专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种洗脱持久性有机物氧化铝硅胶层析柱-CN202022521178.4有效
  • 毕同升;笪春年;毛锦玉;谢利晋;薛超 - 合肥学院
  • 2020-11-04 - 2021-07-06 - B01D15/10
  • 本实用新型公开了一种洗脱持久性有机物氧化铝硅胶层析柱,包括:支架,所述支架的上部设有套筒且套筒套接在支架的表面并与其滑动连接,所述套筒的侧面设有支撑杆且支撑杆的侧面设有固定架,所述固定架的内部设有管柱且管柱与固定架之间固定连接本实用新型在管柱的内部从下到上依次设置氧化铝层、中性硅胶、碱性硅胶和酸性硅胶中性硅胶设置有两组且分别位于氧化铝层和碱性硅胶之间和酸性硅胶和碱性硅胶之间,其中管柱直径为10 mm,长度为450 mm,氧化铝层6cm、中性硅胶2cm、碱性硅胶5 cm、中性硅胶2 cm、酸性硅胶6 cm,形成多段硅胶氧化铝柱,由于精确配比,大大提高了分离效果。
  • 一种洗脱持久性有机物氧化铝硅胶层析
  • [发明专利]铁离子印迹硅胶的制备方法-CN200910112759.8无效
  • 黄晓佳;林建斌;袁东星 - 厦门大学
  • 2009-11-03 - 2010-05-26 - B01J20/286
  • 铁离子印迹硅胶的制备方法,涉及一种印迹硅胶。提供一种铁离子印迹硅胶的制备方法。将硅胶用酸溶液浸泡,洗涤至中性,烘干得活化硅胶;将含铁离子的盐置于溶剂中加热搅拌至固体溶解得混合物,加入巯丙基硅烷,加热搅拌回流,加入活化硅胶继续加热搅拌回流得铁离子印迹硅胶初产物,过滤,用溶剂洗涤至无杂质检出,然后用酸浸泡至无铁离子印迹硅胶检出,最后用水洗涤铁离子印迹硅胶中性,烘干得最后产物。制备过程简便、易操作,所得铁离子印迹硅胶对铁离子具有较高的吸附容量和一定的吸附选择性能,可将所合成的铁离子印迹硅胶装填成固相萃取小柱,用于水样中铁离子的选择性萃取。
  • 离子印迹硅胶制备方法
  • [实用新型]高效抗干扰比长式一氧化碳检测管-CN02274623.4无效
  • 刘衍金 - 刘衍金
  • 2002-08-05 - 2003-05-21 - G01N31/22
  • 在玻璃管的入口端(1-1)内设有预净化段(10),预净化段包含堵塞物(2)、中性硅胶(3-2)、黄色铬酸盐除干扰剂(4)、酸性白色除干扰剂(5)、蓝色玻璃粉(6)并自左到右依次固定在玻璃管(1)内,预净化段(10)还包含颗粒活性炭(8)、中性硅胶(3-3),颗粒活性碳(8)、中性硅胶(3-3)自左到右固定在中性硅胶(3-2)与黄色铬酸盐除干扰剂(4)之间。
  • 高效抗干扰一氧化碳检测
  • [实用新型]高色区集中性白光LED封装-CN201720117410.3有效
  • 刘志亮;林群超;林群立;洪马余;李辉 - 珠海市金胜电子有限公司
  • 2017-02-08 - 2017-08-11 - H01L33/50
  • 本实用新型涉及高色区集中性白光LED封装,包括封装支架、LED晶片、沉降荧光粉层和硅胶,所述封装支架为中间带凹槽的长形支架,所述LED晶片设置在所述凹槽底部,所述硅胶封灌在所述凹槽中,所述硅胶中间设有所述沉降荧光粉层,所述沉降荧光粉层与所述LED晶片之间隔着所述硅胶。本实用新型的高色区集中性白光LED封装,均匀分布的荧光粉与晶片之间用硅胶分隔,荧光粉不与LED晶片直接接触,使得荧光粉受激发效率更高,避免荧光粉因长期高温造成失效,光色均匀、无黄斑、蓝斑或黄圈、蓝圈,提高
  • 高色区集中白光led封装
  • [发明专利]铬离子印迹硅胶的制备方法-CN201310286216.4无效
  • 毛杰;段厚宝;耿瑞;蒋玉轲 - 安徽科技学院
  • 2014-02-19 - 2014-11-05 - B01J20/286
  • 本发明提供一种铬离子印迹硅胶的制备方法。①:将硅胶用酸溶液浸泡后洗涤至中性,烘干得活化硅胶;②:将可溶性铬盐置于溶剂中加热搅拌至固体完全溶解,向溶液中加入3-氨基丙基三甲氧基硅烷并于搅拌条件下加热回流,加入正硅酸乙酯,加入活化硅胶继续于搅拌条件下加热回流得铬离子印迹硅胶初产物,将过滤后的铬离子印迹硅胶初产物用溶剂洗涤至无杂质检出后再用酸浸泡至无铬离子印迹硅胶检出,最后用水洗涤铬离子印迹硅胶中性,烘干得最后产物。在分子印迹合成技术中以胺丙基硅烷为功能单体制备铬离子印迹硅胶的方法具有制备过程简便,易操作,所得铬离子印迹硅胶对铬离子具有较高的吸附容量和一定的选择性吸附功能,可将所合成的铬离子印迹硅胶装填成固相萃取小柱用于水样中铬离子的选择性萃取
  • 离子印迹硅胶制备方法
  • [发明专利]烷基胺硅胶毛细管整体柱及其制备方法与应用-CN200810073436.8无效
  • 叶芳贵;赵书林;王顺 - 广西师范大学
  • 2008-01-22 - 2008-11-19 - B01D15/22
  • 本发明提供一种新型反相电色谱硅胶基质整体柱,即:烷基胺硅胶毛细管整体柱,以满足在简单的色谱条件下实现包括中性、酸性和碱性化合物在内的大多数有机化合物的分离分析。本发明的烷基胺硅胶毛细管整体柱,包括毛细管和固定相,固定相结构式中:Si代表硅胶毛细管整体柱,R代表正链烷基,R1代表氢或正链烷基。本发明还提供烷基胺硅胶毛细管整体柱的制备方法,其具体合成步骤如下:先制备出硅胶毛细管整体柱,然后制得含环氧基的硅胶毛细管整体柱,最后接上烷基胺得到烷基胺硅胶毛细管整体柱。本发明也提供了烷基胺硅胶毛细管整体柱在中性、酸性和碱性有机化合物中的应用。
  • 烷基硅胶毛细管整体及其制备方法应用

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