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[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管-CN202221895534.1有效
发明人：高旭 -专利权人：武汉派思半导体有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片以及管壳；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间三维堆叠互联，且封装于管壳内。本实用新型的有益效果是：使用绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片三维堆叠的方式，可以有效减小电路的尺寸，并有效降低芯片互连带来的寄生参数，从而提升绝缘栅双极型晶体管器件的开关波形质量，缩小器件尺寸，减小开关损耗
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管-CN201310374500.7有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。
向导绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]一种无间隙雷电冲击电压发生器-CN201320549477.6有效
发明人：李建明;罗涛;周慧莹;张榆;任小花 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无间隙雷电冲击电压发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边的一端接地，另一端和绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极相连，绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极和保护电阻r串联，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极经过放电电阻rt至充电电容C的正极，充电电容C的负极连接在绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，所述充电电容C的正极经过波前电阻rf后连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。
一种间隙雷电冲击电压发生器

[发明专利]基于绝缘栅双极型晶体管的双向功率变换系统及变换方法-CN201811194588.3在审
发明人：叶楚安;张燎;黄康帝;张恩泽;郭莉 -专利权人：深圳市安和威电力科技股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明属于电压转换系统技术领域，公开了一种基于绝缘栅双极型晶体管的双向功率变换系统及变换方法，系统设置有电路板，电路板上端安装有电流检测器，电流检测器下端电连有电流保护器，电流保护器下端电连有绝缘栅双极型晶体管芯片，绝缘栅双极型晶体管芯片下端电连有续流二极管芯片，电路板两端锡焊有绝缘栅型场效应管与双极型三极管，绝缘栅型场效应管、双极型三极管分别与绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片电连接。
绝缘栅双极型晶体管芯片电连下端绝缘栅双极型晶体管绝缘栅型场效应管双极型三极管双向功率变换电路板电流保护器电流检测器续流二极管直流电压利用率电压转换系统输出电压可调电路板两端芯片电连接充电功率充电模式负载扰动双向流动系统设置能力强上端锡焊电池芯片

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管-CN202020082994.7有效
发明人：葛孝昊;史波;曾丹;陈茂麟 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管。该绝缘栅双极型晶体管包括圆形元胞，多个圆形元胞阵列排布并且栅极相互连通。圆形元胞包括：沟槽栅，沟槽栅呈环形且沿圆形元胞的外周周向分布；N+有源区，N+有源区呈圆柱状，其位于沟槽栅的环形以内；以及P阱，P阱呈圆柱状，其位于沟槽栅的环形以内，且P阱位于N+有源区的下方。由于采用了圆形元胞结构，绝缘栅双极型晶体管的N+有源区面积大、沟槽栅密度大、电流密度高且导通压降小，使得绝缘栅双极型晶体管面积小且工作时耗损小，有利于降低芯片面积和提高绝缘栅双极型晶体管的使用寿命。
一种绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]IGBT过流保护电路及感性负载控制电路-CN201220158789.X有效
发明人：李巨林 -专利权人： TCL空调器（中山）有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IGBT过流保护电路及感性负载控制电路，其中IGBT过流保护电路包括绝缘栅双极型晶体管、IGBT驱动电路、负载电感、用于为负载电感提供工作电压的供电电源、以及用于当IGBT过流保护电路出现过流或短路故障时减小绝缘栅双极型晶体管的栅极电压的下降速度的IGBT栅极降压控制电路，负载电感的一端与供电电源连接，负载电感的另一端与绝缘栅双极型晶体管的漏极连接，绝缘栅双极型晶体管的源极接地，IGBT栅极降压控制电路与绝缘栅双极型晶体管的栅极以及绝缘栅双极型晶体管的漏极连接
igbt 保护电路感性负载控制电路

[实用新型]反激式电源适配器电路-CN202020144523.4有效
发明人：郑俊杰;张程龙 -专利权人：华源智信半导体(深圳)有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种反激式电源适配器电路，包括绝缘栅双极型晶体管、栅极驱动电压调节电路、栅极驱动电流调节电路和栅极放电电流调节电路；所述栅极驱动电压调节电路可调节所述绝缘栅双极型晶体管的栅极驱动电压；所述栅极驱动电流调节电路可调节所述绝缘栅双极型晶体管的栅极驱动电流；所述栅极放电电流调节电路可调节所述绝缘栅双极型晶体管的栅极放电电流。本申请实施例可减少绝缘栅双极型晶体管的电流拖尾，从而可提高工作频率。
反激式电源适配器电路

[发明专利]一种无间隙雷电冲击电流发生器-CN201310399042.2无效
发明人：李建明;郭蓉萍;陈少卿;张榆;王姝欢 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种雷电冲击电流发生装置，具体涉及一种无间隙雷电冲击电流发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地，另一端连接绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极连接依次串接整流器DZ和充电电阻R，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极连接至充电电容C的正极，充电电容C的负极接地，所述绝缘栅双极型晶体管VT的发射极连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。
一种间隙雷电冲击电流发生器

