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[发明专利]柔性太阳能电池和组件的阻挡层结构及制备方法-CN201910358944.9有效
发明人：李伟民;罗海林;杨春雷 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性太阳能电池和组件的阻挡层结构及制备方法。该阻挡结构包括：柔性金属衬底；杂质阻挡层，设置于所述柔性金属衬底上；背电极层，设置于所述杂质阻挡层上；其中，所述杂质阻挡层包括叠层设置的导电阻挡层和绝缘阻挡层，所述绝缘阻挡层中设置有导电通道，所述导电通道用于电导通所述柔性金属衬底和所述背电极层该阻挡结构可以有效减少衬底中的Fe、Cr等杂质元素以及金属阻挡层中的杂质元素的向CIGS吸收层中的扩散，并且获得较好的附着力；同时绝缘阻挡层上形成有序的电流传输通道并且不损失导电阻挡层，从而有利于制备外联式柔性
柔性太阳能电池组件阻挡结构制备方法

[发明专利]显示设备和制造其的方法-CN202110244518.X在审
发明人：姜旻炅;苏炳洙;郑在祐;白种埈;奥村展 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：制造显示设备的方法包括：在支撑基板上形成第一基板；在第一基板上形成第一阻挡层；以及通过在第一基板的至少一部分和第一阻挡层中注入n型杂质或p型杂质来形成导电层。显示设备包括布置在基板上的导电层和布置在导电层上的第一阻挡层。当第一阻挡层掺杂有n型杂质时，导电层掺杂有n型杂质，并且当第一阻挡层掺杂有p型杂质时，导电层掺杂有p型杂质。
显示设备制造方法

[实用新型]铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极-CN201821321117.X有效
发明人：彭寿;夏申江;车兆华;黄海青;王伟健;张道清;周建民;徐根保;陈颉 -专利权人：蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极，包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层；杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金属导电层为Cu或Cu合金；硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层，单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼，复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成；在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层，杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散；硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层的稳定性。
金属导电层阻挡层杂质阻挡层背电极铜铟镓硒薄膜太阳能电池复合阻挡层铜钼合金氮化钼氧化钼衬底铜铟镓硒薄膜本实用新型硅氮氧化物扩散光吸收层硅氮化物硅氧化物依次层叠铜合金硒元素引入

[实用新型]一种带有聚氨酯防尘圈的密封圈-CN200920175519.8无效
发明人：张明森 -专利权人：青岛开世密封工业有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： F16J15/16 文献下载
摘要：一种带有聚氨酯防尘圈的密封圈，它包括内油封和杂质阻挡支撑环，所述杂质阻挡支撑环半包覆住内油封的外侧；所述杂质阻挡支撑环和内油封之间设有聚氨酯防尘圈。本实用新型通过增加聚氨酯防尘圈来增加抵御外部杂质的能力；改进后橡胶密封圈因为杂质进入造成失效的现象大大降低，寿命明显提高。
一种带有聚氨酯防尘密封圈

[发明专利]优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法-CN201711131881.0有效
发明人：王晓东;王兵兵;陈雨璐;张传胜;张皓星;周德亮;侯丽伟;俞旭辉 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供的一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法，包括如下步骤：将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中；测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流I_BG随正电极偏压U变化的曲线，并确定探测器的击穿电压U_BD；获取背景电流I_BG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线I_BG(T)；测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流I_BB随正电极偏压U变化的曲线；获取黑体响应电流I_BB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线I_BB(T)；根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度本发明对制备的阻挡杂质带探测器进行数据采集及数据处理得到最佳工作温度，进而根据优化后的结果设置阻挡杂质带探测器的工作温度，性能将具有最优值。
探测器杂质带阻挡黑体背景电流响应电流正电极优化工作温度变化击穿电压结果设置曲线确定数据采集数据处理恒温器封装制备测量

