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[实用新型]一种晶闸管过压保护电路-CN201821422169.6有效
发明人：罗坚;乔元;谢丽琴;莫文凯;刘九龙 -专利权人：惠州市金百泽电路科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶闸管过压保护电路，包括：晶闸管、第一高速二极管、第二高速二极管、TVS管、击穿二极管、电路负载；击穿二极管阳极与晶闸管阳极连接且与电源连通，击穿二极管阴极与TVS管的一端连接，TVS管的另一端与第一高速二极管的一端连接，第一高速二极管的另一端与晶闸管门极连接，第二高速二极管与第一高速二极管并联设置，一端与晶闸管门极连接，另一端与信号输入端连接，电路负载的一端接地，另一端与晶闸管阴极连接；该保护电路，通过击穿二极管、TVS管和第一高速二极管串联组成保护支路，当晶闸管阳极电压到达一定数值后，可使击穿二极管击穿导通，再利用TVS管的稳压特性使晶闸管进行打开导通，避免晶闸管处于高压状态击穿损坏
高速二极管击穿二极管晶闸管过压保护电路晶闸管门极晶闸管阳极电路负载一端连接导通击穿阴极本实用新型晶闸管阴极信号输入端阳极支路并联设置电源连通高压状态稳压特性接地再利用串联电路

[发明专利]可控金属氧化物避雷器晶闸管开关的测量控制装置-CN200910085857.7有效
发明人：陈维江;陈秀娟;沈海滨;李国富 -专利权人：中国电力科学研究院
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种晶闸管开关的测量控制装置，包括击穿二极管和第一二极管，击穿二极管的阴极耦合到晶闸管门极，击穿二极管阳极耦合到第一二极管的阴极；第一二极管的阴极耦合到击穿二极管的阳极，第一二极管的阳极耦合到晶闸管的阳极通过测量控制装置中核心元件击穿二极管构成电压传感器，实时监测晶闸管两端的电压，监测晶闸管开关两端电压，进而间接监测系统电压。当系统电压超过所设定的动作阈值时，晶闸管和击穿二极管电压同时超过所设定的动作阈值，击穿二极管首先击穿导通，给晶闸管门极提供一个上升前沿陡度极高的触发电流脉冲信号，此时晶闸管的阳极还有较高电压，在此条件下晶闸管触发导通
可控金属氧化物避雷器晶闸管开关测量控制装置

[发明专利]半导体装置-CN201080034430.5有效
发明人：渠宁;A·格拉赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，其具有沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)，所述沟槽结势垒肖特基二极管具有作为筘位元件的集成PN二极管，所述半导体装置尤其适于作为用在机动车发电机系统中的具有约20V的击穿电压的Z二极管。在此，TJBS由肖特基二极管和PN二极管的组合构成。对于击穿电压，PN二极管的击穿电压(BV_pn)低于肖特基二极管的击穿电压(BV_schottky)。因此，在击穿中，半导体装置可以以高电流运行。
半导体装置

[发明专利]一种肖特基二极管组件及其制造方法-CN201810447225.X在审
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件及其制造方法。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请制造

[实用新型]一种肖特基二极管组件-CN201820699391.4有效
发明人：李亦衡;朱廷刚;张葶葶 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种肖特基二极管组件。所述组件包括：肖特基二极管；两个稳压二极管，所述稳压二极管的击穿电压小于所述肖特基二极管的击穿电压，两个所述稳压二极管反向串联后与所述肖特基二极管并联，并与所述肖特基二极管封装在一起。利用本申请中各个实施例，可以尽可能避免肖特基二极管被反向击穿，有效提高肖特基二极管的UIS能力，有效提高肖特基二极管的可靠性。
肖特基二极管稳压二极管击穿电压反向串联反向击穿组件包括并联封装申请

