专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种信道估计方法-CN200710304416.2有效
  • 杨林;于燕斌;李春艳 - 清华大学
  • 2007-12-27 - 2009-07-01 - H04L25/02
  • 本发明涉及一种信道估计方法,包括:对信道进行粗估计,得到信道延时di的初始估计值;由信道延时di的初始估计求出到幅值调整系数Ai的初始估计值;用匹配追踪法细化信道延时di和幅值调整系数Ai,得到细化后信道延时di和幅值调整系数Ai的估计值;由所述信道的数M、细化后信道延时di和幅值调整系数Ai的估计值确定所述信道的冲激响应h(n),得到信道模型。利用本发明可以更好的优化信道参数,建立更精确的信道,提高信道的抗干扰性和性。
  • 一种信道估计方法
  • [发明专利]一种基于全极点模型的信道估计方法-CN200710304417.7有效
  • 杨林;于燕斌;李春艳 - 清华大学
  • 2007-12-27 - 2009-07-01 - H04L25/02
  • 本发明涉及一种基于全极点模型的信道估计方法,包括:将信道的冲激响应从时域转换到频域,得到信道的频域响应;用全极点模型表示信道的频域响应,得到信道模型的全极点表达式;用对应的发送端与接收端数据对所述全极点模型递推得到其模型参数,由所述模型参数建立全极点模型;对建立的全极点模型进行极点搜索,由搜索的极点得到信道延时的初始估计值;由信道的数与信道延时的初始估计值确定信道模型的冲激响应,得到信道模型。利用本发明的方法进行信道延迟粗估计可以避免信道参数在以后的细化中陷入局部最优,降低了现有信道模型估计的复杂度,提高了性、抗干扰性和精确性。
  • 一种基于极点模型信道估计方法
  • [发明专利]移动通信系统中搜索方法及其装置-CN200410017650.3有效
  • 刘铁;曹振国;陈小元 - 上海明波通信技术有限公司
  • 2004-04-13 - 2005-10-19 - H04B1/16
  • 本发明提供了一种新型的移动信道的搜索方法和装置。本发明的搜索方法和装置根据N时隙相干累加和M帧非相干累加的功率延时谱估计当前的延时,另一方面对于上一次被分配的在H帧内估计其信道质量,依据其信道质量对其做取舍。这两者的输出以一定的方式合并得到当前搜索的结果。本发明对搜索性能有较大改善,在衰落比较严重的情况下有很高的性。本发明的搜索方法能够在无线传输环境中准确反映信道质量,跟踪环境的变化,实时反映分量在位置和能量上的变化,最大可能的检测信号,保证搜索的准确性和有效性。
  • 移动通信系统中多径搜索方法及其装置
  • [发明专利]一种特征空间共同学习的标签图像分类方法-CN202111225017.3在审
  • 刘志锋;唐川景;沈项军;周从华 - 江苏大学
  • 2021-10-21 - 2022-01-11 - G06V10/764
  • 本发明公开了一种特征空间共同学习的标签图像分类方法,首先准备标签数据;在特征空间和标签空间中引入特征选择和核范数的低秩表示方法从而构造的标签和特征空间共同学习的标签分类模型;利用低秩投影矩阵V将q维标签空间映射到r维的标签空间中,从而V表示在标签空间中学习到的低秩投影;引入增广拉格朗日乘数法对标签分类模型的目标函数中的矩阵P和矩阵V进行求解;将标签数据作为训练数据样本对提出的标签分类模型进行训练,得到最优的低秩系数矩阵P和低秩投影矩阵V;基于最优的低秩系数矩阵P和低秩投影矩阵V完成标签分类模型的训练,并利用该标签分类模型进行标签图像分类。
  • 一种特征空间共同学习标签图像分类方法
  • [发明专利]一种用于ESD防护的高性ESD器件-CN201910353954.3有效
  • 刘志伟;王琰;杜飞波;刘继芝 - 电子科技大学
  • 2019-04-29 - 2021-03-30 - H01L27/02
  • 本发明属于电子技术领域,具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计,具体提供一种用于ESD防护的高性ESD器件结构,用以提高GGNMOS的性。个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计,将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路和寄生npn2路两种路径变为寄生npn1路、寄生npn2路和SCR路径三种路径;由于电流泄放路径的增加,使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的性;同时,本发明高性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致,即本发明在相同版图面积的情况下,实现了更高的性。
  • 一种用于esd防护高鲁棒性器件

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