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[发明专利]一种阈值电压调整方法、存储装置及相关设备-CN202110727650.6在审
发明人：童浩;蔡旺;缪向水;涂洒;朱晓明;谭海波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阈值电压调整方法、存储装置及相关设备。该方法包括：确定存储装置满足触发条件；将所述存储装置中的选通管当前的阈值电压从第一阈值电压调整到第二阈值电压，所述第二阈值电压小于所述第一阈值电压；其中，所述第二阈值电压大于或等于初始阈值电压，且所述第二阈值电压与初始阈值电压的差值小于容忍值，所述初始阈值电压为首次开启所述选通管时的阈值电压。采用本申请实施例可以降低选通管因长期操作而不断上升的阈值电压，保证选通管的正常工作。
一种阈值电压调整方法存储装置相关设备

[发明专利]一种电压比较器及电子设备-CN202310483444.4在审
发明人：陈朝勇;宋志军;杨潺;杜士才;曹雷;钱智明 -专利权人：无锡艾为集成电路技术有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电压比较器及电子设备，初始化电路能够在第一电源电压小于开启阈值电压时工作，而在第一电源电压不小于开启阈值电压时停止工作；因此，在第一电源电压低于开启阈值电压时，能够通过初始化电路控制比较电路输出有效电平信号，使得电压比较器能够在第一电源电压较低时正常输出有效电平信号，进而提高了电压比较器的性能。
一种电压比较电子设备

[发明专利]功率MOSFET-CN201710908423.7有效
发明人：肖胜安 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率MOSFET，功率MOSFET的有源区包括多个并联的原胞，各原胞包括栅极结构、沟道区、源区、漂移区和漏区；栅极结构包括栅介质层和多晶硅栅，被多晶硅栅覆盖的沟道区的表面用于形成沟道；原胞按照阈值电压的不同分为2种以上，用以降低功率MOSFET在开关过程中的电流变化和电压变化；在开启过程中，按照阈值电压从小到大的顺序依次开启和阈值电压对应的原胞；在关断过程中，按照阈值电压从大到小的顺序依次关断和阈值电压对应的原胞本发明能降低开关速度，从而降低开关过程中电流和电压的变化。
功率 mosfet

[发明专利]照明装置-CN201010183228.0有效
发明人：侧垣玉実;五岛成夫;村上忠 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种照明装置，包括：灯负载；点亮电路单元，用于开启所述灯负载；传感器单元；放大器电路单元；控制单元，用于根据是否存在人体来控制所述点亮电路单元，以开启或关闭所述灯负载；以及电源单元。在所述点亮电路单元未被操作并且所述灯负载关闭的同时，在经放大的检测信号的电压超过第一阈值电压时，则所述控制单元判定存在人体，在所述点亮电路单元被操作并且所述灯负载开启的同时，在经放大的检测信号的电压超过第二阈值电压时，则所述控制单元判定存在人体，所述第二阈值电压的大小被设置成高于所述第一阈值电压的大小。
照明装置

[发明专利]去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置-CN201610076597.7有效
发明人：商广良;韩承佑;韩明夫;郑皓亮;姚星;崔贤植 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：所述移位寄存器单元的去噪方法包括：从移位寄存器单元开启后开始计时，得到移位寄存器单元的工作时间；根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压；根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压，以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。本发明根据移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅源电压得到去噪晶体管的当前阈值电压，根据不断增大的去噪晶体管的阈值电压调节去噪晶体管的栅极电压，以在去噪阶段即使是去噪晶体管的阈值电压增大，去噪晶体管也可以开启工作
去噪晶体管移位寄存器单元栅极电压阈值电压栅极驱动电路阈值电压调节去噪装置显示装置初始阈值电压栅源电压增大的计时

