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[发明专利]一种密勒电阻补偿电路-CN201410421307.9有效
发明人：李亚 -专利权人：长沙瑞达星微电子有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：密勒效应在集成电路设计中得到广泛的应用，密勒效应可以有效的改变结点的等效阻抗，本发明公开了一种利用电阻的密勒效益，分离反馈电阻串的一对零极点，实现零点补偿的方法；本发明的电路由主电路和密勒电阻补偿电路构成，而密勒电阻补偿电路由反馈电阻串、运放、密勒电阻、补偿电容组成。
一种电阻补偿电路

[发明专利]一种密勒补偿结构的运算放大器-CN201310439460.X在审
发明人：樊晓华 -专利权人：南京中科微电子有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种密勒补偿结构的运算放大器，包括：第一级放大器、电平位移电路、第二级放大器以及密勒补偿电路，其中，所述密勒补偿电路为RC低阻节点密勒补偿电路。在第一级运算放大器采用具有低阻节点RC密勒补偿技术，将第一级差分小信号输出的电压变化处理至低阻点，并在该点做密勒补偿，与传统两级运算放大器的密勒补偿结构相比较，具有更大的运算放大器单位增益带宽。
一种补偿结构运算放大器

[实用新型]一种去密勒效应电路-CN202321503435.9有效
发明人：周小平 -专利权人：珠海宝兰德科学技术有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种去密勒效应电路，包括共基极三极管，共基极三极管的一侧设置有共射极电路，共射极电路和共基极三极管的一侧设置有基极直流偏置。Q2的引入，使得Q1的集电极交流接地，于是“密勒效应”就不存在了，采用本电路成本低，此电路以小的改变，带来良好的效果，并且成本只有很小的增加。
一种去密勒效应电路

[发明专利]一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器-CN201710394927.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长沙方星腾电子科技有限公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器，属于半导体集成电路技术领域。该密勒补偿电路包括第一电容C1、第二电容C2和第一电阻R1；第二电容C2、第一电阻R1、第一电容C1依次串联构成弥勒补偿电路。本发明还提供了一种包括弥勒补偿电路的运算放大器，本发明带密勒补偿电路的运算放大器在传统密勒补偿电路的基础上，增加了第二电容C2接于运算放大器第一级的输出端。与传统的密勒补偿电路相比，本发明的密勒补偿电路在增加运算放大器稳定性的同时，并不会减小其带宽，大大提高了运算放大器的性能。
一种用于运算放大器补偿电路

[实用新型]改进型密勒码编码电路-CN200920073935.7有效
发明人：陈亮 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H03M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进型密勒码编码电路，包括：位时钟发生器，通过系统时钟和通讯速率选择信号产生指定通讯速率的位时钟信号；曼彻斯特编码器，将单极性不归零码码流转换生成临时的曼彻斯特码流；调制脉冲宽度参数转换电路，根据通讯速率的选择产生合适的调制脉冲宽度控制参数；调制脉冲宽度控制计数器电路，产生控制改进型密勒码的调制脉冲宽度的计数器；改进型密勒码编码器，编码产生可配置调制脉冲宽度的改进型密勒码。本实用新型可以涉及多种通讯速率模式的选择配置，能够自由配置调制脉冲宽度，支持输入源为曼彻斯特码的改进型密勒码编码通道。本实用新型产生的改进型密勒码兼容ISO/IEC 14443 TypeA类型接口标准。
改进型密勒码编码电路

[发明专利]一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET-CN202110374985.4有效
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）可以将密勒电容上的充放电电流通过单片集成的BJT（双极型晶体管）泄放到源极且只产生少量的栅源压降，这有效的降低了由于密勒电容充放电而造成的功率
一种具有密勒钳位功能功率 mosfet

[发明专利]自适应密勒补偿型电压调节器-CN200910151456.7有效
发明人：郜小茹;彭韶华 -专利权人：意法半导体研发(上海)有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：一种线性电压调节器包括具有可移动零点的密勒频率补偿，该自适应密勒补偿在负载条件改变时跟踪负载极点的频率。补偿型电压调节器在可变负载条件之下维持稳定。由于密勒效应，所以没有为了稳定而牺牲直流开路增益和带宽。补偿型电压调节器因此可以维持高的电源抑制比(PSRR)。
自适应补偿电压调节器

[实用新型]动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器及电子设备-CN201720385407.X有效
发明人：宋登明;聂海 -专利权人：成都信息工程大学;成都市海芯微纳电子科技有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器，包括带隙基准电源、误差放大器、缓冲器以及功率调整管，所述动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器还包括动态密勒补偿电路；所述动态密勒补偿电路包括电阻本实用新型功耗低，效率高，由于动态密勒补偿电路采用PMOS作线性电阻连接的设计，使得电路具有非常恒定的带宽，大大提高了系统瞬态响应的能力，并且提高了稳压器环路的稳定性。
动态补偿 cmos 低压线性稳压器电子设备

