“上至下硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4618073个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法-CN202211702239.4在审
发明人：杨飞;连维飞;来霸 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构及其制备方法，它包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的正面由上至下依次设有氮化硅层和非晶硅n+型晶体硅层；所述单晶硅衬底的背面设有交替排布的第一背面单元和第二背面单元，所述第一背面单元包括由上至下依次设置的二氧化硅隧穿层、P+型多晶硅层和第一复合膜层，所述第二背面单元包括由上至下依次设置的本征非晶硅层、N+型非晶硅层和第二复合膜层；所述第一复合膜层和第二复合膜层的外侧均设有电极本发明通过沉积隧穿氧化层和多晶硅的技术，代替非晶硅，解决非晶硅掺杂效率低的问题。
一种单晶硅 hbc 太阳能电池结构及其制备方法

[实用新型]一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构-CN202223524573.3有效
发明人：杨飞;连维飞;来霸 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种N型单晶硅HBC太阳能电池结构，它包括单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的正面由上至下依次设有氮化硅层和非晶硅n+型晶体硅层；所述单晶硅衬底的背面设有交替排布的第一背面单元和第二背面单元，所述第一背面单元包括由上至下依次设置的二氧化硅隧穿层、P+型多晶硅层和第一复合膜层，所述第二背面单元包括由上至下依次设置的本征非晶硅层、N+型非晶硅层和第二复合膜层；所述第一复合膜层和第二复合膜层的外侧均设有电极。本实用新型通过沉积隧穿氧化层和多晶硅的技术，代替非晶硅，解决非晶硅掺杂效率低的问题。
一种单晶硅 hbc 太阳能电池结构

[实用新型]一种复合型伤口敷料-CN202221191025.0有效
发明人：唐海达 -专利权人：嘉兴林华医用材料有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： A61F13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合型伤口敷料，包括的离型层、硅凝胶复合层、中间层和基材层，硅凝胶复合层和基材层之间形成空腔，空腔内设有中间层，硅凝胶复合层开设有窗口，且窗口的尺寸小于中间层的尺寸；硅凝胶复合层由上至下依次包括硅凝胶、聚氨酯薄膜和聚丙烯酸酯胶，中间层由上至下依次包括接触层、第一粘结层和吸湿层，基材层由上至下依次包括第二粘结层和防水透气层。本实用新型的复合型伤口敷料通过基材层和硅凝胶复合层贴合，将中间层包裹在中间，牢牢固定起来，保证敷料不会分层脱落，能源消耗少，生产效率更高，产品吸液能力得到更大提升。同时敷料阻水阻菌，临床操作更简便。
一种复合型伤口敷料

[发明专利]一种复合型伤口敷料及其制备工艺-CN202210539321.3有效
发明人：唐海达 -专利权人：浙江敷茂生物科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： A61L15/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型伤口敷料及其制备工艺，包括的离型层、硅凝胶复合层、中间层和基材层，硅凝胶复合层和基材层之间形成空腔，空腔内设有中间层，硅凝胶复合层开设有窗口，且窗口的尺寸小于中间层的尺寸；硅凝胶复合层由上至下依次包括硅凝胶、聚氨酯薄膜和聚丙烯酸酯胶，中间层由上至下依次包括接触层、第一粘结层和吸湿层，基材层由上至下依次包括第二粘结层和防水透气层；硅凝胶复合层和第二粘结层均开设有通孔。本发明的复合型伤口敷料及其制备工艺通过基材层和硅凝胶复合层贴合，将中间层包裹在中间，牢牢固定起来，保证敷料不会分层脱落，能源消耗少，生产效率更高，产品吸液能力得到更大提升。
一种复合型伤口敷料及其制备工艺

