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[实用新型]一种微晶硅薄膜太阳能电池-CN200820151742.4无效
发明人：郭群超;孔慧;林飞燕;邓柳;李启龙 -专利权人：上海交大泰阳绿色能源有限公司
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微晶硅薄膜太阳能电池，包括基底材料层、在基底材料层上方设有二氧化锡透明导电薄膜层，在二氧化锡透明导电薄膜层上方设有P型微晶硅层，在P型微晶硅层上方设有i型微晶硅层，在i型微晶硅层上方设有n型微晶硅层，在二氧化锡透明导电薄膜层与P型微晶硅层之间设有非晶硅层。本实用新型的优点是：采用廉价的二氧化锡导电膜作为微晶硅电池的前电极，利用P型非晶硅作为阻挡层，工艺简单，无需增加额外的设备，而且增加的P型非晶硅对电池的串联电阻和透光率无明显影响。
一种微晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池-CN201410242634.8有效
发明人：李孝峰;曹国洋;尚爱雪;李珂;张程 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n⁺型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n⁺型微晶硅层外的重掺杂p⁺型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n⁺型微晶硅层和重掺杂p⁺型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
一种微晶硅非晶硅径向纳米太阳能电池

[发明专利]太阳电池及其制备方法和用电设备-CN202310036559.9在审
发明人：张丽平;蓝仕虎;赵晖;李龙文;李俊;付昊鑫;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了太阳电池及其制备方法和用电设备，太阳电池包括：半导体基底、第一钝化层、第二钝化层、N型掺杂微晶硅层、P型掺杂微晶硅层、第一电极和第二电极；其中，N型掺杂微晶硅层包括第一N型掺杂微晶硅层和第二N型掺杂微晶硅层，与第二N型掺杂微晶硅层相比，第一N型掺杂微晶硅层具有较小的孔隙率；和/或，P型掺杂微晶硅层的结构与N型掺杂微晶硅层的结构类似。
太阳电池及其制备方法用电设备

[发明专利]一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201410321489.2有效
发明人：李新利;毛志平;马战红;李武会;任凤章;王宇飞;许荣辉;柳勇 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该电池包括衬底、透明导电薄膜、p型微晶硅薄膜窗口层、本征微晶硅薄膜吸收层、n型微晶硅层和背反射电极，所述p型微晶硅薄膜窗口层与本征微晶硅薄膜吸收层之间设有pi界面层，所述本征微晶硅薄膜吸收层与n型微晶硅层之间设有in界面层。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池，在掺杂层与本征层之间设置过渡界面层，改善了电池的界面性能和能带结构，有利于载流子的输出和收集，从而提高了电池的效率。
一种微晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]多结太阳能电池及其形成方法和设备-CN200710165351.8无效
发明人：崔寿永;蔡容基;盛殊然 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：该方法包括：形成第一p－i－n结，包括形成p型非晶硅层；在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层；及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层；以及在该第一p－i－n结上形成第二p－i－n结，包括形成p型微晶硅层；在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层；及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
太阳能电池及其形成方法设备

[发明专利]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法-CN201210497911.0无效
发明人：贾河顺;姜言森;程亮;任现坤;张春艳;孙继峰;马继磊;徐振华 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构和制备方法，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。本发明结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。
基于衬底接触 hit 太阳电池结构制备方法

[实用新型]基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构-CN201220643086.6有效
发明人：贾河顺;姜言森;程亮;任现坤;张春艳;孙继峰;马继磊;徐振华 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构，其结构为：N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层；背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上，p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜，金属电极位于透明导电薄膜上。本实用新型结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。
基于衬底接触 hit 太阳电池结构

[实用新型]一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池-CN201420869014.2有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华;周泗海 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其包括：N型硅片；设在N型硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的掺杂P型非晶硅层；设在掺杂P型非晶硅层上的掺杂P型微晶硅层；设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的掺杂N型非晶硅层；设在掺杂N型非晶硅层上的掺杂N型微晶硅层；分别设在P型微晶硅层和N型微晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在型硅片受光面和背光面ITO透明导电膜层上的金属栅线电极
一种具有非晶硅微晶硅复合 hit 太阳能电池

