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[发明专利]光电二极管及其制作方法、阵列基板-CN201910543884.8有效
发明人：陈建友;陈健;钟彩娇;周婷;沈柏平 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电二极管及其制作方法、阵列基板，光电二极管包括：衬底基板、位于衬底基板一侧的第一掺杂层、位于第一掺杂层远离衬底基板一侧的本征层、位于本征层远离衬底基板一侧的第二掺杂层；本征层的至少一部分为光电转换增强部，光电转换增强部包括多个金属氧化物颗粒；光电二极管至少包括第一部、第二部、第三部、第一电极、第二电极。光电二极管的制作方法用于制作上述光电二极管。阵列基板包括多个阵列排布的薄膜晶体管和多个上述光电二极管。本发明可以增加光电二极管的光通量，提高光电转化效率，并且无需引入多膜层设计、无需改变原有膜层结构，通过低成本材料结合低成本工艺即可提高光电二极管灵敏度。
光电二极管及其制作方法阵列

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200510103167.1无效
发明人：任劤爀 -专利权人：东部亚南半导体株式会社
申请日： 2005-09-20 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，能够修复、修补、和/或保护光电二极管区的表面，以及改善该图像传感器的特性。该方法包括以下步骤：形成光电二极管区和多个晶体管；将预定离子注入光电二极管区的表面；以及通过氧化在光电二极管区的表面上形成表面氧化膜。从而，可以恢复或修补在不同制造处理期间损坏的光电二极管的表面，减少或最小化光电二极管在随后的处理期间的表面渗漏，以及通过增加在光电二极管上的入射光来改善图像传感器的特性。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]像素阵列及其形成方法-CN202110198976.4在审
发明人：林俊豪;谢丰键;郑允玮;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素阵列及其形成方法，像素阵列可包含位于像素感测器的光电二极管下方的气隙反射结构，以反射光子，否则光子将部分折射或散射通过光电二极管的底表面。气隙反射结构可将光子向上朝着光电二极管反射，使得光子可被光电二极管吸收。此举可能增加由光电二极管吸收的光子的数量，可提高像素感测器及像素阵列的量子效率。
像素阵列及其形成方法

[发明专利]CMOS图像传感器的制造-CN200710141092.5无效
发明人：吕寅根 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：形成在P型半导体衬底中并具有比半导体衬底高的杂质浓度的P型光电二极管。设置在P型光电二极管上深度距半导体衬底的表面小于大约0.15μm的N型光电二极管。由P型光电二极管和N型光电二极管的结所提供的耗尽层。
cmos 图像传感器制造

[发明专利]像素单元、图像传感器及其制造方法-CN201811402972.8在审
发明人：张超 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面，提供了一种像素单元，所述像素单元形成在半导体衬底中，所述像素单元包括：光电二极管，能够响应于入射光而生成电荷；浮动扩散部，位于光电二极管的至少一部分之上；以及势垒区，位于光电二极管与浮动扩散部之间，以将光电二极管和浮动扩散部隔离开；其中势垒区被配置用于控制由光电二极管生成的电荷从光电二极管到浮动扩散部的传输。
光电二极管像素单元浮动扩散部图像传感器电荷势垒区入射光衬底半导体制造隔离传输响应配置

[发明专利]遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法-CN202110814988.5在审
发明人：方欣欣 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器，包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管位于所述衬底内部；介质层，所述介质层位于所述衬底内部并将所述光电二极管相隔开；存储器，所述存储器位于所述光电二极管之间；遮光结构，所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的反光板以及位于光电二极管上方横向的遮光板本发明利用横向的遮光板阻止正入射及小角度入射光，利用纵向的反光板反射较大角度的斜入射光，由此来消除寄生光效应，降低图像传感器中寄生光对存储器的影响；反射回去的光可以被光电二极管吸收，从而进一步提高光电二极管的灵敏度
遮光结构图像传感器制备方法

[发明专利]使用用于相位检测自动聚焦及图像感测光电二极管的三次读出方法的图像传感器-CN202210554793.6在审
发明人：王睿 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本公开涉及使用用于相位检测自动聚焦及图像感测光电二极管的三次读出方法的图像传感器。一种成像装置包含包括NxN光电二极管分组中的2x2分组的光电二极管阵列。每一NxN分组包含N2‑1个图像感测光电二极管及接近于所述2x2分组的中心布置的单个相位检测自动聚焦PDAF光电二极管。共享浮动扩散区耦合到相应NxN光电二极管分组中的每一光电二极管。模/数转换器ADC经配置以在复位操作之后响应于所述共享浮动扩散区中的电荷而产生参考读数。所述ADC接着经配置以响应于从所述单个PDAF光电二极管转移到所述共享浮动扩散区的电荷而产生PDAF读数。
使用用于相位检测自动聚焦图像测光二极管三次读出方法图像传感器

