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[发明专利]化学增幅型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201880012894.2有效
发明人：林敏映;金智慧;金容美 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及化学增幅型光致抗蚀剂组合物、由所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物产生的光致抗蚀剂图案、以及用于制备化学增幅型光致抗蚀剂图案的方法，所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物包含碱溶性树脂和具有预定结构的聚合物光致产酸剂
化学增幅型光致抗蚀剂组合光致抗蚀剂图案用于制备方法

[发明专利]一种检测谷胱甘肽的光致电化学传感器制备方法-CN201810998383.4有效
发明人：混隽雅 -专利权人：混隽雅
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明属于分析化学与光致电化学传感器领域，具体为一种检测谷胱甘肽的光致电化学传感器制备方法及应用。另外，本发明还涉及采用制备的光致电化学传感器测定谷胱甘肽的方法。用nano SnSe和nano HTLC复合材料修饰碳糊电极，构建光致电化学传感器，当谷胱甘肽存在时，传感器的光致电化学信号发生变化，据此实现对谷胱甘肽的测定。方法具有简单、灵敏度高的优势。
一种检测谷胱甘肽致电化学传感器制备方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201610683813.4有效
发明人：邱威超;王志谦;许峰嘉;郭景森;张浚威;曾凱 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
制造半导体装置方法

[发明专利]一种能长时间储存的户外消光剂及其使用方法-CN202210439373.3在审
发明人：张草根 -专利权人：佛山市客临登新材料有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C09D7/42 文献下载
摘要：本发明涉及消光剂领域，公开了一种能长时间储存的户外消光剂及其制备方法，户外消光剂由內挤化学消光剂和外混物理消光剂组成，包括以下步骤，S1：制得羟基丙烯酸树脂粉末；S2：将羟基丙烯酸树脂粉末与辅助试剂(可不添加)进行混合，将內挤化学消光剂与粉末涂料混合封装；S3：将外混物理消光剂封装，于常温下保存；S4：需要使用户外消光剂时，将含有內挤化学消光剂的粉末涂料与外混物理消光剂混合均匀后即可使用。通过将化学消光剂和物理消光剂分开封存保存，使得外混物理消光剂不会催化內挤化学消光剂与粉末涂料的反应，能够大大延长內挤化学消光剂与粉末涂料的储存时间，其光泽度能够达到相对传统消光剂来说更低的数值，且其流平不会改变
一种长时间储存户外消光剂及其使用方法

[实用新型]一种侧瀑布流化学抛光系统装置-CN201920688819.X有效
发明人：吴任平 -专利权人：吴任平
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23F3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种侧瀑布流化学抛光系统装置，涉及到化学抛光设备领域，包括剖光箱、水泵和电机，所述水泵的一侧固定连接有输水管，所述输水管的一端位于剖光箱的内部，所述剖光箱的内部一侧固定连接有固定板，所述固定板的一侧固定连接有导流板，所述剖光箱的一侧固定安装有固定块，所述固定块的中部开设有旋转槽，所述旋转槽的内部活动安装有旋转板，所述电机的一侧活动安装有转轴。本实用新型通过导流板的设置，使对通过水泵进入剖光箱内的化学剖光试剂溶液进行导向，使化学剖光试剂溶液输送在剖光件的正上方，通过电机能带动剖光件转动，从而使化学剖光试剂溶液对剖光件的化学剖光更全面，对剖光件的整体处理效果更好
光件光箱光试剂水泵本实用新型电机化学抛光活动安装导流板固定板固定块输水管旋转槽对剖溶液输送设备领域系统装置整体处理瀑布流旋转板转轴转动

[发明专利]用以形成多层式光罩的方法-CN201811142966.3在审
发明人：徐崇威;苏煜中;吴振豪;李胜男;蔡宗霖;蔡腾群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用以形成多层式光罩的方法包含在目标结构上形成碳涂(spin‑on carbon；SOC)层；化学处理该碳涂层的上部分；在碳涂层上形成牺牲层；在牺牲层上进行化学机械研磨程序，直到抵达碳涂层，其中该碳涂层经化学处理的上部分对该化学机械研磨程序的阻抗高于牺牲层对该化学机械研磨程序的阻抗；在化学机械研磨程序后，于碳涂层上形成图案化光阻层；以及使用图案化光阻层作为光罩，蚀刻目标结构。
碳涂层化学机械研磨牺牲层光罩图案化光阻层化学处理多层式阻抗目标结构蚀刻目标

