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[实用新型]不受温度影响的电流源-CN201520372823.7有效
发明人：陶霞菲 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种不受温度影响的电流源。不受温度影响的电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三利用本实用新型提供的不受温度影响的电流源可以输出不受温度影响的电流。
不受温度影响电流

[实用新型]不受温度影响的电流源-CN201520420318.5有效
发明人：齐盛 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种不受温度影响的电流源。不受温度影响的电流源包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。利用本实用新型提供的不受温度影响的电流源能够输出不随温度影响的电流。
不受温度影响电流

[发明专利]不受泄漏电流影响的故障电流保护开关-CN200710161093.6无效
发明人：格奥尔格·卢贝尔;西格福莱德·鲁德尼克 -专利权人：西门子公司
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H02H3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种对功能接地电流非灵敏的故障电流保护开关。由此提出，在故障电流保护开关(RCD1)中除了具有至少一相线(L1、L2、L3)和零线(N)以外还具有功能放电器(FE)，其用于引导通过总电流互感器的功能泄漏电流。因此，当例如出现用于EMV措施的功能泄漏电流时，故障电流保护开关不跳闸。
不受泄漏电流影响故障保护开关

[发明专利]不受噪声影响的电流检测电路-CN201710790775.7有效
发明人：土田邦夫;佐佐木拓;稻叶树一 -专利权人：发那科株式会社
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G01R19/06 文献下载
摘要：本发明提供一种不受噪声影响的电流检测电路。电流检测电路具备：电流路径上的电阻、传送表示电阻的第一端子侧的电位的信号的第一信号传送部、传送表示电阻的第二端子侧的电位的信号的第二信号传送部、对来自第一信号传送部以及第二信号传送部的各信号进行差分运算的第一差分运算部
不受噪声影响电流检测电路

[实用新型]电流大小实际影响条件实验装置-CN201621220563.2有效
发明人：崔子涵 -专利权人：崔子涵
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：电流大小实际影响条件实验装置，属于教育用具技术领域。本实用新型结构简单，使用方便，在进行电流相关知识教学时操作简便、省时省力、科学有效，极大地减轻了教育人员的工作难度。
电流大小实际影响条件实验装置

[发明专利]消除暗电流影响的光敏检测电路-CN201610864889.7有效
发明人：赵毅强;辛睿山;赵公元;叶茂;李跃辉 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G01J1/46 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路光敏检测领域，本发明旨在通过不感光暗元与感光亮元分别进行相同时间的检测，再将两者积分电压做差，从而消除感光二极管暗电流对检测结果的影响，提高检测精度。本发明采用的技术方案是，消除暗电流影响的光敏检测电路，由不感光暗元、感光亮元、电压跟随器、减法器四部分构成；电压跟随器用于采样不感光暗元与感光亮元的输出积分电压，并将采样电压输出至减法器；减法器用于将暗元积分电压与亮元积分电压做差，得到与暗电流无关的光敏检测输出电压。
感光积分电压暗电流光敏检测减法器光敏检测电路电压跟随器集成电路感光二极管采样电压检测结果输出电压输出检测采样应用

[实用新型]有效抑制电源电压影响的电流镜-CN201620457808.7有效
发明人：王宇星;钱英杰;居吉乔 -专利权人：无锡科技职业学院
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了有效抑制电源电压影响的电流镜，其可有效提高输出电流对电源电压波动的抑制能力，保证电流精度；其包括参考电流产生电路、第一镜像电路、第二镜像电路及电流输出电路，所述参考电流产生电路的输出端连接所述第一镜像电路、第二镜像电路的输入端，所述第一镜像电路、第二镜像电路的输出端输出至所述电流输出电路。
有效抑制电源电压影响电流

[发明专利]抗过渡电阻和负荷电流影响的线路电流差动保护方法-CN201310173700.6有效
发明人：林富洪 -专利权人：国家电网公司;福建省电力有限公司;福建省电力有限公司莆田电业局
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：发明公开了一种抗过渡电阻和负荷电流影响的线路电流差动保护方法。本发明方法首先利用输电线路两侧电流计算差动电流，利用该相输电线路电流与差动电流的乘积得到保护判据分子计算值，利用三相电流中的最小值乘以差动电流与两侧电流的差值，得到保护判据分母计算值；然后利用保护判据分子计算值与保护判据分母计算值的比值是否大于整定系数以决定电流差动保护是否发出动作跳闸信号本发明方法在输电线路外部故障时可靠制动，输电线路内部故障时具有很高的动作灵敏度，尤其在输电线路单相高阻接地故障时，本发明方法能灵敏可靠动作，动作性能不受负荷电流和过渡电阻的影响。
过渡电阻负荷电流影响线路差动保护方法

[发明专利]一种改善失配影响的电流源-CN201811022106.6在审
发明人：刘颖异;张道阳 -专利权人：合肥宽芯电子技术有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善失配影响的电流源，包括数据加权平均（DWA、Data Weighted Average）和噪声整形（Noise‑shaping）两个部分，能够有效降低只有单个电流源带来的元件失配问题
电流源失配模拟电路数据加权温度系数噪声整形新颖性恶化