[发明专利]光电二极管恒温控制方法及装置-CN200910272363.X有效
发明人：顾勇刚;李水冰 -专利权人：国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电二极管恒温控制方法及装置，将光电二极管安装在光电二极管夹具中，用温度传感器探测光电二极管温度，通过模数转换器将温度电信号转换为数字信号，数字信号处理器对温度信号进行处理，运用比例积分微分增量算法，控制数模转换器输出，控制脉宽调制功率驱动电路，驱动半导体制冷器对光电二极管模块进行控温，半导体制冷器控温是双向的可加热可制冷，且通过RS232串行接口电路可以设定调整控制温度，并可实时读取温度，整个装置是一个闭环控制系统，能够对光电二极管进行精确的控温，以保证光电二极管工作在恒定的增益，适用于APD光电二极管探测器恒温控制。
光电二极管恒温控制方法装置

[实用新型]一种影像传感器-CN201320016220.4有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种影像传感器，包括含有金属连线的介质层和光电二极管层，含有金属连线的介质层淀积在光电二极管层上，光电二极管层的另一面上淀积有含有金属遮蔽的介质层，含有金属遮蔽的介质层的另一面上设有微透镜，光电二极管层包括分别吸收白光、绿光与红光、红光的对应深度的光电二极管。本实用新型依据不同深度的光电二极管吸收不同色彩的光的原理，分别制作深度不同的光电二极管，使进入光电二极管区域的电子数增加，提高光子转换效率，通过运算蓝光为白光区域减去（绿光+红光）区域、绿光为（绿光+红光
一种影像传感器

[发明专利]触摸屏-CN201480083010.4有效
发明人： J·巴克 -专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：触摸屏的一个范例包括多个发光二极管和电路，所述多个发光二极管被定位在面板的周界附近，所述电路被电连接至所述多个发光二极管以单独地和顺序地点亮所述发光二极管。触摸屏的该范例还包括多个光电二极管，所述多个光电二极管被定位在面板的周长附近，使得每个光电二极管接收来自被电路点亮时发光二极管中的至少一个的光。接收来自不同发光二极管的光的光电二极管被并联电连接。
触摸屏

[发明专利]用于光编码器的光电探测器-CN200410062023.1无效
发明人：志知孝一;大久保勇 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G01D5/36 文献下载
摘要：用于光编码器的光电探测器具有多组分区光电二极管，各组由能够应付具有参考分辨率的刻度缝隙的二个邻接的分区光电二极管组成。二个邻接的分区光电二极管的输出线在各组光电探测器中被连接到一起。这些输出线被连接到其它组中的相应分区光电二极管的输出线。二个邻接的分区光电二极管用作一个分区光电二极管，从而使所用刻度缝隙的分辨率为参考分辨率的1/2。于是，仅仅借助于修正布线而无须改变分区光电二极管的任何构造，此光电探测器就容易地以低的成本应付了具有分辨率为参考分辨率的1/2的刻度缝隙。
用于编码器光电探测器

[发明专利]光电二极管波长控制方法及光电二极管-CN202010537365.3在审
发明人：杨彦伟;刘宏亮;李莹;张续朋 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电二极管波长控制方法及光电二极管，该方法包括：控制半导体温度控制器对光电二极管芯片进行温度调控；控制光电二极管芯片在每到达一个目标温度时激射出波长包含对应目标波长的目标激光，目标波长与目标温度相关通过本申请的技术方案可以通过调控光电二极管芯片的温度从而使光电二极管芯片激射出不同波长的激光，进而减少了光电二极管芯片与TO器件的使用，减少了安装、组合复杂度，同时节约了成本和工艺周期。
光电二极管波长控制方法

[发明专利]多光电二极管像素单元-CN201980054470.7在审
发明人：陈松;刘新桥 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一个示例中，一种装置包括：半导体衬底，包括前侧表面；第一光电二极管，用于产生第一电荷；第二光电二极管，用于产生第二电荷；势垒层，位于第一光电二极管和第二光电二极管之间，并且被配置为控制第二电荷从第二光电二极管到第一光电二极管的流动；以及漏极区域，用于存储第二电荷的至少第一部分和第一电荷。该装置还包括在第一光电二极管和漏极区域之间的第一沟道区域上方的前侧表面上的栅极，以控制第二电荷的至少第一部分和第一电荷向漏极区域的流动，以及第二沟道区域，以在第二光电二极管饱和时将第二电荷的至少第二部分从势垒层传导出去
光电二极管像素单元

[发明专利]多光电二极管像素单元-CN201980046088.1在审
发明人：陈松;刘新桥 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该装置包括半导体衬底，该半导体衬底包括用于产生第一电荷的第一光电二极管、用于产生第二电荷的第二光电二极管、位于第一光电二极管和第二光电二极管之间的阻挡层，其中，第一光电二极管、阻挡层和第二光电二极管形成堆叠该装置还包括浮置漏极和一个或更多个栅极，该一个或更多个栅极包括：第一栅极部分和第二栅极部分，第一栅极部分在半导体衬底上，第二栅极部分从前侧表面延伸穿过第一光电二极管并到达阻挡层。第一栅极部分被配置为传导第一信号以控制电荷从第一光电二极管到浮置漏极的流动，并且第二栅极部分被配置为传导用于控制阻挡层的第二信号以控制第二电荷的流动。
光电二极管像素单元

[发明专利]图像传感器-CN202011036929.1在审
发明人：藤田雅人;李允基;沈殷燮;李景镐;金范锡;金泰汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
图像传感器