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[发明专利]化学机械抛光液-CN201711350297.4在审
发明人：杨云忠 -专利权人：新昌县祥云机械有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含磨料、有机酸类速率增助剂、氧化剂、缓蚀剂和去离子水，所述缓释剂由5‑氨基四氮唑和/或苯基巯基四氮唑组成。本发明所述的化学机械抛光液，具有更好的缓蚀效果，且抛光速率较高且可调，可对晶片在前序制备过程中的缺陷有较强的修复作用。
化学机械抛光液苯基巯基四氮唑氨基磨料氧化剂速率增助剂缓蚀效果去离子水有机酸类制备过程抛光缓蚀剂缓释剂四氮唑晶片可调修复

[发明专利]化学机械抛光液-CN201110072199.5无效
发明人：王良咏;宋志棠;刘卫丽;刘波;钟旻;何敖东 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。相较于现有技术，本发明提供的化学机械抛光液，可实现对相变材料/底层介质材料可控选择比(1：1至180：1)的去除，且能保证相变材料在抛光后相变性质不改变、表面光洁无划痕，满足相变存储器CMP工艺要求。
化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201710577413.X在审
发明人：徐志国;王良咏;李彦军;徐宇恒 -专利权人：浙江晶圣美纳米科技有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，属于蓝宝石衬底的化学机械抛光技术领域。本发明所述的一种化学机械抛光液包含纳米磨料、邻苯二酚和含水载体。此化学机械抛光液尤其适合超硬材料蓝宝石的化学机械抛光。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液及化学机械抛光方法-CN202010686009.8有效
发明人：张力飞;王同庆;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液及化学机械抛光方法，其中方法包括以下步骤：a.配置化学机械抛光液，其中，所述化学机械抛光液含有1～10％的胶体二氧化硅、1‑20mM的过硫酸钾、1‑20mM的苯并三氮唑以及余量的水和pH调节剂，使得所述抛光液pH为10‑11；b.以100‑300mL/min的流量向化学机械抛光垫散布抛光液并对承载头施加1‑2psi的压力，对基板的铜互连钴阻挡层结构进行60‑120s的化学机械抛光作业
一种化学机械抛光方法

[发明专利]一种钨化学机械抛光方法-CN201010526490.0有效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨化学机械抛光方法，包括下列步骤：(a)将一化学机械抛光液前体与一活性还原剂掺混，以制备化学机械抛光液；和(b)将所述化学机械抛光液用于钨的化学机械抛光；其中：所述活性还原剂可以显著提高氧化剂的活性和氧化效率本发明的化学机械抛光液前体中同时存在两种或两种以上的氧化剂，在加入活性还原剂之后，可以使得失去活性的氧化剂恢复氧化活性并提高氧化效率，从而最终获得很高的抛光速度。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN201010533829.X有效
发明人：王晨;何华锋 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包括：水，研磨剂和强氧化剂，所述强氧化剂的标准电极电位大于0.52V。本发明的化学机械抛光液中加入了强氧化剂可以获得很高的抛光速度，加速了碳元素的化学机械抛光。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202011443385.0在审
发明人：贾长征;李守田 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，含有氧化铈研磨颗粒，曲酸和pH调节剂。本发明中的化学机械抛光液能够有效降低抛光速率对压力的敏感性，同时能够保证适当的抛光速率的抛光液。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202011443410.5在审
发明人：贾长征;李守田 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，含有氧化铈研磨颗粒，羟胺衍生物和pH调节剂。本发明中的化学机械抛光液能够有效降低抛光速率对压力的敏感性，同时能够保证适当的抛光速率的抛光液。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法-CN202110198261.9在审
发明人：卞鹏程;崔晓坤;王庆伟 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜化学机械抛光液及其应用和化学机械抛光方法，该抛光液包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜化学机械抛光过程中，本发明的铜化学机械抛光液能够满足前两步抛光步骤合并成一步抛光的使用要求，从而优化铜的抛光工艺、提高抛光效率。
一种化学机械抛光及其应用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201710570204.2在审
发明人：李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。
化学机械抛光液二氧化硅介质氧化铈磨料配方表面抛光抛光低聚糖缺陷度应用

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201710570211.2在审
发明人：李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料、低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。
化学机械抛光液二氧化硅介质氧化铈磨料配方表面抛光抛光低聚糖缺陷度应用

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200810201029.0无效
发明人：王晨;杨春晓 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、过氧化氢、过硫酸盐和水，所述的化学机械抛光液的pH为9～12。本发明的化学机械抛光液具有较高的钨的去除速率。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200980137056.9有效
发明人：王晨 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、过氧化氢、过硫酸盐和水，所述的化学机械抛光液的pH为9～12。本发明的化学机械抛光液具有较高的钨的去除速率。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种GST中性化学机械抛光液-CN201210586914.1有效
发明人：闫未霞;王良咏;刘卫丽;宋志棠 -专利权人：上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光液。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2-30wt%；氧化剂0.01-5wt%；表面活性剂0.01-4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6-8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO₂抛光颗粒，在pH值6-8范围内，zeta电位的绝对值30-80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
一种 gst 中性化学机械抛光

[发明专利]一种硅通孔的化学机械抛光方法及系统-CN201410004990.6在审
发明人：杨涛;卢一泓;张月;崔虎山;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔的化学机械抛光方法，包括：利用加热后的抛光液进行硅通孔的金属层的化学机械抛光。本发明对化学机械抛光中用到的抛光液进行加热，来提高抛光液对硅通孔的金属层表面的氧化能力，进而提高对金属层的去除速率。
一种硅通孔化学机械抛光方法系统

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