[发明专利]优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法-CN201610125888.0有效
发明人：王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;谢巍;关冉;臧元章;汪瑞;周德亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法，首先通过数值模拟及数据拟合得到阻挡杂质带探测器的最佳阻挡层厚度，该厚度能使探测器获得高响应率的同时也具有低的噪声，进而根据优化后的结果设计并制作了高性能阻挡杂质带探测器该方法的优点在于，可以针对不同材料体系及不同外延工艺得到的阻挡杂质带探测器提取出相应的最佳阻挡层厚度，由此设计的探测器性能将具有最优值，从而避免为了提高器件性能而进行反复试片，极大地降低了研发成本。
优化阻挡杂质探测器厚度方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极及其制备方法-CN201810934638.0在审
发明人：彭寿;夏申江;车兆华;黄海青;王伟健;张道清;周建民;徐根保;陈颉 -专利权人：蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极，包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层；杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金属导电层为Cu或Cu合金；硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层，单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼，复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成；采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备；在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层，杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散；硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层的稳定性。
金属导电层阻挡层杂质阻挡层背电极衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池复合阻挡层铜钼合金氮化钼氧化钼制备铜铟镓硒薄膜硅氮氧化物扩散磁控溅射光吸收层硅氮化物硅氧化物依次层叠结构层铜合金硒元素沉积引入

[实用新型]一种新型市政污水环保过滤装置-CN202122468582.4有效
发明人：魏友超 -专利权人：东莞广为环保消防科技有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型市政污水环保过滤装置，其结构包括底架和阻挡装置，本实用新型通过设置了阻挡装置，即在阻挡装置内部筛板作用下，可实现污水内部较大杂质的阻挡，避免较大杂质随污水内部到过滤装置内部，从而达到较大垃圾阻挡清理，避免较大垃圾影响过滤效率的优点，在承接框左侧上端设置了拉动组件，即转盘带动导板，使拉杆进行筛板拉动，并在压簧与弹簧片配合下，使筛板实现阻挡振散，避免堵塞，从而达到了较大物体振散，避免筛板堵塞的优点，且在阻挡箱左侧下端设置了升降组件，即在移动板与齿轮传动下，可使连接板下拉导杆，进而导杆可实现筛板下移，来加快杂质清理效率，从而达到了实现阻挡杂质快捷清理的优点。
一种新型市政污水环保过滤装置

[实用新型]高纯无氧硒真空精馏制备装置-CN201420696282.9有效
发明人：陈直;郑林;李公权 -专利权人：四川鑫龙碲业科技开发有限责任公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯无氧硒真空精馏制备装置，包括相互独立的蒸馏坩埚（1）和冷凝结晶管（2），蒸馏坩埚（1）和冷凝结晶管（2）之间设置杂质阻挡层；杂质阻挡层包括阻挡层外环（3）和内置板（4），其中，所述内置板（4）上放置表面粗糙的石英阻挡环或石英阻挡层（5），硒蒸气通过杂质阻挡层，其中的杂质元素被有效阻挡或吸附过滤，从而大大降低了硒蒸气中的杂质含量，纯化后的硒蒸气在上部的冷凝结晶管（2）中结晶析出，该产品在常温下可以直接从冷凝结晶管中轻松取出
高纯无氧硒真空精馏制备装置

[实用新型]一种管道过滤结构-CN201922164065.0有效
发明人：冯亮;刘斌;文云;严永利;刘庆 -专利权人：成都天龙油墨有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B01D35/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管道过滤结构，包括过滤主管、过滤支管、过滤筛组件；所述过滤支管设置在过滤主管上，过滤支管与过滤主管成一定的锐角设置，所述过滤筛组件与过滤支管相匹配设置，过滤筛组件可拆卸的设置在过滤支管中，大颗粒杂质会沉积在到过滤筒的底部位置，保证了过滤筒内部表面的有效过滤面积，且由于颗粒杂质自动冲刷沉积到过滤筒的底部位置，阻挡网将滤液再次进行二次过滤，所述阻挡网的网孔比过滤筒的网孔密度更小，阻挡网能过滤更小的杂质，当阻挡网表面沉积杂质时，将过滤筛组件取出后，用刷体对阻挡网表面杂质进行去除，最大程度的保证了最终滤液内无杂质。
一种管道过滤结构