[实用新型]一种无间隙雷电冲击电流发生器-CN201320549127.X有效
发明人：李建明;郭蓉萍;陈少卿;张榆;文丽 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种雷电冲击电流发生装置，具体涉及一种无间隙雷电冲击电流发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边一端接地，另一端连接绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极连接依次串接整流器DZ和充电电阻R，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极连接至充电电容C的正极，充电电容C的负极接地，所述绝缘栅双极型晶体管VT的发射极连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述绝缘栅双极型晶体管VT0的栅极G0和绝缘栅双极型晶体管VT的栅极G均连接至驱动电路。
一种间隙雷电冲击电流发生器

[发明专利]智能功率模块和具有其的电子设备-CN202310188449.4在审
发明人：李正凯;周文杰;成章明;谢地林;刘剑 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能功率模块和具有其的电子设备，包括：低压驱动芯片和高压驱动芯片，高压驱动芯片集成有自举升压模块；低压绝缘栅双极型晶体管和低压二极管，低压绝缘栅双极型晶体管分别与低压驱动芯片和低压二极管电连接；高压绝缘栅双极型晶体管和高压二极管，高压绝缘栅双极型晶体管分别与高压驱动芯片和高压二极管电连接；高压绝缘栅双极型晶体管为至少两个，至少两个相邻的高压绝缘栅双极型晶体管的漂移层构造成一体件；高压二极管为至少两个，至少两个相邻的高压二极管的外延层构造成一体件。
智能功率模块具有电子设备

[发明专利]一种无间隙雷电冲击电压发生器-CN201310398742.X无效
发明人：李建明;罗涛;周慧莹;张榆;文艺 -专利权人：国家电网公司;国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种无间隙雷电冲击电压发生器，包括主边和充电电源相连的供电变压器T，供电变压器T的副边的一端接地，另一端和绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极相连，绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极和保护电阻r串联，再连接至绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，绝缘栅双极型晶体管VT的集电极经过放电电阻rt至充电电容C的正极，充电电容C的负极连接在绝缘栅双极型晶体管VT的发射极，所述充电电容C的正极经过波前电阻rf后连接至高压试品ZX的一端，高压试品ZX的另一端接地，其中所述供电变压器T连接在绝缘栅双极型晶体管VT0的发射极，充电电阻R连接在绝缘栅双极型晶体管VT0的集电极等特征。
一种间隙雷电冲击电压发生器

[发明专利]单相H桥逆变器的波形发生方法-CN201510232380.6在审
发明人：单升华;苗永强 -专利权人：北京阿启蒙技术有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明提供了一种单相H桥逆变器的波形发生方法，单相H桥逆变器包括四个绝缘栅双极型晶体管，波形发生方法包括：系统上电；脉冲宽度调制波形发生中断后，将单相H桥逆变器的四个绝缘栅双极型晶体管根据配置规则进行设置，配置规则为：H桥中的其中一个绝缘栅双极型晶体管为常开，与之相对角的另外一个绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制，其他的两个绝缘栅双极型晶体管为常关；所述四个绝缘栅双极型晶体管轮流进行脉冲宽度调制。
单相逆变器波形发生方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的保护电路-CN201210157871.5有效
发明人：张晋芳;陈广泰;刘志敏;杨春宇;马瑞;王翠云 -专利权人：永济新时速电机电器有限责任公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管的保护电路。该绝缘栅双极型晶体管的保护电路包括：控制单元、可变栅极电阻、退饱和保护电路、di/dt保护电路、箝位控制电路及故障反馈电路。本发明通过设置所述控制单元实现了对绝缘栅双极型晶体管的智能保护，主要表现在：所述可变栅极电阻可在所述控制单元的控制下改变阻值，有效地减少绝缘栅双极型晶体管器件的导通关断损耗；所述退饱和保护电路、di/dt因此，本发明提供的绝缘栅双极型晶体管的保护电路，保护功能更加完善，绝缘栅双极型晶体管故障率低。
绝缘栅双极型晶体管保护电路

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管的保护电路-CN201220228507.9有效
发明人：张晋芳;陈广泰;刘志敏;杨春宇;马瑞;王翠云 -专利权人：永济新时速电机电器有限责任公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H02H7/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种绝缘栅双极型晶体管的保护电路。该绝缘栅双极型晶体管的保护电路包括：控制单元、可变栅极电阻、退饱和保护电路、di/dt保护电路、箝位控制电路及故障反馈电路。本实用新型通过设置所述控制单元实现了对绝缘栅双极型晶体管的智能保护，主要表现在：所述可变栅极电阻可在所述控制单元的控制下改变阻值，有效地减少绝缘栅双极型晶体管器件的导通关断损耗；所述退饱和保护电路、di因此，本实用新型提供的绝缘栅双极型晶体管的保护电路，保护功能更加完善，绝缘栅双极型晶体管故障率低。
绝缘栅双极型晶体管保护电路

[实用新型]集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路-CN201922181374.9有效
发明人：张博超;陈和辉;陈定武;黎鸿华;贺凯;卜韩萍;朱永哲;曹文亮 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路。该集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路包括主控电路和同步电路。所述主控电路包括直流电源、至少两个绝缘栅双极型晶体管、与各个所述绝缘栅双极型晶体管对应设置的至少两个感应加热电路、以及与所述至少两个绝缘栅双极型晶体管连接的驱动电路。这种集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路集成了驱动电路，驱动电路只需一个驱动信号就能驱动多个IGBT，减小了PCB的面积，而且抗干扰能力变强，避免了异常开通。
集成绝缘栅双极型晶体管电路