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[发明专利]奥氏体系不锈钢箔-CN201680046533.0有效
发明人：海野裕人;佐胁直哉;藤本直树;福田将大;宇野智裕;稻熊彻 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明的奥氏体系不锈钢箔，其特征在于，板厚为5μm以上60μm以下；再结晶率为90％以上100％以下；具有织构，所述织构是在测定视场内与{112}＜111＞取向的取向差为10°以内的晶体取向的面积率、与{110}＜112＞取向的取向差为10°以内的晶体取向的面积率、和与{110}＜001＞取向的取向差为10°以内的晶体取向的面积率的合计为20％以下的织构。
奥氏体不锈钢

[发明专利]一种选择性发射极太阳电池的制备方法-CN201210171390.X有效
发明人：金井升;王单单;蒋方丹 -专利权人：上饶光电高科技有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极太阳电池的制备方法，含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化
一种选择性发射极太阳电池制备方法

[发明专利]铟镁内凹微晶复合层表面织构-CN201410481282.1有效
发明人：林绍义 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2014-09-20 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： B32B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镁内凹微晶复合层表面织构,所述的铟镁内凹微晶复合层表面织构其特征在于:本发明的铟镁内凹微晶复合层表面织构是在零件设一表面材料层，表面材料层的金相组织具有含铟超过50%(Wt%)且铟和镁的总含量超过55%(Wt%)的内凹槽状或内凹通孔状微晶，内凹槽状或内凹通孔状微晶数量为表面材料层的组成晶体总数的15%以上；基体材料可为其它成份和其它形状金相组织，零件表面材料层和基体材料成为一体，形成铟镁内凹微晶复合层；在具有铟镁内凹微晶复合层的零件表面加工表面织构，表面织构由许多表面织构单元组成，形成铟镁内凹微晶复合层表面织构。
铟镁内凹微晶复合表面

[发明专利]铟复合微晶凸点织构包激光晶体工艺-CN202110718173.7在审
发明人：林逸彬;黄如娟;林绍义;林雪莲 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本发明公开了铟复合微晶凸点织构包激光晶体工艺,其特征在于:用不大于1N的力将铟复合微晶凸点织构层平整均匀且无皱折包在激光晶体周围，其中铟复合微晶凸点织构层为含铟超过60%(Wt%)且含铁超过8%(Wt%每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%(Wt%)且含铁超过8%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)；将包好的铟复合微晶凸点织构层平整放入激光器结构件的凹槽内，将金属压块压紧在铟复合微晶凸点织构层上方，用激光焊接方式将金属压块与激光器结构件固定一起。
复合微晶凸点织构包激光晶体工艺

[发明专利]α钛变形过程介观应力和织构的半定量预测及可视化方法-CN202110510302.3有效
发明人：甄良;孟金奎;姜建堂;刘丽 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种α钛变形过程介观应力和织构的半定量预测及可视化方法，属于材料塑性变形技术领域。本申请以代表体积元RVE为载体建立晶体塑性模型，将EBSD表征或XRD测量获得织构导入代表体积元RVE，代表体积元RVE由钛合金α相组成，包含了原始实验材料的织构信息，随后进行的晶体塑性仿真考虑了α钛合金的滑移和孪生变形行为，可以获得并可视化材料在多种外载荷作用下的介观应力、织构演化信息，对于研究α钛合金变形过程的介观应力演化以及介观应力诱发裂纹的萌生和扩展问题至关重要。
变形过程应力定量预测可视化方法

[发明专利]晶体微观织构取向的获取装置与获取方法-CN201910624897.8有效
发明人：张真;郭朋;彭金华;黄继安;陈畅;王珊;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：针对传统微观织构测试技术（SEM‑EBSD）无法测量大塑性变形样品或纳米晶粒尺度样品微观织构的技术缺点，本发明提供一种基于透射电子显微镜（TEM）的晶体微观织构取向的获取装置与获取方法，所述获取装置由样品切割设备、样品夹持设备、图像采集设备、角度采集设备和计算机组成；所述获取方法能够最终计算获得所测区域的微观织构欧拉角度(φ1,Ф,φ2织构，并且可以针对任何大塑性变形样品及纳米尺度样品，能够克服传统扫描电镜背散射衍射技术空间分辨率有限和大应变量样品标定率低的问题。
晶体微观取向获取装置方法

[发明专利]一种多晶体金属材料的屈服准则获取方法-CN202010392582.8有效
发明人：夏大彪;刘伟;徐龙;赵聪聪;冯上样 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶体金属材料的屈服准则获取方法，包括步骤：S1.获取多晶体材料的拉伸和压缩力学性能曲线；S2.测定多晶体材料的织构取向分布数据，并对取向分布数据进行分块组分化处理；S3.根据所得力学性能曲线和织构取向分布数据计算得到多晶体的各种变形机制初始屈服被激活所需的临界剪切力；S4.指定一个特定加载条件，计算出考虑晶间变形协调效应的情况下每个织构组分的屈服强度：S5.计算指定加载条件下的等效屈服强度；S6.循环执行步骤S4、S5，直到遍历所有加载条件，得到所有加载条件下多晶体材料的等效屈服强度，获得该多晶体材料的屈服准则；该方法得到的屈服准则精确度高且计算量少，实用性强。
一种多晶体金属材料屈服准则获取方法

