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[发明专利]一种基于密度离析理论的铝土矿颗粒脱硅装置及方法-CN202010911299.1在审
发明人：于雁武;刘玉存;柴涛;荆苏明;王建华;袁俊明;贾康辉;茹锐锋;郭远;赵浩冬 -专利权人：中北大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B07B13/00 文献下载
摘要：一种基于密度离析理论的铝土矿颗粒脱硅装置及方法，属于高铝高硅型铝土矿颗粒的脱硅提质方法领域，可解决现有选矿脱硅方法存在的能耗高和热耗高、设备腐蚀严重、环境污染的问题，其结构包括控制箱、电磁振动台、橡胶垫本发明通过电磁振动台将振动能量引入铝土矿颗粒中，创造一个强化铝土矿颗粒密度离析的流化环境，实现铝土矿中铝质和硅质的高效分离，为铝土矿颗粒的脱硅提供一种工艺简单可靠、分选成本低、方便操作与使用的有效方法。针对铝土矿颗粒脱硅的过程高效、安全、绿色环保，设备结构简单，方便操作使用，劳动强度低，可连续生产及重复使用。
一种基于密度离析理论铝土矿颗粒装置方法

[发明专利]一种褐铁矿的湿法冶金工艺-CN201410845323.0在审
发明人：于衍芬;沙滨;刘玉强;刘召霞;许永武;刘世和;杜昊;马永刚;刘静;王少华 -专利权人：金川集团股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C22B3/08 文献下载
摘要：该工艺通过对褐铁矿洗选分级得到高硅镁矿和低硅镁高铁矿；向双螺旋推料反应器中同时加入高硅镁矿浆和足够的浓硫酸，以溶解绝大部分的可溶性非铁金属和可溶性铁；然后固液分离得到常压浸出渣和常压浸出液；将常压浸出液和低硅镁高铁矿浆按比例加入加压釜中加压浸出该工艺具有镍钴浸出率高、硫酸消耗低、反应时间短、生产效率高的优点；还由于加压浸出为中低压设备，避免了高压釜设备昂贵、易结垢的缺点；使得矿石中的主要成分铁能够经济有效的得到回收和有效利用，而且废渣量少。
一种褐铁矿湿法冶金工艺

[发明专利]射频三极管及其制作方法-CN201711396254.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市福斯特半导体有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述制作方法获得的射频三极管包括硅衬底、形成于所述硅衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的两个第一P型高掺杂区、形成于所述两个P型高掺杂区之间的P型低掺杂区、形成于所述P型高掺杂区两侧的所述N型外延层上且具有尖角的场氧化层、形成于所述P型低掺杂区表面的N型区域、依序形成于所述场氧化层及所述P型高掺杂区上方的第一多晶硅与二氧化硅层、形成于所述P型高掺杂区邻近所述P型低掺杂区的侧壁、所述第一多晶硅与二氧化硅的顶部及侧壁上的氮化硅层及另一二氧化硅层、及形成于所述N型区域上的第二多晶硅。
射频三极管及其制作方法

[发明专利]低浓度硅氧烷气体的净化方法及装置-CN200910025512.2无效
发明人：陈泽智;龚惠娟;吴未立;姜茹;程洋;王慧 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：一种低浓度硅氧烷气体的净化方法及装置，其方法首先，将需要净化的含有一类硅氧烷的垃圾填埋气、沼气或消化气加压到-0.1～1MPa，并控制气体温度在-20～60℃之间；其次，将符合条件的待净化气体送入串联的填充有煤质活性炭吸附剂和活性炭的两级吸附罐中的第一级吸附罐中，以脱除低硅原子数的硅氧烷气体；第三，使经第一级吸附罐脱除了低硅原子数硅气烷气体的气体进入第二级吸附罐中，以脱除高硅原子数的硅氧烷气体，得到合格的净化气体输出供后续工艺使用。本发明具有效率高，结构简单，运行成本低的优点。
浓度硅氧烷气体净化方法装置

[发明专利]一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻及其制备方法-CN201010246891.0无效
发明人：李伟;傅俊威;吴茂阳;蒋亚东;祁康成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻结构及其制备方法，包括玻璃衬底1、非晶硅薄膜2、矩形电极3，先在玻璃衬底1上沉积非晶硅薄膜2，随后在非晶硅薄膜2上制备矩形电极3，电极结构分布如同形成形状像两只手的手指交叉状本发明有益效果在于：在具有高电阻温度系数(TCR)和较高室温方块电阻的非晶硅薄膜上，利用这种叉指电极结构，可以方便地控制电极自身电阻的大小，使其等效输出电阻值明显降低，进而使具有叉指状电极的非晶硅薄膜的总体输出电阻值变小，但TCR保持不变，具有较高值，从而有效地达到低阻高TCR非晶硅薄膜电阻结构及其制备方法的实现。
一种低阻高 tcr 非晶硅薄膜电阻及其制备方法

