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[发明专利]阵列型掺杂多壁碳纳米管及其制备方法和电极材料-CN202011452994.2在审
发明人：万远鑫;黄少真;孔令涌;任望保;王敏;余永龙 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列型掺杂多壁碳纳米管，包括多壁碳纳米管和掺杂在多壁碳纳米管中的掺杂原子；该阵列型掺杂多壁碳纳米管具有径向导电通道，径向导电通道是由掺杂原子与多壁碳纳米管的相邻管壁通过共价键合形成，所述阵列型掺杂多壁碳纳米管的管径为该阵列型掺杂多壁碳纳米管具有良好的导电性，将其应用在电极材料中能够提高电极材料的导电性。本申请还提供了阵列型掺杂多壁碳纳米管的制备方法。该制备方法工艺简单，操作便捷，所得的阵列型掺杂多壁碳纳米管的良品率高。本申请还提供了含有阵列型掺杂多壁碳纳米管的电极材料。
阵列掺杂多壁碳纳米及其制备方法电极材料

[发明专利]一种超薄智能型多用途防水防酸防碱涂层及其制作方法-CN201811197796.9在审
发明人：项仲友 -专利权人：项王陈新创技术开发有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C09D201/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄智能型多用途防水防酸防碱涂层，包括铂纳米球‑多壁碳纳米管网络‑热塑性弹性体层和多壁碳纳米管阵列层。其中铂纳米球‑多壁碳纳米管网络‑热塑性弹性体层的厚度为2微米，多壁碳纳米管阵列层的厚度为500纳米。铂纳米球‑多壁碳纳米管网络‑热塑性弹性体层为海绵状多孔结构，孔隙率为25%，其中孔隙的直径为500纳米。其中多壁碳纳米管阵列层包括突出于铂纳米球‑多壁碳纳米管网络‑热塑性弹性体层的竖直方向分布的多壁碳纳米管，并与所述铂纳米球‑多壁碳纳米管网络‑热塑性弹性体层中的多壁碳纳米管相连，其中所述多壁碳纳米管的直径为10纳米，长度为2微米。
一种超薄智能型多用途防水防酸防碱涂层及其制作方法

[发明专利]一种多壁碳纳米管@X复合电极及其制备方法和应用-CN201711383259.9在审
发明人：埃泽尔·马丁·阿金诺古;薛亚飞;迈克尔·吉尔斯 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种多壁碳纳米管@X复合电极及其制备方法和应用，所述多壁碳纳米管@X复合电极的制备方法如下：S1：通过直流等离子体增强化学气相沉积的方法，在玻璃碳上生长垂直有序的多壁碳纳米管阵列；S2：通过磁控溅射的方法将活性物质X涂覆于 S1所述多壁碳纳米管阵列表面；其中，所述多壁碳纳米管的直径为10～300nm，长度为100～5000nm，多壁碳纳米管阵列中管之间的距离为50nm以上。本发明提供的多壁碳纳米管@X复合电极具有更高的比表面积、优异的导电性能、较高的机械性能和化学稳定性，可以广泛应用于电催化、电化学分析、超级电容器、电池等各种电化学应用领域。
多壁碳纳米管复合电极多壁碳纳米管阵列制备方法和应用机械性能直流等离子体增强化学气相沉积超级电容器电化学分析电化学应用化学稳定性磁控溅射导电性能活性物质玻璃碳电催化涂覆制备垂直电池生长应用

[发明专利]一种图案化碳纳米管阵列柔性复合薄膜的制备方法-CN201911209899.7在审
发明人：侯旭;刘威;王苗;王树立;周磊;何文 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种图案化碳纳米管阵列柔性复合薄膜的制备方法。本发明方法基于传统的化学气相沉积方法，利用光刻胶模板法对生长基底进行图案化，非图案区域蒸镀铂粒子抑制碳纳米管阵列的生长，利用浮动辅助气相催化法沉积得到图案化的碳纳米管阵列。在此基础上，开发出了特定比例的聚合物复合固化，切片获得具有图案的多壁碳纳米管阵列柔性薄膜。本发明提供了一种图案化多壁碳纳米管生长并与柔性聚合物复合、固化、切片获得新型柔性碳纳米管阵列薄膜的制备方法。
一种图案纳米阵列柔性复合薄膜制备方法

