专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钻机-CN201610418940.1在审
  • 朱艳菊 - 朱艳菊
  • 2016-06-15 - 2016-08-17 - E02D5/46
  • 一种双钻机,前刀柱一、后刀柱一、前刀柱二、后刀柱二以及前凹刀柱、后凹刀柱在转动中将其下端的土体切削;前刀柱一、后刀柱一在转动中将左端切削成圆弧端头,前刀柱二、后刀柱二在转动中将右端切削成圆弧端头;切削掉的土体混在泥浆中,高压水不断加注,泥浆不断从孔中流出孔外,钻杆在向下压进过程中形成一个左右两端分别带有两个圆弧端头的孔,在此孔中浇筑混凝土、形成混凝土插扣桩。
  • 双凸圆钻机
  • [发明专利]块及晶块的制造方法-CN201811629014.4在审
  • 陈浩 - 颀中科技(苏州)有限公司
  • 2018-12-28 - 2020-07-07 - H01L23/488
  • 本发明提供了一种晶块及晶块的制造方法,所述晶块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间,所述晶块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层,所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。本发明的晶块可以防止第一金属层氧化。本发明的晶块的制造方法,工艺简单,制得的晶块抗氧化性高,且可以抵抗两种金属之间存在电位差而造成的贾凡尼效应。
  • 晶圆凸块制造方法
  • [发明专利]隧道钻进机-CN201610386777.5在审
  • 王乐贵 - 王乐贵
  • 2016-06-05 - 2016-09-28 - E21D9/11
  • 一种隧道钻进机,工作时,电动机一驱动上半刀柱一和下半刀柱一正转,电动机三驱动上半刀柱二和下半刀柱二反转,电动机二驱动上半凹刀柱正转,电动机二驱动下半凹刀柱反转,上半刀柱一、下半刀柱一、上半刀柱二、下半刀柱二以及上半凹刀柱、下半凹刀柱在转动中将其下端的土体切削;上半刀柱一、下半刀柱一在转动中将左端切削成圆弧头,上半刀柱二、下半刀柱二在转动中将右端切削成圆弧头;切削的土体传入输送装置中,由输送装置输送到隧道外;隧道钻进机在推进过程中形成左右两端分别带有圆弧的隧道。
  • 隧道钻进
  • [发明专利]电铸晶-CN201210023766.2无效
  • 李真明;周涛;黎盼;陈英;余文龙 - 昆山美微电子科技有限公司
  • 2012-02-03 - 2012-07-04 - H01L23/488
  • 本发明属于覆晶封装技术领域,尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶块,包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅块;所述的锡铅块为多个,厚度为0.02~0.2mm,锡铅块为100~200个,块间距为100~200μm;锡铅块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层;锡铅球本体为倒置的球形,材料为锡铅合金,锡铅球本体的高度为50~80μm。本发明具有的有益效果为:晶块采用锡铅合金材料,制造成本较低;采用电铸的方法生成晶块,生产效率高,块间距较稳定地控制于150μm以下,精度高,能获得质量稳定的电铸晶块。
  • 电铸晶圆凸块
  • [实用新型]块结构-CN201020192404.2有效
  • 朱贵武;璩泽明 - 茂邦电子有限公司
  • 2010-05-17 - 2010-12-22 - H01L23/482
  • 一种晶块结构,包括晶状态半导体芯片、前处理层、第一化镀保护层及数个柱状块;该半导体芯片包括芯片垫及设开孔的保护层,该前处理层堆栈于半导体芯片的芯片垫的外露表面上;该第一化镀保护层堆栈于该前处理层上、该保护层的开孔侧壁及该保护层于该开孔外部的表面上;所述柱状块堆栈于该第一化镀保护层上及该保护层部分表面上,各柱状块由可视需求高度成形的导电金属层、及与该导电金属层外周缘呈紧密结合状包覆的第二化镀保护层所组成
  • 晶圆凸块结构
  • [实用新型]电铸晶-CN201220034180.1有效
  • 李真明;周涛;黎盼;陈英;余文龙 - 昆山美微电子科技有限公司
  • 2012-02-03 - 2012-09-26 - H01L23/488
  • 本实用新型属于覆晶封装技术领域,尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶块,包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅块;所述的锡铅块为多个,厚度为0.02~0.2mm,锡铅块为100~200个,块间距为100~200μm;锡铅块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层;锡铅球本体为倒置的球形,材料为锡铅合金,锡铅球本体的高度为50~80μm。本实用新型具有的有益效果为:晶块采用锡铅合金材料,制造成本较低;采用电铸的方法生成晶块,生产效率高,块间距较稳定地控制于150μm以下,精度高,能获得质量稳定的电铸晶块。
  • 电铸晶圆凸块
  • [发明专利]圆弧插扣搅拌桩机-CN201610425427.5在审
  • 朱艳菊 - 朱艳菊
  • 2016-06-15 - 2016-08-17 - E02D5/46
  • 一种双圆弧插扣搅拌桩机,电动机一驱动前刀柱一和后刀柱一正转,电动机三驱动前刀柱二和后刀柱二反转,电动机二驱动前凹刀柱正转,电动机二驱动后凹刀柱反转,前刀柱一、后刀柱一、前刀柱二、后刀柱二以及前凹刀柱、后凹刀柱在转动中将其下端的土体与水泥浆搅拌;前刀柱一、后刀柱一在转动中将左端搅拌成圆弧端头,前刀柱二、后刀柱二在转动中将右端搅拌成圆弧端头;钻杆在向下压进过程中形成一个左右两端分别带有两个圆弧端头的水泥土插扣桩
  • 圆弧搅拌

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