罩式气相化学沉积炉的下端压紧固定，所述安装机构对称设置在钟罩式气相化学沉积炉的左右两端。该钟罩式气相化学用沉积炉，能够非常便捷的对钟罩式气相化学沉积炉进行夹持固定，防止钟罩式气相化学沉积炉在使用过程中产生晃动，紧固性好，结合固定压板对钟罩式气相化学沉积炉的下端进行压紧限位，使得钟罩式气相化学沉积炉的密封性更好
一种钟罩式气相化学沉积

[实用新型]用于制备硅碳负极材料的化学气相沉积系统-CN201420333149.7有效
发明人：吴清国;权学军;朱玉巧;徐中领 -专利权人：浙江瓦力新能源科技有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备硅碳负极材料的化学气相沉积系统，包括化学气相沉积室、反应气体源供应系统、载气供应系统、可旋转沉积室、废气接收器。所述反应气体源供应系统、载气供应系统与化学气相沉积室连通，所述可旋转沉积室与化学气相沉积室连通；本实用新型能够使沉积复合物在沉积受体表面覆盖均匀，且沉积复合物在沉积受体上的分散性良好。
用于制备负极材料化学沉积系统

[发明专利]气相沉积设备-CN201710505502.3在审
发明人：刘凤举 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相沉积设备，包括腔体、第一电极、第二电极以及进气管，所述腔体上开设有进气口和排气口，所述第一电极、所述第二电极设于所述腔体内且分别接高频交流电和接地，所述第一电极设于所述进气口所在侧，
沉积设备

[发明专利]气相沉积装置-CN202010380106.4在审
发明人：王质武 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种气相沉积装置，包括：反应腔、气体喷淋装置，以及清洗气体通道；所述气体喷淋装置包括反应气体通道，所述反应气体通道包括连通所述反应腔的出口；所述清洗气体通道与所述反应气体通道间隔设置，可以降低所述反应腔内残留生成物的出现机率
沉积装置

[发明专利]气相沉积过程-CN202211030946.3在审
发明人： T.哈坦帕;A.维赫尔瓦亚拉;M.瑞塔拉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的方法，涉及含元素金属或半金属的层，涉及半导体结构和器件，以及涉及用于在衬底上沉积含元素金属或半金属的材料的沉积组件。根据本公开的方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供金属或半金属前体，以及以气相向反应室中提供还原剂，以在衬底上形成含元素金属或半金属的材料。
沉积过程

[发明专利]气相沉积过程-CN202211030927.0在审
发明人： T.哈坦帕;A.维赫瓦拉;M.里塔拉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及通过循环沉积过程在衬底上沉积含过渡金属的材料的方法和设备。该方法包括在反应室中提供衬底，将过渡金属前体以气相提供到反应室中；以及将第二前体以气相提供到反应室中，以在衬底上形成含过渡金属的材料。根据本公开的过渡金属前体包括包含有机膦加合物配体的过渡金属卤化物。
沉积过程

[发明专利]气相沉积设备-CN201510364626.5有效
发明人：苏志玮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及显示器制备技术领域，公开了一种气相沉积设备，提高了设备的使用方便性，减少了背板上阴影效应的现象的发生。气相沉积设备，包括真空腔室，位于真空腔室内的背板、位于背板上方的金属掩膜以及用于支撑背板的基座，金属掩膜上设有抗等离子体涂布层，还包括位于基座两个相对侧的夹持机构，每个夹持机构用于夹持金属掩膜的一端以将金属掩膜拉开
沉积设备

[发明专利]气相沉积设备-CN201410336100.1有效
发明人：李成用;奇圣勋;金仁教;张喆旼;许明洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种气相沉积设备，所述气相沉积设备包括：基底安装单元，基底安装在基底安装单元上；多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的方向注入第一原材料；多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，沿着基底安装单元的所述方向注入第二原材料
沉积设备

[发明专利]气相沉积装置-CN202010660017.5有效
发明人：王磊磊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种气相沉积装置，包括：下腔罩组件；上腔罩，上腔罩装配在下腔罩组件的上方，包括上腔罩板、自上腔罩板沿径向向外延伸的第一延伸部和自上腔罩板沿轴向且向下腔罩组件延伸的第二延伸部，且第一延伸部在高度上处于上腔罩板的上方根据本申请的气相沉积装置，直线传播的红外线将不会照射到第一密封圈上，这样第一密封圈的老化速度将会大幅减慢，这有助于减少停机频率。
沉积装置

[发明专利]气相沉积设备-CN202211601478.0有效
发明人：马保群;陈涛 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及气相沉积设备，包括：腔体，基台包括台面和基轴，台面位于腔体内，基轴连接台面下表面，基轴穿过腔体连接有调节板；行星组件包括旋转架，旋转架内周设置有内齿圈，旋转架底面中心与旋转轴心转动连接，旋转轴心安装在支撑板上
沉积设备

[发明专利]气相沉积系统-CN200810110795.6无效
发明人：詹世雄;曾坚信 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种气相沉积系统，其包含：一离子产生区、一反应腔，以及一置于该产生区与该反应腔之间的多孔管。该产生区提供一第一元素的等离子。该多孔管将该第一元素的等离子及一第二元素汇集导入该反应腔。该第一元素的等离子及该第二元素于该反应腔中与一基板进行化学气相磊晶使成长一薄膜层。
沉积系统