[实用新型]一种从上至下透视的手表-CN201922283983.5有效
发明人：陈家潢;陈巧华;陈秋蓉 -专利权人：东莞市天铭钟表有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G04B45/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种从上至下透视的手表，包括表壳壳身和后盖，表壳壳身和后盖之间通过后盖固定螺丝固定连接，后盖的内部卡接有机芯与表面固定垫圈，且机芯与表面固定垫圈的顶部通过表面固定螺丝固定连接有玻璃透明表面刻盘该从上至下透视的手表，该手表从上至下全透视结构，除了面上玻璃，玻璃透明表面刻盘也用玻璃为原材料印上刻度，后盖内也是玻璃，从上至下所有见光位尺寸都一致，三组玻璃的组成使机芯悬浮在半空状态，配戴此腕表除了能呈现手表外观之美
一种上至下透视手表

[实用新型]一种由上至下镂空式键盘-CN202123367098.9有效
发明人：李子敏 -专利权人：李子敏
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01H13/86 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种由上至下镂空式键盘，包括：一底板、设置于底板上的一上盖、设置于上盖上的一键帽组件、一PCB板、设置于上盖与底板之间且电连接于PCB板的一导通组件。其中，在该上盖上形成有数个上盖通孔，在该底板上形成有数个底板通孔，且该上盖通孔与底板通孔一一对应连通，形成由上至下的镂空结构。本实用新型公开的由上至下镂空式键盘，当水或异物落到键盘上时，可直接通过镂空结构掉出，可起到有效防水防尘、防异物堆积的目的，保证键盘的正常使用，延长其使用寿命，且具有灯光效果。
一种上至下镂空键盘

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202310721924.X在审
发明人：张强;李杰;王金春;郑华梅;龚小玉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供具有接触孔的衬底；在接触孔中制备多晶硅层，多晶硅层中具有孔隙；在多晶硅层上制备刻蚀缓冲层，且刻蚀缓冲层中具有位于孔隙上方的第一凹槽，自上至下第一凹槽逐渐收缩，自上至下刻蚀缓冲层的刻蚀速率逐渐降低；对刻蚀缓冲层和多晶硅层进行刻蚀，基于第一凹槽使多晶硅层表面形成自上至下逐渐靠近孔隙的刻蚀壁，且刻蚀壁的底端与孔隙的孔壁相连接；以及，在孔隙中制备硅填充层刻蚀壁之间的开口比孔隙的开口更宽，能够为后续制备填充层提供更为充足的空间，这能够有效改善传统技术中的多晶硅层中存在的孔隙问题，提高多晶硅层的导电性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201910967301.4在审
发明人：张鹏;陈坤;王岚;尹志伟 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法，所述电池包括由上至下依次相连的Ag栅指电级、SiNx钝化减反射层、N+层(磷掺杂层)、P型硅、背面钝化层、Al栅指电级，所述Ag栅指电级依次贯穿钝化膜层、N+层通过N++层(重掺杂硅层)与P型硅相连，所述Al栅指电级贯穿背面钝化层通过P+层(局部接触铝掺杂层)与P型硅相连，所述背面钝化层为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO
钝化栅指背面钝化层减反射层叠层结构晶硅太阳能电池高温度稳定性高转换效率重掺杂硅层太阳能电池钝化膜层高稳定性界面钝化局部接触磷掺杂层依次设置依次相连钝化层铝掺杂贯穿制备电池

[发明专利]一种从上至下幕墙安装工艺-CN201910825296.3在审
发明人：王金存;施磊雷;梁西凯;王悦;李卫东 -专利权人：江苏中南建设装饰有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： E04B2/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种从上至下幕墙安装工艺，涉及幕墙安装工艺技术领域，旨在解决自下而上安装易损伤已安装完成的幕墙的技术问题，其技术方案要点是包括以下步骤：S1、根据建筑体外墙尺寸设计结构框架及相应装饰板的尺寸；S2、在工厂内进行结构框架及装饰板的生产；S3、将结构框架及装饰板运输至施工现场；S4、在施工现场自上而下进行结构框架及装饰板的安装固定；从上至下安装各结构框架及装饰板，即可使得安装过程中即使出现意外情况导致正在安装的结构框架或装饰板掉落
结构框架装饰板从上至下幕墙安装施工现场掉落工艺技术领域技术方案要点建筑体外墙安全系数安装固定安装过程尺寸设计幕墙损伤运输生产