[发明专利]降低暗电流的影响的全局快门装置-CN201680092075.4有效
发明人： H·T·杜;P·G·利姆;S·W·米姆斯 -专利权人： BAE系统成像解决方案有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：公开了一种具有连接到位线的多个像素传感器的成像阵列。每个像素传感器包括具有光电二极管、浮动扩散节点、和放大器的第一光电检测器。浮动扩散节点的特征在于具有寄生光电二极管和寄生电容。放大器放大浮动扩散节点上的电压，从而在放大器输出上生成信号。第一光电探测器还包括：位线栅极，其响应于行选择信号而将放大器输出连接到位线；以及分压电容器，其具有连接到浮动扩散节点的第一端子和连接到驱动源的第二端子，驱动源响应于驱动控制信号而在地与地之间不同的驱动电位之间切换第二端子上的电压。
降低电流影响全局快门装置

[实用新型]电感、电容对交变电流影响演示装置-CN201220561211.9有效
发明人：葛宇宏 -专利权人：南京化工职业技术学院
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种演示装置，特别涉及一种电感、电容对交变电流影响演示装置。
电感电容电流影响演示装置

[发明专利]一种用于检定直流充电桩电流值的方法及系统-CN202010863471.0有效
发明人：李贺龙;于海波;卢达;王春妍;刘佳;王春雨 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检定直流充电桩电流值的方法及系统，属于电能计量技术领域，本发明方法，包括：确定插值扩充后的电流/电压数据，受不同环境工况影响的影响特征；根据影响特征，确定电压/电流的影响因素矩阵及测量误差矩阵；根据电压/电流的影响因素矩阵及测量误差矩阵，建立测量电压/电流受影响因素影响的修正模型；根据修正模型，对电流/电压进行修正，根据修正后的电流/电压，确定修正后电流/电压的纹波影响因素矩阵及误差矩阵；根据修正后电流/电压的纹波影响因素矩阵及误差矩阵，建立误差模型；根据误差模型，确定直流充电桩电流值。本发明实现了检定装置电压电流在现场环境工况下的抗干扰检定。
一种用于检定直流充电电流方法系统

[实用新型]用于检测泄漏电流对电流互感器误差影响的电路-CN202121801549.2有效
发明人：刘刚;严平;程志炯;刘鹍;李琪林;艾兵;张福州;张杰夫;周莹;叶子阳;曾兰;李金嵩 -专利权人：国网四川省电力公司营销服务中心
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：为解决现有技术中存在的不能检测泄漏电流对电流互感器误差是否产生影响的技术问题，本实用新型实施例提供一种用于检测泄漏电流对电流互感器误差影响的电路。电路包括：光纤互感器，用于与待测高压电流互感器串联。本实用新型实施例通过光纤互感器与待测高压电流互感器串联，实现了泄漏电流对高压电流互感器的误差影响的检测。
用于检测泄漏电流互感器误差影响电路

[发明专利]一种考虑位错影响的氮化镓HEMT器件模型的建模方法-CN202211240149.8在审
发明人：刘岑松;汪洁;刘军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：针对现有的器件模型没有同时考虑位错对漏极电流和栅极泄漏电流的影响、位错对漏极电流影响的模型没有动态模拟电荷的捕获和释放，以及栅极泄漏电流模型没有充分考虑位错的影响的问题，本发明公开一种考虑位错影响的氮化镓该建模方法包括：建立位错对GaN HEMT漏极电流影响的模型；建立位错对GaN HEMT栅极泄漏电流的影响的模型；将位错对GaN HEMT漏极电流影响模型和位错对GaN HEMT栅极泄漏电流影响模型整合到基于表面势的模型中，得到考虑位错影响的GaN HEMT器件模型并采用Verilog‑A语言进行描述；给出考虑位错影响的GaN HEMT器件模型的参数提取方法。
一种考虑影响氮化 hemt 器件模型建模方法

[发明专利]一种地铁杂散电流影响因素贡献度分析方法-CN202211245090.1在审
发明人：陈璐;吴天逸;苏磊;尹彩琴;宁晓雁;郭裕钧;张血琴;吴广宁;肖嵩 -专利权人：华东电力试验研究院有限公司;西南交通大学
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种地铁杂散电流影响因素贡献度分析方法，包括以下步骤：S1：获取地铁在各影响因素下杂散电流的变化数据，并构建影响因素矩阵和杂散电流矩阵；S2：构建BP神经网络训练模型；S3：最新影响因素矩阵，并根据最新影响因素矩阵生成最新杂散电流矩阵；S4：根据最新杂散电流矩阵，计算各影响因素的MIV值，并根据计算各影响因素的MIV值计算对应的贡献度，完成地铁杂散电流影响因素贡献度分析。本发明提供了一种基于MIV‑BP神经网络的杂散电流影响因素贡献度分析，用于探究各个影响因素对杂散电流的贡献程度。
一种地铁电流影响因素贡献分析方法

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