[发明专利]一种同步整流控制器及同步整流控制方法-CN201710016675.9有效
发明人：许刚颍;唐波;吴强;向磊;马强 -专利权人：成都启臣微电子股份有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步整流控制器及同步整流控制方法，该控制器包括：采样模块，用于采样同步整流MOS管的漏、源极电压，获取漏、源极电压的电压差值；驱动模块，用于调整该管的栅极电压；控制模块，用于比较电压差值、第一阈值电压和第二阈值电压，当电压差值小于第一阈值电压时，控制驱动模块将该管的栅极电压调整为最大输出电压；当电压差值大于第一阈值电压并小于第二阈值电压时，控制驱动模块调整该管的栅极电压在零到最大输出电压之间变化，以将电压差值调整为等于第一阈值电压；当电压差值大于第二阈值电压时，控制驱动模块将该管的栅极电压调整为零。本发明能够加快同步整流MOS管的开启和关断速度，使效率明显提高、损耗明显降低。
一种同步整流控制器控制方法

[发明专利]一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法-CN201110209296.4无效
发明人：梅博;毕津顺;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法。所述方法包括提高背栅阈值电压和降低背栅阈值电压；提高背栅阈值电压具体包括：将SOI-NMOS器件的栅极、漏极、源极均接地电位，将SOI-NMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的正直流电压，并持续10秒以上的时间；降低背栅阈值电压具体包括：将SOI-NMOS器件的栅极、漏极、源极均接地电位，将SOI-NMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的负直流电压，并持续10秒以上的时间。本发明调节了SOI-NMOS器件的背栅沟道开启的阈值电压，能够实现SOI-NMOS器件背栅阈值电压的增加和关态漏电流的减小。
一种调节 soi nmos 器件阈值电压方法

[发明专利]一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法-CN202110645399.9有效
发明人：许海东;谌容 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件包括N型漂移区，在N型漂移区上侧内设有若干沟槽，在沟槽内填充沟槽多晶硅，IGBT器件包括至少两个阈值电压不同的区域，阈值电压不同的区域的沟槽之间的间距不同，阈值电压不同的区域的栅极电阻不同：低阈值电压区域的沟槽之间的间距小于高阈值电压区域的沟槽之间的间距，低阈值电压区域的栅极电阻阻值大于高阈值电压区域的栅极电阻阻值。本发明提出的IGBT器件对开启时的产生的电压、电流振荡现象有着明显的改善作用，且不会明显降低正常使用时的开关速度；本发明提出的一种IGBT器件的制造方法，制造工艺简单，和现有工艺兼容，无需增加额外成本。
一种具有抑制振荡效果 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统-CN201810604592.6有效
发明人：刘素吉;王伟;彭兴伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元模型的阈值电压调节方法和系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，引入用户可定义的阈值电压参数VTCC；步骤S2，定义阈值电压判断参数VTCCPR，将输入的阈值电压VTCC与阈值电压判断参数进行比较；步骤S3，根据比较结果判断出所需的存储单元状态，从而选取与该状态相应的模型参数值,本发明能够将存储单元的编程和擦除两种状态模型合二为一，简化原有的存储单元模型，使存储单元模型中编程与擦除两种状态的开启和转换更灵活简单
一种存储单元模型阈值电压调节方法系统

[发明专利]用于OLED显示设备的像素驱动电路-CN201710709604.7有效
发明人：蔡玉莹 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：该像素驱动电路采用4T2C的像素结构，以在OLED显示设备在关机或者开机时检测到驱动薄膜晶体管的阈值电压以及有机发光二极管的开启电压，并在正常工作显示时将该检测到的阈值电压和有机发光二极管的开启电压补偿到数据信号中，从而消除驱动薄膜晶体管的阈值电压对有机发光二极管的驱动电流的影响，进而提高OLED显示设备显示画面的质量。
用于 oled 显示设备像素驱动电路