[实用新型]光电化学太阳电池测试仪-CN201220233996.7有效
发明人：杨良 -专利权人：北京赛凡光电仪器有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电化学太阳电池测试仪，包括提供测试所需光辐射的光源、光路选择器、单色器、太阳模拟器光路、光功率测试器件、光电化学样品池和电化学工作站，其中，光路选择器将所述光源的光辐射分为两路，第一路光进入单色器转换成单色光、第二路光进入太阳模拟器光路转换成标准AM太阳模拟光源，光电化学样品池内盛放有液性样品，光功率测试器件和光电化学样品池交互分别与所述单色光、标准AM太阳模拟光源对准，接收其光辐射并测量设定参数，光功率测试器件和光电化学样品池均与电化学工作站连接，电化学工作站控制设定参数的测量并收集该设定参数。
光电化学太阳电池测试仪

[发明专利]一种不同湿度下大气中有机酸的在线准确定量光致化学电离质谱系统和方法-CN202310824688.4在审
发明人：侯可勇;张永磊;刘瑞东;厉梅 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明涉及不同湿度下大气中有机酸的在线准确定量光致化学电离质谱系统和方法，属于质谱分析检测领域。包括，光致化学电离源和质谱仪；光致化学电离源包括试剂离子气体发生装置、光致化学电离区和湿度定量校准装置，光致化学电离区从上到下依次设置真空紫外灯、推斥电极、变径电极和片段射频传输电极。本发明采用变径电极设计将光致化学电离区分为光电离试剂离子部分和化学电离部分，试剂气体从光电离试剂离子部分通过变径电极进入化学电离部分，避免高湿度样品消耗真空紫外灯释放的光子；在化学电离部分增加湿度定量校准装置
一种不同湿度大气有机酸在线准确定量化学电离谱系方法

[发明专利]形成图形的方法和在其中使用的处理剂-CN01818879.6有效
发明人：居岛一叶;高野祐辅;田中初幸;船户觉 -专利权人：克拉瑞特国际有限公司
申请日： 2001-10-24 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：形成抗蚀图形的方法，包括以下步骤：(a)涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜，(b)在化学放大光致抗蚀剂膜上涂覆pH值为1.3到4.5的处理剂，(c)在涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜和涂覆所述的处理剂这两步的至少一步之后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，(d)选择性地，将所述的化学放大光致抗蚀剂膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，和(f)将所述的化学放大光致抗蚀剂膜显影，其中在用水去除光致抗蚀剂上的处理剂和在显影前旋转干燥后，比不涂覆处理剂的情况，化学放大光致抗蚀剂薄膜未曝光部分和显影液的接触角降低了10°到110°。使用此方法，在光致抗蚀剂膜上的显影溶液的湿润性得到了提高，因为在处理剂中含有例如有机酸的酸性成份，所以减小了漂浮的碱性物质的影响，从而形成了具有良好形状的图形。
形成图形方法其中使用处理

[发明专利]基于边缘强化学习的光伏发电MPPT控制系统-CN202310220410.6在审
发明人：孙全喜;占生辉;王超;麻红波;刘鹏 -专利权人：华能新疆能源开发有限公司新能源东疆分公司;北京华能新锐控制技术有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G05F1/67 文献下载
摘要：一种基于边缘强化学习的光伏发电系统MPPT控制系统，其中包括，光伏发电系统、边缘计算设备、传感器，边缘计算设备中内嵌有光伏电站MPPT算法模块和强化学习算法模块；MPPT算法模块将其得到的最大功率连续跟踪信号传送至光伏发电系统；强化学习算法模块通过设置一个奖励机制指导智能体准确学习光伏发电系统的最大功率点，进而输出至MPPT算法模块进行优化；通过强化学习实现了虚拟模型与实际光伏发电系统之间的实时信息交互；强化学习与MPPT算法互补改善了光伏电站
基于边缘强化学习发电 mppt 控制系统