[发明专利]一种碳纳米管线轴及其制备方法与编织方法-CN201210229357.8有效
发明人：张如范;魏飞;宁志远;张莹莹;陈清 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管线轴及其制备方法与编织方法。该制备方法包括如下步骤：（1）将生长于基底上的多壁碳纳米管阵列中的一根多壁碳纳米管的一端固定于一探针上；（2）移动所述探针，将所述多壁碳纳米管外层拉断，继续移动所述探针即可将所述多壁碳纳米管的内层抽出；（3）将所述多壁碳纳米管的内层缠绕在可旋转的转轴上即得所述碳纳米管线轴。将碳纳米管线轴上的碳纳米管的自由端固定于探针上；拉动所述探针，将碳纳米管线轴上的碳纳米管拉出；移动探针，使拉出的碳纳米管在需要构建的图案上进行移动即可实现对碳纳米管线轴的编织。本发明方法摆脱了碳纳米管生长所用的基底对碳纳米管的固定作用，可以实现结构完美、全同手性的超长碳纳米管的可控利用。通过将其缠绕成线轴并进行编织，可以摆脱原位生长法在对碳纳米管进行操纵和转移方面的限制。
一种纳米线轴及其制备方法编织

[发明专利]一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用-CN201410596686.5在审
发明人：郭霞;范修军;李冲;刘白;刘巧莉;董建 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01G11/36 文献下载
摘要：一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
一种单壁碳纳米垂直阵列洋葱复合材料制备方法及其超级电容器中的应用

[发明专利]一种二茂铁-多壁碳纳米管复合材料的制备方法-CN201810547000.1在审
发明人：莫尊理;杨星;牛小慧;赵盼;欧阳美璇;刘振宇;郭瑞斌;刘妮娟 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C08K5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二茂铁‑多壁碳纳米管复合材料的制备，属于材料制备和电化学领域。本发明首先将多壁碳纳米管进行酸化处理得到羧基化多壁碳纳米管，再将多壁碳纳米管和乙二胺经过共价交联得到氨基化多壁碳纳米管，然后在有机溶剂中使氨基化多壁碳纳米管和二茂铁甲酸通过酰胺键共价交联，得到具有优异电化学性能的衍生化多壁碳纳米管，这种衍生化多壁碳纳米管兼具了二茂铁甲酸和多壁碳纳米管的优异性能，相比于原始多壁碳纳米管，这种衍生化多壁碳纳米管很大程度提升了电子传导能力。
多壁碳纳米管衍生化二茂铁甲酸共价交联复合材料氨基化二茂铁制备羧基化多壁碳纳米管电子传导能力电化学领域电化学性能材料制备酸化处理优异性能有机溶剂乙二胺酰胺键

[发明专利]一种改性多壁碳纳米管及其低压膜和制备方法、应用-CN202110401717.7在审
发明人：郭瑾;王钰 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明属于多壁碳纳米管技术领域，本发明提供了一种改性多壁碳纳米管的制备方法，将多壁碳纳米管和腐殖酸溶液进行超声处理，得到改性多壁碳纳米管分散液；将改性多壁碳纳米管分散液中的溶剂去除，得到改性多壁碳纳米管本发明还通过将改性多壁碳纳米管分散液采用微滤多孔膜进行固液分离，得到改性多壁碳纳米管低压膜。本发明的制备方法对多壁碳纳米管结构和性能不造成任何破坏，同时避免了多壁碳纳米管进入水环境的生态风险。本发明的改性多壁碳纳米管及其低压膜用于去除水溶液中的亚甲基蓝染料，去除方法简单，易于实现，成本低，效率高。
一种改性多壁碳纳米及其低压制备方法应用

[发明专利]碳纳米管网的制造方法、碳纳米管集合体的制造方法及碳纳米管网的制造装置-CN201680035092.4在审
发明人：井上铁也;森原典史;山下智也 -专利权人：日立造船株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：碳纳米管网的制造方法包括准备配置在基板上、且包含相对于基板而垂直配向的多根碳纳米管的碳纳米管阵列的步骤；以及从碳纳米管阵列抽出碳纳米管网的步骤，所述碳纳米管网中，多根碳纳米管连续地相连的碳纳米管单纱在与碳纳米管单纱的延伸方向交叉的方向上并列配置有多根在抽出碳纳米管网的步骤中，将碳纳米管网的自碳纳米管阵列的抽出位置在碳纳米管网的抽出方向上维持于同一位置。
纳米管网制造方法集合体装置

