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[实用新型]一种用于MOF晶体制备的实验室用反应釜-CN202123265218.4有效
发明人：胡子雏;张晓涛;郭梅;安宇宏;王喜明;张万奇;邵亚丽;钟源;陈龙;王强 -专利权人：内蒙古农业大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体制备技术领域，且公开了一种用于MOF晶体制备的实验室用反应釜，包括反应釜罐体，反应釜罐体的顶部设置有罐盖，反应釜罐体的侧表面设置有固定支架，罐盖的顶部固定安装有伺服驱动电机，伺服驱动电机输出端设置有搅拌机构该用于MOF晶体制备的实验室用反应釜，通过搅拌轴、连接杆、立杆、细杆、圆块、万向滚球、连接块、圆环、固定杆、U型架和搅拌杆之间的相互配合，从而可以对搅拌机构进行限位，使得搅拌机构可以平稳的进行转动，不易出现晃动
一种用于 mof 晶体制备实验室反应

[实用新型]一种氟铝酸钠晶体制备的原液蒸发浓缩装置-CN202220521775.3有效
发明人：罗长诚;钟兴进;冯嘉荔;何淑英 -专利权人：广州市鸿浩光电半导体有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种氟铝酸钠晶体制备的原液蒸发浓缩装置，涉及氟铝酸钠生产领域。该氟铝酸钠晶体制备的原液蒸发浓缩装置包括蒸发罐和活动盖，蒸发罐内部设有防粘连机构，防粘连机构包括电机，电机上固定连接有活动导轨，活动导轨内部滑动连接有活动板，活动板上固定连接有转轴，转轴的两端均固定连接有滚轮该氟铝酸钠晶体制备的原液蒸发浓缩装置在需要对蒸发罐内部的原液进行蒸发和浓缩时，启动电机，电机工作带动刮板在蒸发罐底部转动，防止在加热原液时，原液焦糊粘连在蒸发罐上，由于活动导轨为偏心设置，活动板转动的同时活动板在活动导轨内部滑动
一种氟铝酸钠晶体制备原液蒸发浓缩装置

[发明专利]一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法-CN202010981112.5在审
发明人：刘亮 -专利权人：常宁市华兴冶化实业有限责任公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C01G51/10 文献下载
摘要：本发明属于硫酸钴晶体制备领域，具体公开了一种制备高纯度硫酸钴晶体的方法，包括1）原料处理、2）钴酸锂浸出、3）酸溶解、4）一次除铁、5）二次除铁、6）沉钴、7）硫酸钴结晶。本方法从废旧锂离子电池中回收生产硫酸钴晶体，绿色环保，步骤少，反应温和，成本低，获得的硫酸钴晶体纯度高。
一种制备纯度硫酸晶体方法

[发明专利]一种基于全息干涉技术制备Gyroid拓扑光子晶体的方法-CN201811443720.X有效
发明人：王霞;赵秋玲;尤凯;吕浩;刘静;张帅一;滕利华;谭永炎 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明属于光子晶体制备技术领域，涉及一种基于全息干涉技术制备Gyroid拓扑光子晶体的方法，在不增加光束数目的基础上，通过引入椭圆偏振光束，实现新颖拓扑Gyroid光子结构的制备，其制作成本低，光路搭建便捷有效，所得的晶格对称性、晶格周期、介质占空比等均可调控，能够较大面积制备可见光波段的Gyroid光子晶体。
一种基于全息干涉技术制备 gyroid 拓扑光子晶体方法

[发明专利]一种药物晶体及其制备方法和用途-CN200810246726.8有效
发明人：顾群;孙学伟;徐春霞;米长江;阮爱华;李志刚;李学敏;孙德杰 -专利权人：北京本草天源药物研究院
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C07D249/04 文献下载
摘要：本发明公开了卢菲酰氨新晶体及其制备方法，该新晶体经过X-射线粉末图谱方法、KBr压片-透射法测定红外光谱、在差示扫描量法热分析测定；该新晶体制备的制剂具有更好的溶出度，更加适合癫痫发作期的患者使用。
一种药物晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种药物晶体及其制备方法和用途-CN200910091877.5有效
发明人：孙学伟;顾群;徐春霞;孙德杰 -专利权人：北京本草天源药物研究院
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C07C233/18 文献下载
摘要：本发明公开了N-[2-(7-甲氧基萘-1-基)乙基]乙酰胺新晶体及其制备方法，该新晶体经过X-射线粉末图谱方法分析测定；该新晶体制备的制剂具有更好的溶出度、稳定性，更加适合发作期的患者使用。
一种药物晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种镧掺杂氟化钡晶体及其制备方法-CN201910103290.5在审
发明人：沈琨;沈承刚 -专利权人：淮安红相光电科技有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种镧掺杂氟化钡晶体及其制备方法，涉及晶体制备技术领域，晶体由氟化钡和氟化镧组成，所述氟化镧的质量百分比为0.2‑1％，其制备步骤包括颗粒料的制备、原料混合、籽晶放置、晶体生长的五个阶段。本发明采用热交换法制备镧掺杂氟化钡晶体，制备过程中严格控制温度梯度，能够生产出直径为380mm的镧掺杂氟化钡闪烁晶体，同等生长周期内，100公斤原料从单炉生长30公斤增长到80‑100公斤，提高了工作效率
镧掺杂制备氟化钡晶体氟化钡氟化镧热交换质量百分比工作效率晶体生长晶体制备闪烁晶体生长周期温度梯度原料混合制备过程颗粒料单炉籽晶生长生产

