专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种样片的自动研磨装置-CN202122028701.4有效
  • 陆海凤;柯尊斌;陶晨 - 中锗科技有限公司
  • 2021-08-26 - 2022-02-22 - B24B37/10
  • 本实用新型公开了一种样片的自动研磨装置,包括配套使用的磨装置和精磨装置;磨装置包括磨盘、第一连杆装置、升降机构和第一模具;升降机构驱动第一连杆装置上下移动、同时带动第一模具在磨盘上往复移动;第一模具底部设有第一样片槽本实用新型样片的自动研磨装置,实现了磨和精磨的机械化,显著提高了研磨的一致性结和研磨效率,节约了成本,降低了劳动强度,提高了研磨质量。
  • 一种样片自动研磨装置
  • [发明专利]提纯硅的装置-CN201910994763.5有效
  • 李超 - 衡水学院
  • 2019-10-18 - 2020-06-05 - C30B29/06
  • 所述装置首先将硅与可与硅形成过共或者过包的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中,利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度,结合行波磁场控制初生单质硅在过共合金系中的结晶过程,提高初生单质硅的生长界面稳定性首先制备的材为初生单质硅在中心,助熔金属在外侧的结构。然后,在顶部高温区实现硅的过饱和溶解,再借助行波磁场发生器的往复运动,实现中心初生单质硅化长大。生长完毕且冷却后,切掉头部金属吸杂区域。
  • 提纯装置
  • [发明专利]提纯硅的方法-CN201910993944.6有效
  • 李超 - 衡水学院
  • 2019-10-18 - 2020-06-05 - C30B29/06
  • 所述方法首先将硅与可与硅形成过共或者过包的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中,利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度,结合行波磁场控制初生单质硅在过共合金系中的结晶过程,提高初生单质硅的生长界面稳定性首先制备的材为初生单质硅在中心,助熔金属在外侧的结构。然后,在顶部高温区实现硅的过饱和溶解,再借助行波磁场发生器的往复运动,实现中心初生单质硅化长大。生长完毕且冷却后,切掉头部金属吸杂区域。
  • 提纯方法
  • [实用新型]一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置-CN201420066579.7有效
  • 杨秀凡;张殿喜;兰洵;周士芸;闫万珺;陈召松;杨丽;邓永荣;周鹏 - 安顺学院
  • 2014-02-14 - 2014-09-03 - C30B29/06
  • 本实用新型公开了一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置,包括铸锭炉及设置于铸锭炉上的测量部件,所述测量部件由固定支架及安装在固定支架上的长组成,所述长包括测量部分及操作读数部分,且操作读数部分设置为花纹状结构,所述固定支架包括安装板及固定在安装板上的支撑立柱,在支撑立柱上端固定有横杆,在横杆末端设置有固定。采用本实用新型,解决了长易于滑落掉进铸锭炉内、测量读数误差的问题,同时可采用双手操作长,提高了测量的稳定性,避免单手操作时长易粘连在铸锭炉内造成事故;由于在长棒操作读数部分增加测量读数刻度
  • 一种铸锭多晶晶体生长测量装置
  • [发明专利]圆夹盘-CN201310436832.3在审
  • 王坚;杨贵璞;王晖 - 盛美半导体设备(上海)有限公司
  • 2013-09-22 - 2015-03-25 - H01L21/687
  • 本发明揭示了一种圆夹盘,包括:夹盘本体、支撑轴及金属膜厚度测量装置。夹盘本体具有承载圆的正面和与正面相对的背面,夹盘本体开设有至少一个安装孔。金属膜厚度测量装置测量圆上金属膜的厚度,金属膜厚度测量装置包括至少一个电涡流传感器,电涡流传感器安装于夹盘本体的安装孔内。支撑轴上设有两个间隔一定距离的导电,支撑轴的一侧设置有止挡件,两个石墨夹持于止挡件与导电之间,每个石墨的一端抵接于一导电,该石墨的另一端与止挡件相连接,电涡流传感器分别与两个导电电连接,两个导电分别与各自相对应的石墨电连接
  • 晶圆夹盘

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