[发明专利]一种基于绿色环境建设的工业废水分流处理设备-CN202210955976.9在审
发明人：惠肖锋 -专利权人：惠肖锋
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B01D29/64 文献下载
摘要：检查箱下端嵌固在分流机构上端，控制箱安装于分流机构侧面，本发明公开了一种基于绿色环境建设的工业废水分流处理设备，通过控制箱对活动结构进行控制，避免对过滤板的过滤分流产生堵塞，且在引导板的倾斜引导效果下产生涡轮状流通，对粘合阻挡哎过滤板侧面的杂质进行分离，使废水在分流过滤时产生规则的流通，避免废水朝一个方向流通时受到杂质的阻挡，受力结构转动时在废水中的杂质被支撑环牵引，且废水通过弧形板时，杂质被阻挡结构侧面进行阻挡挤压，防止废水中的杂质产生堵塞，同时通过过滤环对废水进行再次过滤，使废水中的杂质卡合阻挡在支撑环内部，防止杂质覆盖在过滤板侧面产生堵塞。
一种基于绿色环境建设工业废水分流处理设备

[实用新型]一种屋顶雨水收集装置-CN202223092283.6有效
发明人：肖康平;苏阿舍 -专利权人：肖康平
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： E03B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及雨水回收再利用技术领域，且公开了一种屋顶雨水收集装置，包括安装于进水槽上的虹吸进水组件，所述虹吸进水组件的外侧设有杂质阻挡组件，所述杂质阻挡组件包括上挡罩，下过滤罩，设置于所述上挡罩的下方，漂浮板，设置于所述下过滤罩的底部；在未下雨时，杂质阻挡组件中的上挡罩位于虹吸进水组件上端的外侧，可对虹吸进水组件的上端进行遮挡保护，避免虹吸进水组件的上端暴露于外界，避免阳光直射或灰尘等杂质侵蚀虹吸进水组件的上端，在下雨时，在杂质阻挡组件可在浮力的作用下漂浮，使下方的下过滤罩处于虹吸进水组件上端的外侧，使雨水可通过下过滤罩进入虹吸进水组件内，使下过滤罩对杂质进行阻挡，避免杂质堵塞内部管路。
一种屋顶雨水收集装置

[发明专利]集成电路的形成方法-CN200710087827.0无效
发明人：杨忠恒;许义明;杨胜杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：为解决布局造成的阱区邻近效应等问题，本发明提供一种集成电路的形成方法，包括：提供半导体衬底；在上述衬底的上方形成杂质再注入阻挡层；在上述杂质再注入阻挡层上方形成掩模；图案化上述掩模以形成开口，其中从上述开口中暴露出一部分上述杂质再注入阻挡层；进行杂质注入步骤，导入杂质于上述开口下方的一部分上述半导体衬底中，以形成阱区；去除上述掩模；以及去除上述杂质再注入阻挡层。
集成电路形成方法

[实用新型]一种水利阀门结构-CN202320206931.1有效
发明人：苏挺 -专利权人：安徽易皖建筑工程有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01D35/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水利阀门结构，涉及到阀门技术领域，包括阻挡机构、阀门主体，阀门主体上具有连接管道，连接管道远离阀门主体的一侧连接有法兰，阻挡机构安装在连接管道上，阻挡机构包括收集盒、阻挡盒、固定架以及操作块，收集盒可拆分安装在阻挡盒的底部，固定架固定设置在阻挡盒的上方，操作块活动安装在固定架的内部。本实用新型得益于刮片与阻挡板的配合，对滤网杂质进行刮除时，可及时将杂质送出，避免杂质残留，清洁质量高，同时通过刮片的可复位设置，在清洁后的刮片可自动复位至滤网的上方，而阻挡板也通过自身的弹性设置翻转复位将收集口闭合，整体使用操作方便，既提升了杂质的清洁质量，同时整体使用过程也极为方便。
一种水利阀门结构

[发明专利]用于N型锗晶体管的源极和漏极掺杂剂扩散阻挡部-CN202111294043.1在审
发明人： K·甘古利;R·基奇;H·肯内尔;W·拉赫马迪;A·阿格拉瓦尔;G·格拉斯;A·默西;J·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：高纯度Ge沟道N型晶体管包括将沟道与重掺杂有N型杂质的Ge源极和漏极分开的基于Si的阻挡材料。阻挡材料可以具有纳米厚度，并且还可以掺杂有N型杂质。由于Si的含量，N型杂质在阻挡材料内具有较低的扩散率，并且可以防止其进入高纯度Ge沟道材料。除了Si之外，阻挡材料还可以包括C。通过阻挡材料，N型晶体管可以显示出更高的沟道迁移率和减少的短沟道效应。
用于晶体管掺杂扩散阻挡

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