专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于存储配置的动态变换的体系结构-CN201980020644.8在审
  • 纳达夫·博南;朱里斯·曼德尔布拉特;尼尔·苏切尔 - 英特尔公司
  • 2019-05-30 - 2020-11-03 - G06F3/06
  • 该装置包括第一存储控制电路,用于控制经由第一导电总线对第一存储电路的读取和/或写入访问。该装置包括第二存储控制电路,用于控制经由第二导电总线对第二存储电路的读取和/或写入访问。该装置包括耦合到第一存储控制电路和第二存储控制电路的电力控制电路。电力控制电路将数据从经由第二导电总线利用第二存储控制电路的第二存储电路传送到经由第一导电总线利用第一存储控制电路的第一存储电路。电力控制电路在将数据从第二存储电路传送到第一存储电路之后使第二存储电路掉电。电力控制电路减小该装置的电力消耗并且可增大该装置的电池寿命。
  • 用于存储器配置动态变换体系结构
  • [发明专利]存储装置及其电源调整方法-CN201310006965.7有效
  • 王锡源;马英庭 - 华邦电子股份有限公司
  • 2013-01-09 - 2014-07-09 - G11C11/4076
  • 本发明公开了一种存储装置及其电源调整方法。存储装置包括一存储元件、多个电源电路、多个运作控制及一传感存储元件配置于一存储区域中,且包括一存储库及一存储控制。电源电路耦接存储库及存储控制,用以分别转换一外部电压为一内部电压以提供至存储库及存储控制。运作控制配置于一周边区域中,且耦接电源电路以接收内部电压。传感耦接电源电路,以检测存储元件及运作控制的工作温度,并依据所检测到的工作温度控制这些电源电路调整内部电压的大小。
  • 存储器装置及其电源调整方法
  • [发明专利]半导体器件和数据处理系统-CN200810091075.X无效
  • 斋藤达也;山崎枢;铃木岩;备后武士;堀江启一 - 株式会社瑞萨科技
  • 2008-04-16 - 2008-10-22 - G11C29/12
  • 降低了能够访问外部存储电路的测试设计成本。包括内置自测电路,用于响应于对能够连接到存储接口的外部存储的访问请求,独立于用于执行存储控制存储控制,测试外部存储,以及TAP控制用于控制内置自测电路并参考测试结果。采用多路复用器来根据通过TAP控制从外部输入的控制信息可切换地选择存储控制或内置自测电路作为用于连接到存储接口的电路。内置自测电路根据通过TAP控制输入的指令可编程地生成和输出用于存储测试的图案,并将从外部存储读取的数据与预期值进行比较。
  • 半导体器件数据处理系统
  • [发明专利]存储储存装置及其存储控制与电源控制方法-CN201210126571.0有效
  • 朱健华 - 群联电子股份有限公司
  • 2012-04-26 - 2013-10-30 - G06F13/16
  • 本发明提供一种存储储存装置及其存储控制与电源控制方法。该存储储存装置包括可复写式非易失性存储模块、第一电路存储控制与电源管理电路。第一电路输出状态信号,其中当第一电路被使能时,第一电路将状态信号维持在第一状态,以及在预置状态成立后,第一电路将状态信号维持在第二状态。当存储控制从主机系统中接收第一信号时,电源管理电路会停止供应输出电压。此外,当存储控制被使能时,存储控制会判断状态信号是否处于第一状态,其中当状态信号处于第一状态时,存储控制执行第一程序,并且当状态信号非处于第一状态时,存储控制执行第二程序。
  • 存储器储存装置及其控制器电源控制方法
  • [发明专利]存储控制电路及快闪存储的抹除操作的控制方法-CN202210444758.9在审
  • 刘则言 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-04-26 - 2022-12-30 - G11C16/14
  • 本申请公开了一种存储控制电路及快闪存储的抹除操作的控制方法;其中,存储控制电路,用于一集成电路。集成电路包括一处理、一知识产权核电路及一快闪存储存储控制电路包括:存储控制,用以依据处理的抹除指令而开始对快闪存储执行抹除操作以产生抹除信号;以及计时电路,因应于抹除信号以开始计数操作。因应于知识产权核电路所产生的中断信号,存储控制及计时电路是分别暂停抹除操作及计数操作。因应于中断信号被清除,存储控制及计时电路是分别恢复抹除操作及计数操作。因应于计时电路已计数至预定值,计时电路输出完成信号至存储控制以表示抹除操作已完成。
  • 存储器控制电路闪存操作控制方法
  • [发明专利]存储系统和操作存储控制的方法-CN202211393805.8在审
  • 李锺仁;金珤暻 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-08 - 2023-05-12 - G06F3/06
  • 公开了存储系统和操作存储控制的方法。所述存储系统包括:存储控制,被配置为控制存储装置;以及子缓冲存储,布置在存储控制外部。存储控制包括:处理,被配置为控制存储装置的存储操作;主缓冲存储,与子缓冲存储不同,并且布置在存储控制中;以及缓冲分配电路,被配置为控制子缓冲存储与主缓冲存储之间的分配比。处理将缓冲分配电路的操作模式设置为分配比被固定的操作模式。
  • 存储器系统操作控制器方法
  • [发明专利]一种包含非易失性RAM和RAM的存储电路-CN03821414.8无效
  • J·克林特 - 诺基亚有限公司
  • 2003-09-08 - 2005-10-12 - G06F12/00
  • 本发明涉及存储电路(1),该存储电路至少包括:诸如NAND Flash存储的非易失性随机存取存储(3),以及诸如动态随机存取存储的随机存取存储(4)。该存储电路(1)也包括存储控制(5),该控制通过第一总线(6)连接到非易失性随机存取存储(3),并且通过第二总线(10)连接到随机存取存储(4)。因此,数据可以经由存储控制(5)在所述非易失性随机存取存储(3)和随机存取存储(4)之间传送。该存储电路包括连接到存储控制(5)的控制总线(12),以控制存储电路(1)的工作。本发明也涉及其中使用存储电路(1)的系统和电子装置。本发明也涉及与存储电路有关的方法。
  • 一种包含非易失性ram存储电路
  • [发明专利]相变存储系统、相变存储设备及其刷新方法-CN202011114785.7在审
  • 申闰盛;李光振 - 三星电子株式会社
  • 2020-10-16 - 2021-04-20 - G11C13/00
  • 一种相变存储系统,包括相变存储设备和相变存储控制,该相变存储设备包括多个存储单元,该多个存储单元包括以至少一个或多个码字为单位的多个存储元件,该相变存储控制执行用于刷新整个相变存储设备的芯片刷新操作,其中相变存储设备包括设置电路、刷新控制、感测电路和请求电路,该设置电路以期望的方式确定多个存储单元中的一个,该刷新控制刷新所确定的存储单元,该感测电路感测刷新的存储单元中包括的至少一个或多个码字的数据,而该请求电路基于感测操作的结果向主机请求芯片刷新操作。
  • 相变存储器系统设备及其刷新方法

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