[发明专利]多官能光致产酸剂和包含其的用于厚层的化学增幅型光致抗蚀剂组合物-CN201880013367.3有效
发明人：林敏映;李泰燮;朴贤旻 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致产酸剂和包含其的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物，其中光致产酸剂具有优异的溶解度和感光度，并且除了作为光致产酸剂的效果之外，还具有抗腐蚀效果。因此，包含所述光致产酸剂的用于厚膜的化学增幅型光致抗蚀剂组合物减少了在显影之后在曝光部分处的浮渣和/或基脚。光致产酸剂由以下化学式1表示。在化学式1中，各取代基的限定与说明书的详细描述相同。[化学式1]
官能光致产酸剂包含用于化学增幅型光致抗蚀剂组合

[发明专利]一种光伏驱动电化学处理系统及其处理方法和应用-CN201810469616.1在审
发明人：张顺喜;岳振;胡纯;李建芬 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏驱动电化学处理系统及其处理方法和应用。该光伏驱动电化学处理系统包括顺次连接的：电化学处理单元I；过滤单元；电化学处理单元II；所述光伏驱动电化学处理系统还包括光伏电源驱动单元。由于采用的是可再生光伏能源提供电力，又无需额外投加化学试剂，因而处理成本大大降低；效率高、运行稳定，能在短时间内改善水质，较好地克服了传统物理化学法和生物生态法的不足，非常适合微污染景观水体的治理。
电化学处理系统光伏驱动电化学处理单元物理化学法光伏电源过滤单元化学试剂景观水体能源提供驱动单元生物生态顺次连接运行稳定微污染再生光应用水质治理

[发明专利]一种光伏、电锅炉联合电化学储能的清洁供暖系统-CN202211146186.2在审
发明人：王艺博;赵丰;牛宗涛;温福新;梁锐 -专利权人：中国大唐集团科学技术研究总院有限公司西北电力试验研究院;中国大唐集团科学技术研究总院有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02S10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏、电锅炉联合电化学储能的清洁供暖系统，包括光伏系统、电化学储能系统（7）和电锅炉（8）；光伏系统包括光伏逆变器，光伏逆变器将光伏系统的直流电转换为交流电；光伏系统输出端通过光伏逆变器分别与电化学储能系统（7）与电锅炉（8）相连接；电化学储能系统（7）输出端与电锅炉（8）相连接。本发明采用光伏、电锅炉联合电化学储能的方式以实现农村或牧区的集中供暖，可以在农村房屋屋顶或牧区周边空地建设光伏发电装置，并配合储能系统，在白天光伏出力时，带动电锅炉运行并对储能系统进行充电，在光伏出力不足或夜间光伏停止出力时由储能系统带动电锅炉运行
一种电锅炉联合电化学清洁供暖系统

[发明专利]一种基于动态规划算法的光伏场站侧电化学储能充放电计划制定方法-CN201910313548.4有效
发明人：雷震;杨金喜;陆圣芝;吴志坚;王升波;詹昕;陈艳;李培培;陈正华;吴佳佳;张继慧 -专利权人：国网江苏省电力有限公司扬州供电分公司;国网江苏省电力有限公司;东南大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H02J3/28 文献下载
摘要：一种基于动态规划算法的光伏场站侧电化学储能充放电计划制定方法，涉及平滑光伏发电技术领域。提供了一种减少光伏发电波动对电网的影响，提高储能资源利用率的方法。通过获取日前光伏发电预测功率和光伏场站侧电化学储能的基本信息，采用动态规划方法根据以上信息建立光伏场站侧电化学储能充放电计划的数学模型，以最小化光伏发电曲线方差为目标确定目标函数，以此计算出光伏站场侧电化学储能充放电功率的最优解该方法通过改变光伏站场侧电化学储能充放电功率的方式，减少光伏发电曲线波动对电网的影响，提高储能资源利用率，有利于维护电网安全稳定和光伏电站经济运营。
一种基于动态规划算法场站电化学储能充放电计划制定方法

[发明专利]化学增幅正型光阻组合物及光阻图案形成方法-CN200910262157.0有效
发明人：田中启顺;武田隆信;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有被叔烷基保护的酚性羟基的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法
化学增幅正型光阻组合图案形成方法

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