[发明专利]一种负硬度废水除硅的方法-CN201711402136.5有效
发明人：王晓阳;盛雪芹;杨权;陈立辉;谢晓朋;郝翰 -专利权人：北京翰祺环境技术有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种负硬度废水除硅的方法，能够有效去除负硬度废水中的硅，通过加入石灰、氯化钙或者硫酸钙、混凝剂、絮凝剂协同增效作用于高效沉淀池工艺中来完成除硅。改进了常规用石灰处理负硬度废水除硅工艺中石灰投加量大，除硅效率低，实现石灰的高效利用。具有出水含硅低，药耗少，除硅含量范围广，污泥含固率高，占地面积小的特点。
一种硬度废水方法

[发明专利]轴向电阻率均匀的硅单晶生长技术-CN201610364028.2在审
发明人：张俊宝;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供轴向均匀的硅单晶生长方法，通过在硅单晶生长过程中，在熔体中持续定量地加入多晶硅原料，降低掺杂元素因固液分凝系数而导致的熔体中掺杂元素的增加。通过超细粉末的形式加入多晶硅，将多晶硅在加入前加热，并采用激光技术加热熔体上多晶硅加入形成的加入环带。调节石英坩埚与单晶硅的直径比例，调节坩埚旋转和单晶硅的转速，防止多晶硅粉在未熔化前进入结晶凝固区域。本发明方法生长的硅单晶从头部到尾部，掺杂元素均匀性高，晶体全部可用。晶体生长后，石英坩埚中的剩余熔体可直接再加入硅原料，石英坩埚的利用率高，能耗低，综合成本低。
轴向电阻率均匀硅单晶生长技术

[发明专利]利用高铝粉煤灰制备硅铝明和铝硅锰铁钛合金的方法-CN200410009046.6有效
发明人：孙俊民;姚强;赵旭东;刘刚;张恩民;曹慧芳;王彦武;项光明 -专利权人：清华大学;清华同方股份有限公司
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：利用高铝粉煤灰制备硅铝明和铝硅锰铁钛合金的方法，涉及有色金属冶炼技术领域。本发明方法的步骤为：①对原料高铝粉煤灰除铁，并分别将高铝矾土和还原剂烟煤、石油焦破碎；②处理后的高铝粉煤灰、高铝矾土和烟煤、石油焦进行配料和混合；③在混合料中加入粘结剂和水成球、干燥；④干燥后的球团投入矿热炉内高温冶炼，制得一次合金；⑤一次合金经精炼和过滤，除去合金中的夹杂物和气体；⑥精炼后的合金中加锰块除铁、过滤，制得铝硅锰铁钛合金；⑦除铁、过滤后的合金中加入铝稀释并浇铸锭模，制得硅铝明。本发明不仅原料来源广、投资小、生产成本低、生产周期短、能耗低，而且可制得质量上乘的硅铝明和铝硅锰铁钛合金，产生显著的经济效益。
利用粉煤制备硅铝明锰铁钛合金方法

[发明专利]一种用于处理多晶硅副产高沸物的装置和方法-CN201811630843.4在审
发明人：付绪光;李力;刘逸枫;沈峰;陈其国 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，涉及多晶硅副产物处理领域。一种处理多晶硅副产高沸物的装置和方法，通过将无水氯化氢与多晶硅生产副产高沸物在固定床反应器中一起反应，所述无水氯化氢和高沸物生产低沸点的单氯硅烷，从而实现将多晶硅副产物转化为多晶硅生产原料，实现多晶硅副产物的综合利用采用本发明的高沸物处理装置和方法具有胺基树脂催化剂装填量大，更换胺基树脂催化剂方便，有效防止催化剂受热碳化，降低多晶硅副产高沸物催化剂使用量的优点。
一种用于处理多晶硅副产高沸物装置方法