[发明专利]一种低密勒电容的VDMOS器件-CN202111682678.9在审
发明人：高巍;李曦;周春颖;任敏;叶钰麒;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏的交叠面积大大减小，实现了对密勒电容的有效降低因此，本发明结构在保证VDMOS原有的基本电学性能的基础上，有效地降低了密勒电容，减小了器件的开关损耗。
一种低密勒电容 vdmos 器件

[发明专利]基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元-CN201410084629.9在审
发明人：王海滨;林善明;谢迎娟;单鸣雷;刘玉宏;刘翔 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。本发明的有益之处在于：在DICE存储单元的节点之间连接交叉耦合密勒电容，可以实现用较小的电容获得较大的电容。在电路尺寸上，密勒电容不会明显增加器件面积，可以满足集成电路尺寸越来越小的要求。交叉耦合密勒电容的增加提高了节点翻转的临界点电荷，降低了相同数量的收集电荷能够引起的节点电压的改变，增加了DICE存储单元两个反相器之间的反馈延时时间，提高了DICE存储单元多节点抗SEU加固能力，避免两个节点同时受到辐射影响可能发生反转现象
基于交叉耦合密勒电容抗 seu 加固新型存储单元

[发明专利]电力变换装置-CN200710084707.5无效
发明人：重田哲;藤野伸一;桥元庆太;濑户贞至 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：将成为上桥臂的开关元件和成为下桥臂的开关元件串联连接在从直流电源施加直流电压的+端子和－端子间，对流向各元件的电流IU、IL进行切换，从输出端子O向电动机等负载供给输出电流IO，作为各开关元件使用在主开关元件中设置有密勒元件的带密勒元件的MOSFET，在各密勒元件上分别设置电流检测电路，通过它们将流过密勒元件的密勒电流IU_M、IL_M作为检测信号S_IU、S_IL
电力变换装置

[实用新型]一种可调密勒补偿的开关电容放大器-CN202121855032.1有效
发明人：郭亚炜 -专利权人：无锡彼星半导体有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调密勒补偿的开关电容放大器，涉及电子电路领域，该开关电容放大器包括运算放大器及连接在运算放大器外部的放大器外围电路，运算放大器内部包括可调密勒电容，放大器外围电路和可调密勒电容均受控于开关电容放大器的控制信号放大器外围电路受控于第一控制信号使得开关电容放大器工作于放大相位，且运算放大器内部的可调密勒电容受控于第一控制信号具有容值较小的第一容值，环路带宽较大，具有较快的阶跃响应速度。放大器外围电路受控于第二控制信号使得开关电容放大器工作于复位相位，且运算放大器内部的可调密勒电容受控于第二控制信号具有较大的第二容值，环路带宽较窄，可保证环路具有充足的相位裕度。
一种可调补偿开关电容放大器

[发明专利]一种波形控制系统-CN201710665841.8在审
发明人：王陈伟 -专利权人：王陈伟
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种波形控制系统，包括密勒积分电路、施密特电路、施密特触发器和电源VCC，密勒积分电路输出端连接施密特电路，施密特电路输出端分别连接施密特触发器输入端和滤波电路输入端，施密特触发器输出端连接密勒积分电路输入端，所述电源VCC分别为密勒积分电路和施密特触发器供电，所述滤波电路输出端连接系统的输出端Vo。
一种波形控制系统

[发明专利]一种增大放大器密勒电容的电路-CN202210268243.8在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大放大器密勒电容的电路，包括密勒电容、功率继电器、延时自动恢复电路、漏电检测电路、防反接保护电路及过热保护电路；延时自动恢复电路包括微信号强电控制电路、强弱电转电路、小功率继电器及延时继电本发明不仅能够实时地执行漏电保护断开主电路，并可以在延时一定时间后进行自动恢复，可以有效地缩短漏电保护断电故障的时间，降低漏电保护断电故障造成的经济损失，而且还可以起到防反接和过热保护的效果，从而可以有效地避免密勒电容因过热或反接而导致的损坏现象的发生，有效地延长密勒电容的使用寿命。
一种增大放大器电容电路

[发明专利]一种带有密勒钳位功能的多电平功率器件栅极驱动器-CN202310273395.1有效
发明人：李志坚;陈康平;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有密勒钳位功能的多电平功率器件栅极驱动器，针对现有技术中功率管栅极串扰等问题提出本方案。主要包括多电平驱动产生模块以及在输入逻辑电路与功率管栅极之间设有并行的上拉驱动链路、下拉驱动链路和有源密勒钳位链路；所述多电平产生模块在功率管关断时生成功率管源极控制电平，所述有源密勒钳位链路在输入逻辑电路输出的控制信号为低时，在一定延时后开启以释放密勒电流至地。
一种带有密勒钳位功能电平功率器件栅极驱动器

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