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[发明专利]一种高效铸锭的诱导长晶工艺-CN201310467019.2有效
发明人：李鹏廷;王峰;任世强;熊华江;谭毅;姜大川;黄佳琪;邵伟;刘燕 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：包括装料抽真空、加热熔化、诱导长晶、退火冷却，装料时，首先在方形石英坩埚底部平铺一层半圆柱状的单晶硅硅料，单晶硅硅料的矩形平面紧贴坩埚底上表面，且相邻单晶硅硅料紧密排布；方形石英坩埚内壁贴壁放置平滑的方形多晶硅硅料，贴满整个坩埚内壁，且保证方形多晶硅硅料之间没有间隙；在其余位置填充多晶硅碎料，最后上层放置方形多晶硅硅料；在熔化过程中，保证方形石英坩埚底部单晶硅硅料的温度低于1380℃。采用该工艺方法，通过半圆柱形单晶硅硅料诱导晶体长晶从而实现高效铸锭，使光电转换效率提高0.1%，节约生产成本5%以上。
一种高效铸锭诱导工艺

[发明专利]一种钼旋转管靶制备工艺-CN202211731358.2在审
发明人：单鹏;李德华;邓锐;黄飞虎;王淑辉;李晨浩 -专利权人：洛阳汇晶新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼旋转管靶制备工艺，包括以下步骤：原料筛分：外购的原料进行通过振动筛进行筛分，从而获得超细粉末作为原料；粉料混合：将不同批次的钼粉放入到混料机中进行混合，混料时间60～90min，使不同批次的钼粉充分混合该钼旋转管靶制备工艺，通过等静压成型，并经低温预烧结和高温烧结，金属粒径细小均匀，能够排除低沸点金属杂质，实现金属致密化，烧结后钼坯密度均匀，并通过烧结空心管坯—挤压法来生产钼旋转靶材，能够提高粉末冶金钼靶材成品的密度、细化其晶粒，生产效率高，成品率高，工艺流程短，可以产生出高纯化、高致密化、以及组织均匀的钼旋转管靶。
一种旋转制备工艺

[发明专利]一种高体积容量的金属相二硫化钼电极及其制备方法和超级电容应用-CN202210022729.3有效
发明人：薄拯;杨化超;程向南;严建华;岑可法 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高体积容量的金属相二硫化钼电极，该高体积容量的金属相二硫化钼电极包括了金属相二硫化钼纳米片和嵌入纳米片层间的溶剂化离子。本发明还公开了一种高体积容量的金属相二硫化钼电极的制备方法。本发明还公开了一种金属相二硫化钼薄膜电极及其制备方法。本发明还公开了一种非对称二硫化钼||活性炭超级电容。该发明通过在纳米片层间嵌入溶剂化离子的方式，提高了二硫化钼金属相的纯度和纳米片的层间距，克服了因电极厚度增加导致的电化学性能严重衰减的问题，实现了金属相二硫化钼薄膜电极在亚毫米厚度下的高比体积性能。
一种体积容量金属二硫化钼电极及其制备方法超级电容应用

[发明专利]一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法-CN201710791688.3有效
发明人：牛亚然;翟翠红;赵君;李红;郑学斌;孙晋良;丁传贤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法，以硅粉为原料，采用等离子体喷涂技术在钼或钼合金基体表面制备硅涂层，然后置于惰性气氛中在1000～1500℃下热处理1～10小时，从而在钼或钼合金基体表面形成硅化钼涂层该制备方法具有工艺简单、成本低、效率高、可重复性好、适合规模化生产等优点。
钼合金硅化钼涂层基体表面制备等离子体喷涂规模化生产热处理表面制备可重复性硅涂层硅粉

[发明专利]半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法-CN202210189426.0在审
发明人：张良;张景;周锡伟;周肃;龚道仁;徐晓华 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：半导体衬底层的处理方法包括提供单晶硅硅片的步骤、对所述单晶硅硅片的表面喷淋扩散液的步骤和对单晶硅硅片进行退火处理的步骤，还包括：在对单晶硅硅片的表面喷淋扩散液之前，对所述单晶硅硅片进行表面氧化处理，所述表面氧化处理用于增加所述单晶硅硅片的表面对所述扩散液的亲液性，以增加所述单晶硅硅片退火处理的均匀性。
半导体衬底处理方法太阳能电池制备

[发明专利]一种用于冶炼含钼钢的炼钢添加剂的制备方法-CN201610293451.8有效
发明人：张国华;周国治;苟海鹏;王璐;顾晨 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：属于含钼钢冶炼技术领域.鉴于钼铁的高成本以及三氧化钼高温下的挥发问题，本发明提出了一种新型的冶炼含钼钢的添加剂——二氧化钼。以钼精矿焙烧得到的工业级三氧化钼为原料，通过配碳还原，制备工业级二氧化钼。与三氧化钼相比，二氧化钼具有高温不挥发，钼含量高，密度大等优点。该方法与现有技术相比，克服了使用钼铁的高成本，以及使用三氧化钼直接合金化炼钢时三氧化钼容易挥发的缺点，具有钼收得率高和经济效益显著等特点。
一种用于冶炼含钼钢炼钢添加剂制备方法