[发明专利]燃料电池气体扩散层导电浆料、气体扩散层及其制备方法-CN202211013498.6有效
发明人：吴永生;刘大喜;蒋伟 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：以所述导电浆料的总质量为100％计，包括质量百分含量的原料组分：碳纳米管5～10％，稳定剂0.15～0.5％，润湿剂0.5～3％，溶剂余量；碳纳米管包括质量比为(99.9～99.95)：(0.05～0.1)的阵列多壁碳纳米管和单壁碳纳米管。本申请燃料电池气体扩散层导电浆料，通过阵列多壁碳纳米管和单壁碳纳米管的协同配合作用，能够在多孔基底表面形成孔隙分布均匀、孔径大小合适的三维网络结构，与多孔基底的孔隙形成梯级分布，充分确保了燃料电池气体扩散层的透气性
燃料电池气体扩散导电浆料及其制备方法

[发明专利]一种羟基化多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料的制备方法-CN201310059529.6有效
发明人：尚岩;周珊珊;张桂玲 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：一种羟基化多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料的制备方法，它涉及一种多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料制备方法存在合成步骤复杂、反应不易控制和重复性较差，且制备得到的多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料中硅元素含量低的问题。方法：一、进行纯化得到纯化后多壁碳纳米管；二、对纯化后多壁碳纳米管进行羟基化反应得到羟基化多壁碳纳米管；三、对羟基化多壁碳纳米管接枝硅烷单体得到硅烷-多壁碳纳米管；四、进行聚合反应得到羟基化多壁碳纳米管本发明主要用于制备羟基化多壁碳纳米管-聚硅烷复合材料。
一种羟基化多壁碳纳米硅烷复合材料制备方法

[发明专利]一种MWCNT@Cu复合催化剂及其制备方法和应用-CN201810931235.0在审
发明人：埃泽尔·马丁·阿金诺古;薛亚飞;迈克尔·吉尔森 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：所述MWCNT@Cu复合催化剂包括在玻璃碳上生长独立、竖直排列的多壁碳纳米管和在所述多壁碳纳米管上磁控溅射沉积的多晶铜；所述多壁碳纳米管的直径为10～300nm，长度为100～5000nm，多壁碳纳米管阵列中管之间的距离为本发明利用具有纳米级尺度、大比表面积的碳电极作为载体，即在玻璃碳上直接生长独立、垂直排列的多壁碳纳米管，并在其上沉积一层薄的多晶铜作为壳层，最终获得垂直排列的MWCNT@Cu阵列。
多壁碳纳米管复合催化剂制备方法和应用垂直排列玻璃碳多晶多壁碳纳米管阵列磁控溅射沉积纳米级尺度碳氢化合物催化还原催化活性竖直排列直接生长碳电极壳层可用二氧化碳沉积生长

[发明专利]高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法-CN201710242570.5有效
发明人：程国安;张权;王茜娟;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公布了一种高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法，即利用微纳操纵转移工艺，将碳纳米管阵列转移并固定在金属支撑体上，实现碳纳米管阵列与金属支撑体的高强度粘接，制备出具有高场发射电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。构建过程包括：利用化学气相沉积方法制备多壁碳纳米管阵列；利用微纳操纵和胶黏剂转移并固定碳纳米管阵列至金属支撑体，得到拥有高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。本发明通过提高碳纳米管阵列与基体的结合强度，实现高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列场发射冷阴极制备，拓展了一维纳米材料的应用领域。
碳纳米管阵列制备冷阴极金属支撑体时间稳定性高场发射多壁碳纳米管阵列场发射冷阴极化学气相沉积器件制备工艺一维纳米材料纳米管阵列固定碳胶黏剂可控性构建粘接拓展

[发明专利]一种多壁碳纳米管键合聚(3-己基噻吩)材料及其制备方法-CN201811339612.8有效
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管键合聚3‑己基噻吩材料及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将聚3‑己基噻吩平铺后与碳纳米管阵列置于保护气体气氛中进行一次紫外线照射处理，使得聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列发生接枝聚合反应，得到改性碳纳米管；将改性碳纳米管与聚3‑己基噻吩混合溶于溶剂中，超声处理后去除溶剂并干燥，得到多壁碳纳米管‑聚3‑己基噻吩混合物；将多壁碳纳米管‑聚3‑己基噻吩混合物平铺在基片上，然后置于保护气体气氛中进行二次紫外线照射处理，冷却，制得碳纳米管键合聚3‑己基噻吩材料。本发明解决了聚3‑己基噻吩不够稳定，导致其无法在微纳米级产品中应用的问题。
一种多壁碳纳米管键合聚噻吩材料及其制备方法

[发明专利]一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用-CN201410596631.4有效
发明人：郭霞;范修军;李冲;董建;刘白;刘巧莉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
一种单壁碳纳米垂直阵列碳化晶体复合材料制备及其电催化中的应用

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