[实用新型]一种背接触太阳电池-CN201220019543.4有效
发明人：杨正刚 -专利权人：杨正刚;吴喆熠
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种背接触太阳电池，从上至下依次包括减反射膜层、硅基体、背面正负电极，所述硅基体的向光面制有陷光结构层。
一种接触太阳电池

[发明专利]液体硅橡胶及其制备方法-CN201410043466.X有效
发明人：王海平;李勇;尤叶君 -专利权人：迈高精细高新材料（深圳）有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：该液体硅橡胶含有150～250重量份的每个分子上至少具有2个端乙烯基的聚有机硅氧烷；5～100重量份的气相白炭黑；0.5～25重量份的每个分子上至少具有3个硅氢键的聚有机硅氧烷；0.5～20ppm的铂金催化剂；以及5～1000ppm的炔醇类抑制剂，其中，每个分子上至少具有2个端乙烯基的聚有机硅氧烷在室温下的粘度为20000～160000mPa.S。
液体硅橡胶及其制备方法

[发明专利]一种铝硅合金中硅的分离方法-CN200910304048.0无效
发明人：易丹青;张英;吴春萍;许灿辉;杜娟;孔凡校;黄霞;臧明庆;董晓霞 -专利权人：中南大学
申请日： 2009-07-06 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝硅合金中硅的分离方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅铝合金清洗后放入质量浓度5％以上至饱和浓度之间或过饱和的可溶性汞盐溶液中溶解，将硅铝合金中的硅分离出来，然后取出残留物，清洗，烘干，所述的溶解过程在惰性气体保护下进行。该方法能在常温下，把铝硅合金中的硅相无损地、完整地分离出来，用于微观形貌观察。
一种合金分离方法

[实用新型]一种硅料筛分运输装置-CN202120706989.3有效
发明人：石坚;刘世伟 -专利权人：山东辰宇稀有材料科技有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅料筛分运输装置，属于硅料筛分的技术领域。包括筛分装置和输送装置。所述筛分装置包括顶部的进料斗、垂直贯穿筛分装置的筛分通道和多个筛网；所述筛网从上至下按照筛网目数安装在筛分装置内，筛网目数由上至下依次变小；所述筛网为可抽拉设置；所述筛分通道的最下部设有下料装置；所述下料装置下方设有输送装置本实用新型通过简单地更换筛网即可达到对不同粒径硅料的筛分；同时占地面积小，筛分过程硅料处于相对密闭的空间，不会产生粉尘。
一种筛分运输装置

[实用新型]一种耐高温亚光聚酯带胶膜-CN202022105429.0有效
发明人：陆斌;蒋东杰;徐海波;张敏;杜振华;胡晓夏;李逸坤;王利 -专利权人：杭州大华塑业有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：包括由上至下依次层叠而成的亚光涂层、抗静电聚酯层、耐高温聚酯基层、粘结层和离型膜，离型膜包括由上至下依次层叠而成的有机硅涂层和聚酯层，有机硅涂层位于粘结层和聚酯层之间。
一种耐高温亚光聚酯胶膜

[发明专利]一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构及制备方法-CN202310706541.5在审
发明人：续朋;黄欢;张炳琦;龙福堂 -专利权人：广东技术师范大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成硅通孔和微流道的三维集成电路结构及制备方法。该三维集成电路结构包括由上至下依次设置的多层芯片层、热界面材料和热沉；每层芯片层均包括由上至下依次设置的后道工序层以及硅衬底；每两层芯片层之间均设置有键合层；所述多层芯片层中竖直嵌入有导热硅通孔；每层芯片层的硅衬底中均设置有等间距排布的微冷流通道本申请在硅衬底中嵌入微冷流通道，并在微冷流通道两侧嵌入导热硅通孔，同时采用碳纳米管束作为导热硅通孔的填充材料，采用液态金属复合材料作为微冷流通道的冷却液，可以极大提升三维集成电路的散热性能。
一种集成硅通孔微流道三维集成电路结构制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top