[发明专利]一种基于碳化钼作为钼源感应炉短流程冶炼含钼钢的方法-CN201810367159.5有效
发明人：张国华;常贺强 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C21C5/52 文献下载
摘要：一种基于碳化钼作为钼源感应炉短流程冶炼含钼钢的方法，属于钢铁冶炼技术领域。其主要特征是使用碳化钼代替传统含钼钢冶炼过程中的炼钢钼条、钼铁、氧化钼等作为钼源，使用感应炉短流程冶炼含钼钢，本方法冶炼过程包括：装料、熔化、冶炼等一系列步骤。通过使用碳化钼作为钢液合金化中的钼源，代替了传统含钼钢冶炼过程中的炼钢钼条、钼铁、氧化钼等含钼添加剂，一方面通过感应炉短流程冶炼含钼钢解决了当今社会废钢的利用问题；另一方面，使用碳化钼作为钼源解决了炼钢钼条成本过高、钼铁生产过程能耗高且污染严重以及氧化钼的挥发所造成的钼收得率低并在合金化的过程中会引入其它杂质元素等问题；使用碳化钼作为钼源对于部分高碳含钼钢还能起到增碳的效果。
一种基于碳化作为感应炉流程冶炼含钼钢方法

[发明专利]一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法-CN201910109497.3在审
发明人：杨晴;周慧楠 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法，包括将钼源、硒源和有机胺混合，除杂，得到混合液；将混合液在240～300℃下反应20～60min，得到超薄二硒化钼纳米片；钼源选自钼酸铵、钼酸钠、磷钼酸铵、三氧化钼、乙酰丙酮氧钼和乙酸钼中的一种或多种；硒源选自硒粉、硒甲硫氨酸和二苄基二硒中的一种或多种。本发明通过选择特定种类的前驱源(钼源和硒源)和溶剂有机胺，促进铺展形成大面积且形貌较均匀平整的超薄二硒化钼纳米片；原料为常见原料，条件温和，且方法简单；该方法制备周期短，产率高。纳米片为单层及几层形貌，从光电子能谱图、高角环形暗场像可以看出二硒化钼是1T相与2H相并存，有利于其导电性的提高。
二硒化钼纳米片硒源钼源形貌液相合成混合液乙酸乙酰丙酮氧钼导电性光电子能谱溶剂有机胺前驱甲硫氨酸磷钼酸铵三氧化钼制备周期暗场像有机胺钼酸钠钼酸铵产率除杂单层高角硒粉苄基铺展平整

[实用新型]一种有机硅硅氢加成连续化生产设备-CN202120440466.9有效
发明人：宋春燕;李勉;许银根;冯晓晖;严明亮 -专利权人：浙江润禾有机硅新材料有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C08G65/336 文献下载
摘要：本实用新型属于有机硅合成领域，尤其涉及一种有机硅硅氢加成连续化生产设备。一种有机硅硅氢加成连续化生产设备，该设备包括第一储罐、第二储罐、填料塔和产品罐；第一储罐、第二储罐分别用于含氢硅氧烷和烯基聚醚不饱和的有机化合物，第一储罐、第二储罐分别通过计量泵连接预热器，并通过预热器分别连接至填料塔的底部本实用新型可连续化循环生产，有效控制反应温度，该装置为闭路循环装置，效率高、环保，做出成品品质稳定。
一种有机硅加成连续化生设备

[发明专利]一种二硅化钼包覆硼化钽-碳化铪球形粉体及其制备方法-CN202110664756.6有效
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;高丽红;朱时珍;委思豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及复合粉体材料技术领域，提供了一种二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体及其制备方法。本发明通过球磨和喷雾干燥造粒制备硼化钽‑碳化铪团聚粉体，然后将团聚粉体进行感应等离子球化处理，实现粉体的烧结致密化，之后在所得硼化钽‑碳化铪球形粉体表面包覆一层二硅化钼包覆层，得到核壳结构的二硅化钼包覆硼化钽本发明制备的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体致密度以及内聚力高，球形度高，流动性好，满足等离子喷涂对于粉体的要求，且二硅化钼的熔点低于硼化钽，在等离子喷涂过程中，可以熔化的更加充分，提高涂层的致密性，二硅化钼包覆层还可以抑制等离子喷涂过程中碳化铪的挥发，降低碳化铪的损失。
一种二硅化钼包覆硼化钽碳化球形及其制备方法