[发明专利]脉冲电池充电器电路和电池充电方法-CN94119885.5无效
发明人：杰斐逊·Ｗ·霍尔;托马斯·Ｄ·佩蒂;伦温·Ｋ·伊;罗伯特·Ｌ·维纳;特罗伊·Ｌ·斯托克斯塔 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1994-12-03 - 公布日： 1998-06-03 - 主分类号： H02J7/10 文献下载
摘要：运算放大器（１４）控制诸电流源（２５，２０）以在驱动输出端（１２）和检测输入端（１３）之间产生第一与第二预定电压。当检测电路（１６）分别检测到电池电压低于第一阈值电压时，开启第一电流源（２５）；高于第一阈值电压时，开启第二电流源（２０）；当检测到电池电压大于第二阈值电压时，第一与第二电流源都被关断。
脉冲电池充电器电路电池充电方法

[发明专利]一种反激式开关电源的变压器防饱和控制系统-CN201710549522.0有效
发明人：马强;许刚颍;唐波;向磊;王建辉 -专利权人：成都启臣微电子股份有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种反激式开关电源的变压器防饱和控制系统，其包括：振荡器用于在反激式开关电源工作时，输出开启信号以开启功率管；峰值比较器用于并在CS采样电阻的采样电压大于第一电压阈值时，向延时电路发送延时信号；延时电路用于根据延时信号在延迟预定时间后向饱和检测电路发送检测信号；模拟加法器用于将第一电压阈值与预设叠加电压进行叠加得到第二阈值电压；饱和检测电路用于在接收到检测信号时检测采样电压与第二阈值电压，并在采样电压大于第二阈值电压时，向振荡器发送第一控制信号；振荡器还用于在接收到第一控制信号时，降低开启信号的频率，以延长功率管的关断时间。
一种反激式开关电源变压器饱和控制系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910577014.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，衬底内形成有阱区，阱区内具有第一类型离子；在鳍部中形成反型掺杂区和阈值电压调节区，阈值电压调节区位于鳍部的顶部一侧，反型掺杂区位于阈值电压调节区下方，阈值电压调节区内具有第一类型离子，反型掺杂区内具有第二类型离子；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构露出反型掺杂区和阈值电压调节区。通过使阈值电压调节区形成在鳍部的顶部一侧，从而降低鳍部顶部位置的电流密度，通过反型掺杂区，使得器件沟道远离鳍部的表面，从而改善闪烁噪音的问题，并使得器件的开启电压满足性能需求；综上，通过反型掺杂区和阈值电压调节区
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种低功耗电源监测电路-CN200610144043.2有效
发明人：薛一鸣;魏春峰;马依迪;张颖 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明是一种降低集成电路电源检测电路功耗的方法和电路结构，所述的电路结构包括可关断的双阈值电压检测模块及其启动控制电路。双阈值电压检测模块包括可关断的上电、下电检测电路；启动控制电路产生两路控制输出信号，用于双阈值电压检测模块上电检测、掉电检测的开启和关断。通过有效控制启动控制电路的开启和关断，可以有效降低电压检测电路的功耗，并满足电源监测的目的。本发明所述的电路结构简单、工作稳定可靠，降低功耗效果明显。
一种功耗电源监测电路

[发明专利]薄膜晶体管阈值电压偏移补偿电路及GOA电路、显示器-CN201210176588.7有效
发明人：徐超;张春芳;魏燕 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阈值电压偏移补偿电路及GOA电路、显示器，该电路包括：第一电容，包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述薄膜晶体管的栅极连接并接收充电信号，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极连接；所述第一电容用于在充电信号的作用下使其第一电极和第二电极具有相同电压，以使所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的电压差等于其阈值电压；第一开关单元，分别与所述薄膜晶体管的源极和漏极连接，用于在第一时钟信号的作用下开启，以使所述薄膜晶体管的栅极和源极之间的电压差等于其阈值电压。本发明可使薄膜晶体管在任何情况下，其栅极和源极间的电压差都不会低于其阈值电压，即使是发生了阈值电压偏移时也能够正常开启。
薄膜晶体管阈值电压偏移补偿电路 goa 显示器

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