专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳电池-CN201410011161.0在审
  • 代盼;陆书龙;吴渊渊;谭明;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2014-01-10 - 2015-07-15 - H01L31/0352
  • 本发明提供的一种太阳电池,包括顶电极、底电极以及设于顶电极和底电极之间的第一子电池,所述顶电极与第一子电池之间设有一接触层,所述第一子电池上设有的第一窗口层与接触层相接触,其中,所述第一窗口层采用碲作为本发明提供的太阳电池,通过采用碲元素作为第一窗口层的n型掺杂源,使第一窗口层具有较高的n型掺杂浓度,从而可以有效地阻止空穴的扩散、减少界面复合、提高载流子寿命;同时还可以让电子有效地越过势垒实现电子的收集,进而减少横向扩展电阻,从而提高太阳电池的转换效率。
  • 太阳能电池
  • [实用新型]太阳电池-CN202022764301.5有效
  • 李兵;邓伟伟;蒋方丹 - 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
  • 2020-11-25 - 2021-08-24 - H01L31/0216
  • 本申请提供一种太阳电池,包括硅基底,所述硅基底的正面依次层叠设置有隧穿层、掺杂多晶硅层与减反射层,所述太阳电池还包括穿过所述减反射层并与所述掺杂多晶硅层相接触的正面电极;所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层本申请太阳电池能够改善电池表面的钝化性能,减少电池正面相关膜层对入射光线的寄生吸收,增加入射光线的利用率,并通过所述本征非晶硅层、掺杂非晶层作为背面钝化结构,减少高温制程及高温制程中可能演化出现的缺陷,提高电池寿命。
  • 太阳能电池
  • [发明专利]太阳电池-CN200710201402.8无效
  • 陈杰良 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2007-08-20 - 2009-02-25 - H01L31/042
  • 一种太阳电池,其包括:一背电极层;一P型半导体层;一N型半导体层;一透明导电层,所述背电极层及透明导电层分别与所述P型半导体层及N型半导体层接触,所述透明导电层包括一基质及分散在该基质中的光触媒纳米微粒所述太阳电池将光触媒纳米微粒掺杂入透明导电层基质中。光触媒纳米微粒在太阳光的作用下,对粘附于其上的有机物等污染物具有氧化分解作用,因此,该光触媒纳米微粒使透明导电层具有自洁性,从而透明导电层可以保持较好的透光性能,整个太阳电池可以被保护得较好。
  • 太阳能电池
  • [实用新型]太阳电池-CN202022588936.4有效
  • 杨慧;李硕;李兵;邓伟伟;蒋方丹 - 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
  • 2020-11-10 - 2021-06-22 - H01L31/0216
  • 本申请提供了一种太阳电池,包括硅基底、设置在所述硅基底背面的背面隧穿层、背面钝化层与金属电极,所述背面钝化层包括沿第一方向依次交替排布且相互间隔的第一钝化层与第二钝化层,所述金属电极包括设置在第一钝化层上的第一电极、设置在第二钝化层上的第二电极;所述太阳电池还包括依次层叠设置在所述硅基底侧面的侧面隧穿层与侧面钝化层。本申请太阳电池通过在所述硅基底的侧边设置相应的隧穿层与钝化层,能够减小边缘位置的复合损失,提高开路电压及电池效率;实际制程中也无需进行边缘蚀刻,工艺更为简洁,方便实施。
  • 太阳能电池
  • [发明专利]太阳电池-CN201310367414.3有效
  • 李汉诚;冯诗翰;许子衿;戴煜暐;陈伟铭 - 新日光能源科技股份有限公司
  • 2013-08-21 - 2016-11-30 - H01L31/042
  • 本发明为一种太阳电池,包含:半导体基板、抗反射层、钝化层、背面电极与背面总线电极。半导体基板具有一第一表面与一第二表面。抗反射层设置于第一表面。该背面电极为连续弯折线形电极或为覆盖于太阳电池背面的整面电极,其中连续弯折线形电极或整面电极可透过一连续弯折线形窗口与该半导体基板连接,或者该连续弯折线形电极亦可直接穿过该钝化层与半导体基板连接。即,该太阳电池至少包含一连续弯折线形窗口或一连续弯折线形电极。
  • 太阳能电池
  • [实用新型]太阳电池-CN202022763982.3有效
  • 李兵;杨慧;刘娜;邓伟伟;蒋方丹 - 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
  • 2020-11-25 - 2021-08-24 - H01L31/042
  • 本申请提供一种太阳电池,包括硅基底,所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分,所述第一部分的正面依次层叠设置有隧穿层与掺杂多晶硅层,所述第二部分的正面形成有掺杂层,所述太阳电池还包括设置在所述硅基底正面且与所述掺杂多晶硅层相接触的正面电极本申请太阳电池能够改善电池表面的钝化性能,减小正面电极位置的复合损失与接触电阻,同时减小入射光线的吸收损失,所述掺杂非晶层也避免背面高温掺杂制程,减少高温可能导致的缺陷,提高电池寿命。
  • 太阳能电池

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