[发明专利]一种连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置-CN201710300501.5有效
发明人：龙琼;路坊海;罗咏梅;罗勋;李杨;凌敏;周登凤;黄芳;伍玉娇 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C25D15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置，包括制备改性铁‑硅颗粒，将其加入到镀铁电镀液中，对电解区施加强度为0.001～0.2T的磁场，采用纯铁薄带或低硅硅钢薄带为阴极，以纯铁片或低硅钢板为阳极，利用复合镀方法，在阴极薄带上镀覆一层硅含量大于10wt%的复合镀层；最后，将阴极薄带干燥后放入带保护气体的电炉中进行连续热处理扩散处理，得到平均硅含量为6.5Wt％且分布均匀的高硅硅钢薄带。
一种连续制备硅钢方法装置

[发明专利]印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法-CN201810224471.9在审
发明人：吕强;焦如意 -专利权人：徐州鑫宇光伏科技有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法。其中，印刷后黑硅硅片的返工清洗方法包括如下步骤：取待返工的黑硅硅片置于去离子水中超声清洗，然后用有机溶剂擦拭黑硅硅片的表面，将有机溶剂擦拭后的黑硅硅片先置于氨水中鼓泡清洗20min‑40min，然后再置于去离子水中鼓泡清洗上述返工清洗方法适用于黑硅硅片的返工清洗，经此返工清洗方法最终制备得到的黑硅电池片可以达到黑硅电池片的合格标准，达到了返工清洗的目的。此外，该返工清洗方法简单，省去了松油醇擦拭的步骤，缩短了黑硅硅片的返工清洗时间。
返工黑硅清洗硅片水中擦拭有机溶剂电池片印刷鼓泡离子超声清洗合格标准松油醇制备

[发明专利]一种提高汽车涡轮壳体用高硅钼铬球铁机械性能的球化退火工艺方法-CN201810274907.5在审
发明人：庄栋栋 -专利权人：科华控股股份有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C21D1/32 文献下载
摘要：本发明一种提高汽车涡轮壳体用高硅钼铬球铁机械性能的球化退火工艺方法，属于汽车涡轮壳体用高硅钼铬球铁制备技术领域，材料为汽车涡轮壳体用高硅钼铬球铁铸件。球化退火工艺方法为将未退火高硅钼铬球铁，置于热处理加热炉中，起始温度为室温，目标温度为940±5℃，加热时间为2h；在940±5℃保温6h，然后随炉冷却至800℃；再加热至840℃，加热时间为10min，然后随炉冷却至800℃；第二次加热至840℃，加热时间为10min，然后随炉冷却至750℃；取出高硅钼铬球铁材料，再空冷至室温即为成品。本发明汽车涡轮壳体用高硅钼铬合金球铁的球化退火工艺，能够显著提高材料的韧性，降低表面硬度，改善加工性能，采用这种球化退火工艺制造的汽车涡轮壳体具有良好的常温和高温机械性能，可以满足苛刻的机加工及高温环境需求
高硅球化退火工艺钼铬涡轮壳球铁加热随炉冷却汽车机械性能高温机械性能热处理加热炉制备技术领域退火表面硬度高温环境加工性能球铁材料球铁铸件涡轮壳体钼铬合金机加工再加热空冷保温取出制造

[发明专利]一种基于二硒化钼/木炭的非对称超级电容器的制备方法-CN201910679107.6有效
发明人：万才超;魏松;吴义强;张陆雨;田文燕;刘心怡 -专利权人：中南林业科技大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：一种基于二硒化钼/木炭的非对称超级电容器的制备方法，它涉及非对称超级电容器的制备方法。本发明解决现有碳材料制备成本高，比电容低的问题。制备方法：一、去木质素；二、制备二硒化钼粉末；三、制备负载二硒化钼的木片；四、制备二硒化钼/木炭复合材料；五、制备木炭；六、制备二氧化锰/木炭复合材料；七、制备非对称超级电容器。本发明用于基于二硒化钼/木炭的非对称超级电容器的制备。
一种基于二硒化钼木炭对称超级电容器制备方法

[发明专利]高导磁镀硅硅钢片的制作方法-CN02149091.0无效
发明人：赵大强 -专利权人：赵大强
申请日： 2002-11-22 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： C23C10/44 文献下载
摘要：本发明高导磁镀硅硅钢片的制作方法属电磁材料技术领域。硅钢片经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而制成高导磁镀硅硅钢片。具有方法简单、易于操作，导磁率高、成本低，镀硅的硅符着牢固，使硅钢片与新镀硅有机地熔渗焊结为一体等特点。提供了高导磁镀硅硅钢片新产品，可在磁电行业广泛推广应用。
高导磁镀硅硅钢片制作方法