[实用新型]LED灯具防击穿供电线-CN201820353500.7有效
发明人：张明应 -专利权人：保山市佰恒光电工程技术有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供的LED灯具防击穿供电线，包括，LED灯具供电线路、防击穿二极管组及LED灯具；防击穿二极管组包括：发光二极管及二极管，发光二极管与二极管的同相设置、两端并联；LED灯具与LED灯具供电线路的供电端连接；防击穿二极管组并联于LED灯具中各单灯的两端，导通方向与LED灯具的导通方向相反。从而当LED灯具或单灯遇到反向击穿电流时，可从反向并联的二极管处导通，从而避免了LED灯具被反向击穿，保证了灯具在使用过程中的稳定性，降低了设备的使用成本及维护成本。
防击穿二极管二极管导通发光二极管反向击穿供电线路防击穿供电线并联单灯本实用新型反向并联方向相反供电端灯具供电保证维护

[发明专利]单光子雪崩二极管的击穿电压的校准方法、装置及电路-CN202210766331.0在审
发明人：许伯彰;许维德;施宇豪;黄骏扬;刘乃硕;黃大虔;黃世豪 -专利权人：思博特集成科技（珠海横琴）有限公司;奕富通集成科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子雪崩二极管的击穿电压的校准方法、装置及电路，所述方法包括：查找预存在数据库内的单光子雪崩二极管的标准击穿电压；对单光子雪崩二极管施加大于标准击穿电压的偏置电压；若检测单光子雪崩二极管发生雪崩，则获取所述偏置电压和所述标准击穿电压的差值并基于所述差值更新所述单光子雪崩二极管的实际击穿电压，并更新在数据库内。本发明提供的单光子雪崩二极管的击穿电压的校准方法达到了在不借助温度传感器的情况下校准单光子雪崩二极管的击穿电压，比使用温度传感器的结果作为查找表来测量实际击穿电压更有效。
光子雪崩二极管击穿电压校准方法装置电路

[发明专利]过电压保护设备-CN201710946260.1有效
发明人： P·拉比耶 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种设备包括：具有高于或等于电源电压的击穿电压的双向二极管；以及具有高于或等于电源电压的击穿电压的单向二极管，双向二极管和单向二极管串联。二极管中的一个二极管是雪崩二极管，另一个二极管是肖克利二极管。
过电压保护设备

[实用新型]保护设备和保护系统-CN201721311796.8有效
发明人： P·拉比耶 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种设备包括：具有高于或等于电源电压的击穿电压的双向二极管；以及具有高于或等于电源电压的击穿电压的单向二极管，双向二极管和单向二极管串联。二极管中的一个二极管是雪崩二极管，另一个二极管是肖克利二极管。
二极管单向二极管双向二极管保护设备电源电压击穿电压雪崩二极管串联

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880107842.X有效
发明人： N·曲;A·格拉赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2008-09-15 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：半导体装置，具有一个具有作为箝位元件的、集成的衬底PN二极管的沟槽式MOS势垒肖特基二极管(TMBS-Sub-PN)，其特别适合作为具有约20V的击穿电压的Z功率二极管应用于机动车发电机系统中，其中TMBS-Sub-PN由肖特基二极管、MOS结构以及PN二极管的一个组合组成并且衬底PN二极管的击穿电压BV_pn低于肖特基二极管的击穿电压BV_schottky并且低于MOS结构的击穿电压BV_mos。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]产生随机位串的设备和方法-CN200780028680.6无效
发明人： B·斯科里克;P·T·图伊尔斯;R·H·W·萨尔特斯;H·P·特因霍特;A·H·M·阿克曼斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-07-16 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明涉及基于一个或多个二极管(11，21，31，41，51)的击穿情况产生位串。一个或多个二极管(11，21，31，41，51)被提供超过二极管(11，21，31，41，51)的击穿电压的电压，二极管连接至二极管击穿处理器(13，23，33，43，53)，其检测击穿和可选地检测相关情况，例如精确的击穿电压，并基于所述检测产生位串，所述位串可以用作唯一标识符或密钥。
产生随机设备方法

