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[发明专利]一种基于国产加速卡的反应堆中子输运计算方法-CN201910957444.7有效
发明人：张博尧;单浩栋;冯仰德;胡赟;李顺德;徐李;王珏 -专利权人：中国原子能科学研究院;中国科学院计算机网络信息中心
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F8/76 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种基于特征线法在国产加速卡实现反应堆中子输运计算的加速方法，该计算加速方法针对反应堆物理关键计算技术与方法进行加速，包括基于确定论的特征线法解决中子输运方程计算理论的程序表达与计算程序相关物理模型实现从而达到如下的良好效果：匹配并适应国产加速卡，有效利用国产加速卡的能力达到良好的加速效果；在保证计算精度与准确性的前提下，又提供了丰富的硬件兼容性与可扩展性；实现运算的并行性，中子输运方程计算需要大量计算资源，这使得计算可在高性能计算机大规模部署，进一步保证了计算的高速可靠。
一种基于国产加速卡反应堆中子输运计算方法

[发明专利]一种中子注量响应的确定方法-CN202211234676.8在审
发明人：李立华;徐新宇;李世垚;李玮;刘蕴韬 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种中子注量响应的确定方法，该方法包括：获取待确定中子注量响应的中子能谱，基于中子能谱确定中子的平均径迹长度，获取平均径迹长度对应中子的目标能量范围；获取中子和同位素对应的目标截面数据；确定目标能量范围中的最大能量值和最小能量值；基于最大能量值、最小能量值、平均径迹长度和目标截面数据，确定中子注量响应。通过确定中子的平均径迹长度，获取中子和与中子发生核反应的同位素的目标截面数据，并结合最大能量值和最小能量值，可以确定出中子注量响应，进一步地，根据中子注量响应，获得准确的中子的注量率，从而基于中子的注量率确定中子测量设备对能量和注量响应的标定
一种中子响应确定方法

[发明专利]中子鬼成像仪-CN201811193567.X有效
发明人：张晓;刘江涛;童红;王声权;王新峰;邓雄;付云 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中子鬼成像仪，包括：中子源，用于产生中子束；磁体结构，朝向中子束的发射方向设置，用于对中子束进行空间调制，并将调制后的中子束照射至待成像物体表面；至少一个中子传感器，与待成像物体并行设置，用于接收通过待成像物体的中子束；成像装置，分别与磁体结构和中子传感器连接，用于根据接收到的中子束及磁体结构内中子束照射处的磁极化方向分布函数对待成像物体进行重构，或根据接收到的中子束及空间调制后中子束的磁极化方向分布函数对待成像物体进行重构其只需要一个或多个中子传感器，无需对中子束聚焦成像，也无需中子传感器阵列就能实现发明目的，结构简单，体积小，成本低。
中子成像

[发明专利]一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置及检测方法-CN202110178233.0有效
发明人：陈东风;魏国海;孙凯;刘蕴韬;贺林峰;武梅梅;李正耀;焦学胜;郝丽杰;李玉庆;韩松柏;王洪立;王雨 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01N23/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置，包括：中子源、样品台、中子光路传输系统和中子探测系统。所述中子源、所述样品台、所述中子光路传输系统和所述中子探测系统沿着第一方向依次排布设置。通过在样品台和中子探测系统之间设置中子光路传输系统，并可根据检测样品的性质等来设置中子光路传输系统的长度，从而拉长了检测样品和中子探测系统之间的距离，可以极大地降低检测样品的放射性对中子成像探测系统的影响，几乎不会影响中子探测系统的检测成像。如此，本发明的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置，可以利用直接中子成像方法针对放射性样品进行中子照相无损检测。
一种用于放射性样品直接中子照相无损检测装置方法

[实用新型]一种14MeV中子慢化材料-CN201120474140.4有效
发明人：程道文;李鑫;韩冬;兰民;向鹏;韦韧;董小刚;孙正昊 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种14MeV中子慢化材料。其特征在于用3种材料依次慢化14MeV中子：先用慢化14MeV中子能力强、热中子吸收截面大、厚度为3cm的钨(1)慢化14MeV中子束，然后用慢化14MeV中子能力稍若、热中子吸收截面小、厚度为14cm的铅(2)进一步慢化此中子束，最后用中子慢化能力较强、热中子吸收截面较小、密度较大、厚度为21cm的金刚石(3)对此中子束进行慢化，出射中子束的快中子比率小于3％。如果D-T中子发生器的产额为1013n/s，肿瘤位置的热中子通量能够达到2.88×109n/s，可以用于硼中子俘获治疗。
一种 14 mev 中子慢化材料