[发明专利]CMOS半导体器件及其制造方法-CN201110389208.3有效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS半导体器件，包括：NMOS晶体管，其衬底具有(100)/<110>织构；PMOS晶体管，其衬底外延生长在该NMOS晶体管衬底上，具有(110)/<111>织构；反应离子刻蚀工艺形成的沟槽，形成于该PMOS晶体管衬底上，其深度与该PMOS衬底厚度相等；GeSi外延层，生长在该沟槽中，其厚度至少可填满该沟槽深度。
cmos 半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种[100]方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法-CN201710975109.0有效
发明人：胡登卫;康芳;赵青;苗磊;张珍;王艳;程花蕾;凡明锦;杨得锁;王晓玲 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种[100]方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法。该方法以二维钛酸钡介观晶体和钛酸钡粉末为原料，采用流延法将浆料制备膜片，膜片制成生坯后经过热处理，得到[100]方向织构化钛酸钡陶瓷。该方法利用压电材料各向异性和介观晶体的拓扑介观转变，制备钛酸钡压电陶瓷；该方法以径高比大、取向性良好的片状钛酸钡介观晶体为反应模板，克服了传统钛酸钡颗粒随机生长性，得到的[100]方向的织构陶瓷材料能够极大提高钛酸钡陶瓷的压电性能
一种 100 方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法

[发明专利]包括磁各向异性增强层和结晶阻碍层的垂直MTJ堆叠体-CN201380043271.9有效
发明人： K·奥乌兹;M·L·多齐;B·多伊尔;U·沙阿;D·L·肯克;R·戈利扎德莫亚拉德;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。
包括各向异性增强结晶阻碍垂直 mtj 堆叠

[发明专利]制备拥有{110}或{100}织构的碱金属电极和3D集流体-CN202310066514.6在审
发明人：李泉;胡希韬 -专利权人：香港中文大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：一种制备用作电极的锂箔或钠箔的方法，包括施加大部分为{110}或{100}晶体取向的晶面织构。对于锂{110}箔，将厚度约为600μm的原始箔加热至约90℃以使晶体取向随机化，并在冷却后将箔轧制至约300μm。该电极可用于电池中，相对于具有缺乏晶面织构的锂负极的锂电池，极大地延长了电池的使用寿命。碱金属可以是电化学沉积在如碳布等3D支架上的锂，沉积的碱金属具有{110}晶面织构。
制备拥有 110 100 碱金属电极流体

[发明专利]在稳恒磁场下定向凝固控制晶体取向的方法及装置-CN201510254292.6有效
发明人：李喜;李寒骁;杜大帆;关光;张雷 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种在稳恒磁场下定向凝固控制晶体取向的方法及装置，将含有各向异性晶体的金属和合金放入稳恒磁场下定向凝固装置中，对于某一晶体的易生长方向和易磁化方向不是同一方向，则利用稳恒磁场和定向凝固分别使易生长方向和易磁化方向形成织构，即，当晶体在定向凝固过程中完成易生长方向沿热流相反方向取向时，根据晶体学特点，在定向凝固过程中，沿某一角度施加稳恒磁场，使其易磁化方向转向磁场方向，达到使多晶体形成多晶向织构，本发明方法简单，便与操作
磁场定向凝固控制晶体取向方法装置

[发明专利]一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202211549965.7在审
发明人：曹俊;蒋健晖 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷，其包括用于促进织构化发生的模板晶体材料Ba2Bi4Ti5O18和铌酸钾钠基体材料，所述铌酸钾钠基体材料定向生长在所述模板晶体材料上，其化学通式为：X Ba2‑(1‑X)K0.48Na0.535NbO3，其中X为模板晶体材料的摩尔分数base:Sub>和K0.48Na0.535NbO3两种材料以特定的比例进行织构化，由于两种材料之间的相互协同作用，使所形成的织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷获得了综合电学性能的提高。
一种织构化铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种基于织构化高温压电陶瓷的多层陶瓷致动器-CN201910293235.7在审
发明人：陈朗;马晓姿;袁国亮 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于织构化高温压电陶瓷的多层陶瓷致动器，所述织构化高温压电陶瓷具体包括<001>晶向的PbTiO₃模板晶体材料、钪酸铋钛酸铅高温压电基体材料；所述钪酸铋钛酸铅高温压电基体材料的通式为sub>3，并且0.3≤x≤0.5；所述多层陶瓷致动器的制备流程包括：先制备出高温煅烧的钪酸铋钛酸铅高温压电陶瓷粉体，然后将钪酸铋钛酸铅高温压电陶瓷粉体、PbTiO₃模板晶体材料和CuO助烧剂混合，并利用流延技术制成压电陶瓷膜片，经叠片、热压、排胶、烧制等工艺，最后引出外电极进行极化，即可得到该织构化多层陶瓷致动器。所述的基于织构化高温压电陶瓷的多层陶瓷致动器适用于25℃至280℃的工作温度范围，且在200V驱动电压下的应变量最高可达3.84‰。
高温压电陶瓷多层陶瓷织构化致动器钛酸铅钪酸铋晶体材料压电基体粉体制备压电陶瓷膜片高温煅烧流延技术驱动电压外电极应变量助烧剂极化叠片晶向排胶热压烧制

[发明专利]一种立方织构镍基带的制造方法-CN97121916.8无效
发明人：刘春芳;吴宣;吴欢;吴晓祖;周廉 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 1997-11-19 - 公布日： 2000-10-04 - 主分类号： C22F1/10 文献下载
摘要：采用本发明的方法制造的立方织构镍基带具有单一的（１００）织构，晶体（１００）面平行于轧面，晶体的方向平行于轧向，（００２）Ｘ射线衍射的ＦＷＨＭ（半高度）为５．２°，可满足外延生长ＹＢＣＯ超导厚膜的需要。
一种立方织构镍基带制造方法