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN202111429426.5在审
发明人：连维飞 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基片，所述N型单晶硅基片的正面设有一层n+掺杂层，在n+掺杂层的表面沉积一层第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的n型非晶硅/微晶硅膜，最外层的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第一导电膜；所述N型单晶硅基片的背面设有一层第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的p型非晶硅/微晶硅膜，最外层的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第二导电膜。本发明在N型单晶硅基片主表面形成一层n+掺杂层，形成高低结，对光生载流子起到一定的分离作用，减少光生载流子的复合。
一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]一种双结层太阳能电池及其制造方法-CN200610039199.4无效
发明人：成顺康;黄金鹿;成砾;吴娟;王秀娟 -专利权人：姜堰新金太阳能光伏制造有限公司
申请日： 2006-03-23 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种双结层太阳能电池及其制造方法，其结构为基底(4)－银电极层(5)/金属氧化物透明导电层(6)/n型微晶硅(7)－i型微晶硅(8)－p型非晶硅或p型微晶硅(9)/金属氧化物透明导电层(10)/n型微晶硅(11)－i型非晶硅(12)－p型微晶硅(13)/ITO透明导电层(14)。底层p－i－n结中的i层由微晶硅形成，可避免太阳能电池因光照过久，产生光电性能衰退的现象，而上层的p－i－n结中的i层使用非晶硅镀制，由于非晶硅的光吸收效果较微晶硅为佳，使太阳能电池光谱吸收增大，可获得高效率的太阳能电池
一种双结层太阳能电池及其制造方法

[发明专利]制作P型穿隧层以改善双层堆叠太阳能之NP介面-CN201110293823.4无效
发明人：戴嘉男;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明是制作P型穿隧层以改善双层堆叠太阳能之NP介面。将已镀膜完背电极的玻璃放入到PECVD腔体，制作微晶硅N.I.P型薄膜，藉由调整参数，制作Bottom cell中微晶N型、I型、P型三层，接着是本发明在P型微晶镀膜后，利用TMB参杂进行P型非晶镀膜，制作P型非晶的目的是导电度高，且defect density大，可用作穿隧效应用，且因此膜层在PECVD腔体内制作，完成后再进行top cell的N型非晶、I型非晶及P型微晶，此部分用P型微晶制作宽的Band gap，让光入射可以让更多光能够穿透进入到I型内，完成后利用sputter制作前电极，即完成薄膜太阳能电池，藉由P型非晶来去除在Bottom cell P型微晶与Top cell N型非晶产生的内建电场
制作型穿隧层改善双层堆叠太阳能 np 介面

[发明专利]太阳电池及其制备方法-CN202310132510.3在审
发明人：韩宗谕;徐磊;王金 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池及其制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；在第一本征非晶硅层上沉积n型掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层上沉积p型掺杂非晶硅层；在n型掺杂非晶硅层上沉积n型掺杂微晶硅层；在p型掺杂非晶硅层上沉积p型掺杂微晶硅层；沉积n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层的气体压力为3Torr～5Torr，SiH4、掺杂气体和H2的流量比为1：(1～1.5)：(150～200)，启辉功率为2000W～3500W，启辉时间为100s～230s；利用碱溶液对n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层进行碱抛。
太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种微晶硅太阳能电池-CN201020271901.1有效
发明人：耿梅艳;李爱丽;李文艳;徐涛;孔伟;陶武松;江明政 -专利权人：通用光伏能源(烟台)有限公司
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微晶硅太阳能电池，包括基底材料(1)、在基底材料(1)之上设有二氧化锡透明导电膜(2)，在二氧化锡透明导电膜(2)的上方设有P型微晶硅薄膜(3)，在P型微晶硅薄膜之上设有i型微晶硅薄膜(4)，在i型微晶硅薄膜(4)之上设有n型微晶硅薄膜(5)，在n型微晶硅薄膜(5)之上设有背电极(6)，其特征在于：在二氧化锡透明导电膜(2)与P型微晶硅薄膜(3)之间设有氧化锌透明导电膜(7)。其工艺简单，制作的微晶硅薄膜太阳能电池廉价且效率高。
一种微晶硅太阳能电池

[实用新型]一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池-CN201620366899.3有效
发明人：魏国祯 -专利权人：南安市高捷电子科技有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池，涉及太阳能电池领域，包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板，所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一，所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二，所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅纳米线阵列，所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成，所述背板包括背电极层和封装层，该种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池可以在调整原有生产工艺后，提高太阳能电池的稳定性，提高了光电转换效率且降低成本，值得推广。
一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池

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