[实用新型]一种硼中子俘获治疗装置-CN201720003522.6有效
发明人：张京 -专利权人：天津泰恒达兴科技有限公司
申请日： 2017-01-03 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器、中子慢化装置和中子准直装置，所述DT中子发生器水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置安装在中子慢化装置另一侧，中子慢化装置包括壳体、石墨层、铅层和重水层，壳体为矩形壳体，石墨层位于壳体内一侧切位于DT中子发生器端，铅层位于石墨层与重水层之间，重水层紧邻铅层且位于中子准直装置一侧，所述中子准直装置包括准直管、液压伸缩连接头、碳化硼挡板、碳化硼吸收层和端盖。DT中子发生器通过中子慢化装置可以有效的提高中子的慢化效率，并通过中子准直装置的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。
一种中子俘获治疗装置

[发明专利]用于检测超热中子和热中子的方法和系统-CN201280076793.4有效
发明人： G·古德伊尔 -专利权人：哈里伯顿能源服务公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G01V5/10 文献下载
摘要：所述工具包括工具主体、设置在所述工具主体内用于发射中子的中子源、设置在所述工具主体内与所述中子源间隔开的中子检测器、以及布置成与所述中子检测器处于操作关系的中子屏蔽件，所述中子屏蔽件限定外部表面和内部体积，所述中子屏蔽件用于防止所具有的能量低于第一预先确定阈值的中子从所述外部表面行进至所述内部体积。所述中子屏蔽件可移动地联接至所述工具主体，其中所述中子屏蔽件相对于所述中子检测器限定非封闭位置，以使得所述中子检测器至少部分地位于所述内部体积之外，并且所述中子屏蔽件相对于所述中子检测器限定封闭位置，以使得所述中子检测器设置在所述内部体积内
中子检测器中子屏蔽工具主体外部表面热中子中子源非封闭位置测量地层封闭位置工具包括可移动地预先确定联接行进发射检测

[发明专利]中子捕获治疗装置-CN201710017520.7在审
发明人：刘渊豪;萧明城 -专利权人：南京中硼联康医疗科技有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明揭示了一种中子捕获治疗装置，所述中子捕获治疗装置包括中子产生部、缓速体、反射体、射束出口和柔性屏蔽体，其中中子产生部用于产生中子，所述缓速体将中子产生部生成的中子射束缓速至超热中子射束，反射体用于将向四周扩散的中子反射回中子射束，中子射束通过射束出口到达患者，所述患者被柔性屏蔽体保护。本发明通过提供这样一种技术方案降低患者在接受中子捕获治疗过程中受到额外中子剂量和伽马射线的照射而带来的伤害。
射束中子捕获治疗装置柔性屏蔽反射体伽马射线中子反射热中子出口照射扩散伤害治疗

[发明专利]电缆测井用氘-氘可控源补偿中子测井仪器及相应方法-CN201510077409.8在审
发明人：裴宇阳;白庆杰;王威;闫俊杰 -专利权人：中国石油集团长城钻探工程有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明涉及电缆测井用氘‑氘可控源补偿中子测井仪器及相应方法。该测井仪器包括：氘‑氘中子源，向地层发射快中子；针对氘‑氘中子源的中子探测器，用于探测经地层减速后散射回井眼的热中子信号，包括离中子源距离较远的长源距氦‑3中子探测器和离中子源距离较近的短源距氦‑3中子探测器，其中源距及响应关系针对氘‑氘中子源的中子能量和角分布而设置且其气压和大小针对氘‑氘中子源的中子能量被设置；以及信号处理器，对所探测的信号进行预处理，并基于来自中子源的实时反馈而实时控制中子源的参数本发明采用氘‑氘型中子源，从根本上避免传统化学源、装卸源、运输、卡源等对人和环境的危害并且降低了环保成本。
电缆测井可控补偿中子仪器相应方法