[发明专利]一种超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置-CN202110940690.9有效
发明人：金宇;黄顺民;金雪松 -专利权人：南通市华安超临界萃取有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B01D11/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米晶体技术领域，且公开了一种超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置，包括转杆驱动机构，所述转杆驱动机构的表面转动连接有滑动块，所述滑动块的外表面设置有斜面滑道，所述斜面滑道的表面固定连接有套杆该超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置，通过转杆驱动机构转动使滑动块沿着斜面滑道的表面滑动，以此带动斜面滑道和套杆沿着导杆的表面滑动，并使套杆带动高压喷气板平移，从而使析晶板表面附着的纳米晶体脱落，达到可充分对析出的纳米晶体进行收集，防止其在析晶板上堆积影响后续析晶的同时，还可避免资源浪费的效果。
一种临界二氧化碳纳米晶体制备收集装置

[发明专利]一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备-CN201310091223.9有效
发明人：杨国利;崔艳军;张月娟;马晓明;庞才印;毕海 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备，所述生长设备包括炉膛，所述炉膛的上方和下方分别设有气体进出的通孔，所述炉膛的上方设有用于打捞晶体生长产生的杂质的开口。所述氟化镁晶体的制备方法包括以下步骤：设置参数，在氟化镁晶体制备过程中，炉膛内通流动惰性气体；开始升温熔融氟化镁粉末，待完全熔融形成熔体后，打捞氟氧化物，下籽晶；得到生长后的氟化镁晶体。制备的氟化镁晶体光学质量优良，透过率@193nm不低于89%。
一种氟化晶体制备方法生长设备

[发明专利]一种椒苯酮胺晶体及其制备方法和药物用途-CN200710003234.1有效
发明人：万华印;李茹冰;朱莉亚;李永贺;周力践;刘铁球 -专利权人：广州市众为生物技术有限公司
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C07D317/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种椒苯酮胺晶体，化合物名称为：(E)－5－{(3，4－亚甲二氧基苯乙基)甲氨基}－1－对羟基苯基－1－戊烯－3－酮，化学结构式如上所示。晶体粉末X衍射在下述衍射角2θ角有特征峰：12.06、15.28、17.16、21.88。本发明还提供了单晶的制备方法以及晶体制备的制剂和药物用途。与椒苯酮胺化合物相比，本发明的椒苯酮胺晶体具有纯度高、活性高、储藏稳定等优点。本发明提供的椒苯酮胺晶体制剂外形、溶解度、澄清度均良好。
一种椒苯酮胺晶体及其制备方法药物用途

[发明专利]电沉积制备三维硅光子晶体的方法-CN201010134372.5有效
发明人：李垚;赵九蓬;刘昕;张一;辛伍红;孟祥东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。
沉积制备三维光子晶体方法

[发明专利]石墨烯晶体制备方法-CN202211523714.1在审
发明人：刘冰;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯晶体制备方法，涉及石墨烯制备技术领域。所述石墨烯晶体制备方法采用等离子体增强的化学气相沉积装置，所述气相沉积装置包括合成腔室和射频电源，该方法包括：将绝缘衬底置于所述合成腔室内，并将所述合成腔室抽至真空后，向所述合成腔室内通入生长气体；将所述绝缘衬底升温至预设成核温度后将所述预设成核温度维持预设成核时长，以使所述绝缘衬底上生成石墨烯小晶核；将所述绝缘衬底调温至预设生长温度后，并将所述预设生长温度维持预设生长时长，以使所述绝缘衬底上的石墨烯小晶核沿其自身边缘横向生长为大尺寸石墨烯晶体本发明实现了大尺寸石墨烯晶体的制备。
石墨晶体制备方法

[发明专利]一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法-CN201310485662.8无效
发明人：唐慧丽;蒋先涛;苏良碧;徐军;吴锋;汪传勇;姜大朋;王静雅;钱小波 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法，所述晶体材料是在Bi12GeO20晶体中掺杂有2～4μm波段内不具有发光性能的金属离子的材料。其制备方法包括如下步骤：a)按Bi12GeO20的化学计量比称取Bi2O3粉体和GeO2粉体后，加入掺杂粉体，混合均匀；b)将步骤a)中得到的混合粉体制成坯体，在500～800℃下烧结5～20小时后进行研磨，得到有掺杂的Bi12GeO20粉体；c)将步骤b)中得到的Bi12GeO20粉体制备成中红外宽带发光晶体材料。本发明制备的晶体材料吸收边位于300nm，在300～1100nm范围没有明显的吸收峰，荧光范围为1800～3020nm，覆盖波段超过1000nm，可应广泛用于通讯、医疗和军事等领域。
一种具有红外宽带发光性能晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种水热条件下制备皂石晶体的方法-CN201810804033.X有效
发明人：黄菲;黎永丽;张志彬;赵福德;刘开君;闫莹灿;安佰高 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C01B33/40 文献下载
摘要：本发明属于粘土矿物晶体制备技术领域，具体涉及一种水热条件下制备皂石晶体的方法。本发明的技术方案如下：一种水热条件下制备皂石晶体的方法，包括如下步骤：(1)溶液的制备；(2)原料粉碎除杂；(3)预处理；(4)恒温形核；(5)降温结晶(6)洗涤干燥。本发明提供的一种水热条件下制备皂石晶体的方法，以广泛存在的角闪石为原料获取大量纯净的纳米级皂石晶体，降低皂石的生产成本。减少传统皂石制备中化学试剂的使用，避免潜在环境污染问题的发生。晶体材料所具有的独特的优异性能能够拓宽皂石矿物的资源利用。
一种条件下制备皂石晶体方法

[发明专利]一种晶体生长设备控制方法及系统-CN202310197639.2在审
发明人：尚海波;周小勇;李强;臧洪波 -专利权人：扬州合晶科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果
一种晶体生长设备控制方法系统