专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]纳米场发射阴极及其制备方法和应用-CN201510998034.9在审
  • 洪序达;梁栋;石伟 - 深圳先进技术研究院
  • 2015-12-25 - 2016-04-20 - H01J1/304
  • 本发明公开了一种纳米场发射阴极及其制备方法和应用。本发明纳米场发射阴极包括导电基板、形成于所述导电基板表面的碳纳米管层和形成于所述碳纳米管层外表面的二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。本发明纳米场发射阴极制备方法包括在导电基板表面形成碳纳米管层的步骤和在碳纳米管层表面形成二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层的步骤。本发明纳米场发射阴极具有大量有效的发射尖端,其场发射电压低,电流大,且发射性能稳定,其制备方法保证了纳米场发射阴极的性能稳定,降低了其生产成本。
  • 纳米发射阴极及其制备方法应用

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