[实用新型]电缆测井用氘氘可控源补偿中子测井仪器-CN201520105422.5有效
发明人：裴宇阳;白庆杰;王威;闫俊杰 -专利权人：中国石油集团长城钻探工程有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电缆测井用氘氘可控源补偿中子测井仪器。该测井仪器包括：氘氘中子源，向地层发射快中子；针对氘氘中子源的中子探测器，用于探测经地层减速后散射回井眼的热中子信号，包括离中子源距离较远的长源距氦3中子探测器和离中子源距离较近的短源距氦3中子探测器，其中源距及响应关系针对氘氘中子源的中子能量和角分布而设置且其气压和大小针对氘氘中子源的中子能量被设置；以及信号处理器，对所探测的信号进行预处理，并基于来自中子源的实时反馈而实时控制中子源的参数本实用新型采用氘氘型中子源
电缆测井用氘氘可控补偿中子仪器

[发明专利]通过管中子测量方法及其设备、系统和使用-CN201480022295.0有效
发明人： H·克雷默 -专利权人：罗克科技有限责任公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01V5/10 文献下载
摘要：一种用于评估邻近井眼的岩层的特性的方法，包括：从中子源将中子场射入所述岩层，从射入所述岩层的中子场获取包括长中子中子(LNN)、短中子中子(SNN)、长中子伽马(LNG)和短中子伽马(SNG)数据的数据用于评估岩层特性的探测器包括用于探测LNN、SNN、LNG、SNG的中子源和探测器。
通过中子测量方法及其设备系统使用

[实用新型]慢化准直器-CN202320036346.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：中科超睿（青岛）技术有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G21K1/02 文献下载
摘要：本申请涉及中子成像技术领域，具体提供一种慢化准直器，旨在解决现有慢化准直器难以对中子发生器产生的中子进行充分收集的问题。为此目的，本申请的慢化准直器包括：准直器主体，所述准直器主体上沿着中子发射方向依次开设有中子入射孔和中子出射孔，所述中子入射孔的孔径和所述中子出射孔的孔径朝向彼此的连接处逐渐减小，且所述中子入射孔的内壁面为半球形本申请提供的慢化准直器的中子入射孔能够容纳更多的热中子，从而能充分收集从中子源发射口发射的中子，提高热中子束流的强度。
慢化准直器

[发明专利]中子捕获治疗系统-CN201610930008.7在审
发明人：刘渊豪 -专利权人：南京中硼联康医疗科技有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：为了在中子捕获治疗过程中获得多种能量范围的中子射束以满足在实际治疗过程中需要的中子射束能谱，本发明提供一种中子捕获治疗系统，包括用于产生带电粒子束的加速器、经带电粒子束照射后产生中子射束的中子产生部、射束整形体以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包覆于缓速体外周的反射体，所述中子产生部经带电离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至预设能谱，所述反射体将偏离的中子导回以提高预设能谱内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，在中子捕获治疗过程中，所述中子捕获治疗系统通过改变带电粒子束的能量使照射至中子产生部而产生的中子射束的能量发生改变。
中子捕获治疗系统

[发明专利]基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像方法及成像装置-CN202010815745.9在审
发明人：韦峥;姚泽恩;张宇;马占文;黑大千;王俊润;徐大鹏;卢小龙 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N23/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于紧凑型D‑D中子源的热中子透射成像方法及成像装置，采用紧凑型D‑D中子源提供外源中子，经中子慢化体将型D‑D中子源输出的2.45MeV的D‑D快中子慢化为热中子或超热中子，慢化后进入D‑D中子源上方中子慢化体中竖直设置的上大下小的锥形中子准直孔道内，经准直的热中子束透射被检测物体，透射穿过物体的热中子通过锥形中子准直孔道上端安装的热中子像探测器系统探测，经热中子像探测器系统转变为数字化的透射图像，得到热中子透射强度二维空间分布，进而获得被检测物体的内部结构及不同材料的空间分布情况。
基于紧凑型中子源热中子透射成像方法装置

[实用新型]中子捕获治疗系统-CN201621154870.5有效
发明人：刘渊豪 -专利权人：南京中硼联康医疗科技有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：为了在中子捕获治疗过程中获得多种能量范围的中子射束以满足在实际治疗过程中需要的中子射束能谱，本实用新型提供一种中子捕获治疗系统，包括用于产生带电粒子束的加速器、经带电粒子束照射后产生中子射束的中子产生部、射束整形体以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包覆于缓速体外周的反射体，所述中子产生部经带电离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至预设能谱，所述反射体将偏离的中子导回以提高预设能谱内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，在中子捕获治疗过程中，所述中子捕获治疗系统通过改变带电粒子束的能量使照射至中子产生部而产生的中子射束的能量发生改变。
中子捕获治疗系统