[发明专利]一种触发晶闸管阀型过电压保护装置-CN201210045364.2无效
发明人：陈雪;张铁军;陈刚;吴强;敬华兵;张少云;陈广赞;彭京;刘斐;李泽泉;姜耀伟 -专利权人：株洲变流技术国家工程研究中心有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种触发晶闸管阀型过电压保护装置，包括：桥接击穿二极管组合支路、限流电阻、两组RC吸收回路、稳压二极管、两组相互反并联的并联晶闸管支路，击穿二极管串联组合支路包括不少于两个相互串联的击穿二极管，每个击穿二极管上均并联有等阻值的均压电阻，由四个高压二极管组成桥式电路，击穿二极管串联组合支路与高压二极管桥接电路并联，两组高压二极管桥接电路或其中一组中的两个高压二极管之间连接限流电阻后，与RC吸收回路串联，再与并联晶闸管支路并联，并联晶闸管支路包括不少于两个相互并联的晶闸管，每个晶闸管的门极均通过稳压二极管连接到限流电阻。
一种触发晶闸管过电压保护装置

[发明专利]二极管的制造方法及二极管-CN202111325098.4在审
发明人：杨金彭;汤庆苏;梁维新;杨兆峰;杨梦凡 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管的制造方法及其制造的二极管，其中方法包括：S1：设置二极管模型的衬底层和外延材料参数，建立二极管物理模型；S2：改变二极管物理模型的有源区的受主离子的浓度梯度因子，模拟不同浓度梯度因子下的反向击穿电压，获得浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图；S3：从浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图中获取最大反向击穿电压对应的浓度梯度因子范围；S4：制定并模拟二极管的制作流程，获得使二极管的有源区的受主离子的浓度梯度因子落入浓度梯度因子范围内的工艺参数；S5：按照二极管的制作流程及获得工艺参数制造二极管。上述方法制造的二极管，在相同厚度的外延层下具有最优的反向击穿电压，有最优的抗雪崩能力。
二极管制造方法

[实用新型]一种LED驱动电路、补光电路、内窥镜-CN202222839547.3有效
发明人：吴正东 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种LED驱动电路、补光电路、内窥镜，所述LED驱动电路用于为LED提供工作电源，所述LED驱动电路包括：双向瞬态二极管、单向瞬态二极管、第二电阻；所述双向瞬态二极管的第一端与所述LED的正极连接，所述双向瞬态二极管的第二端分别与所述第二电阻的第一端、所述单向瞬态二极管的正极、第一接地端连接；所述第二电阻的第二端分别与所述单向瞬态二极管的负极、所述LED的负极连接；其中，所述第二电阻的阻抗大于所述双向瞬态二极管的阻抗；所述单向瞬态二极管的击穿电压大于所述双向瞬态二极管的击穿电压；所述LED的击穿电压大于所述双向瞬态二极管的击穿电压。
一种 led 驱动电路内窥镜

[实用新型]发光二极管电路-CN201020297947.0无效
发明人：陈乐行;储建平 -专利权人：陈乐行
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H05B37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管电路，其特征在于：所述的显示电路包括依次串联的限流电阻和发光二极管，所述发光二极管的两端并联有一稳压二极管。使用时，本实用新型的发光二极管两端并联有一个稳压二极管，但电压波动大或有脉冲电压干扰时，稳压二极管分散流经的电流，对发光二极管起到分流电流和稳压保护的作用，使发光二极管不至于被击穿(烧毁)，对电压击穿、电流击穿都非常有效；但若干个发光二极管组合串联时，由于每个发光二极管两端并联有一个稳压二极管，即使其中有一个发光二极管损坏不工作时，电流仍可通过与这个损坏的发光二极管并联的稳压二极管，保证其它发光二极管的正常工作不受影响
发光二极管电路

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