[发明专利]一种低介电聚酰亚胺、其制备方法及低介电聚酰亚胺薄膜-CN202010424305.0在审
发明人：徐勇;陈坚;汤学妹 -专利权人：南京中鸿润宁新材料科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种低介电聚酰亚胺。本发明还提供了上述高性能低介电聚酰亚胺的制备方法。本发明还提供了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括所述低介电聚酰亚胺、含氟硅氧烷、多孔壳聚糖；其中，含氟硅氧烷的质量为低介电聚酰亚胺质量的1‑2％，多孔壳聚糖为低介电聚酰亚胺质量的0.5‑1％。本发明的聚酰亚胺薄膜，采用特殊的聚酰亚胺大大降低了介电常数，兼具优良的耐热稳定性、高玻璃化转变温度、高透明性以及优异的阻燃性能，同时通过添加含氟硅氧烷、多孔壳聚糖，获得一种具有低介电常数、高耐水性的聚酰亚胺薄膜
一种低介电聚酰亚胺制备方法薄膜

[发明专利]一种高性能低介电聚酰亚胺、其制备方法及高性能低介电聚酰亚胺薄膜-CN201910352222.2在审
发明人：徐勇;陈坚;汤学妹 -专利权人：南京中鸿润宁新材料科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种低介电聚酰亚胺。本发明还提供了上述高性能低介电聚酰亚胺的制备方法。本发明还提供了一种低介电聚酰亚胺薄膜，包括所述低介电聚酰亚胺、含氟硅氧烷、多孔壳聚糖；其中，含氟硅氧烷的质量为低介电聚酰亚胺质量的1‑2％，多孔壳聚糖为低介电聚酰亚胺质量的0.5‑1％。本发明的聚酰亚胺薄膜，采用特殊的聚酰亚胺大大降低了介电常数，兼具优良的耐热稳定性、高玻璃化转变温度、高透明性以及优异的阻燃性能，同时通过添加含氟硅氧烷、多孔壳聚糖，获得一种具有低介电常数、高耐水性的聚酰亚胺薄膜
一种性能低介电聚酰亚胺制备方法薄膜

[发明专利]一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法-CN201811219188.3在审
发明人：邢鹏飞;孔剑;庄艳歆;魏冬卉;金星;尹华意;高波;冯忠宝 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法，按以下步骤进行(1)高硅废料烘干作为原料；(2)在感应熔炼炉内设置耐高温导磁体；(3)感应熔炼炉升温至900℃以上，将原料和钙系添加剂混合形成的混合料置于感应熔炼炉内进行感应熔炼，并使耐高温导磁体与混合料接触；(4)保持感应熔炼炉的温度；耐高温导磁体加快混合料的熔化速率完全熔化后静置分层，将硅熔体/硅合金熔体浇注后冷凝后形成高纯硅/硅合金。本发明的方法实现了高硅废料高效的回收利用，变废为宝，可以产生极大的经济效益；该方法具有流程短、能耗低、简单易行等优点，易于实现工业化生产。
感应熔炼炉硅合金高硅感应熔炼导磁体高纯硅混合料耐高温熔化制备添加剂混合回收利用静置分层硅熔体冷凝浇注钙系烘干熔体能耗

[发明专利]一种高硅电工钢的生产方法-CN201710006627.1有效
发明人：张智义;陈春梅;高振宇;李亚东;胡洪旭;张仁波;刘文鹏;李文权 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明公开一种高硅电工钢的生产方法。冶炼两种硅含量分别为2.0％～3.5％、4.5％～7.0％的钢水，钢水过热度10～30℃；连铸结晶器内设引流装置，引流装置开口向下，悬置在钢液中，引流装置与结晶器间隙为10～40mm，引流装置内加入高硅钢水，低硅钢水流入引流装置与结晶器之间，拉速0.4～0.9m/min，铸坯的低硅坯壳与高硅坯芯厚度比为1﹕2～1﹕5，引流装置内充入惰性气体，使其内部液面较外部液面低10～20mm；热轧卷厚0.8～1.8mm
引流装置高硅电工钢钢水结晶器高硅退火钢水过热度连铸结晶器电磁性能惰性气体开口向下内部液面铁损性能低硅钢厚度比热轧卷预热低硅钢液拉速冷轧坯壳坯芯悬置液面铸坯保温冶炼生产外部

[发明专利]一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法及一种感应熔炼炉-CN202210377682.2在审
发明人：邢鹏飞;魏冬卉;庄艳歆;孔剑;金星;尹华意;高波;冯忠宝 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法及一种感应熔炼炉。本发明将高硅废料作为原料，和钙系添加剂混合均匀后置于设置有耐高温导磁体的感应熔炼炉内进行感应熔炼，使耐高温导磁体与混合料接触并保持感应熔炼炉的温度，通过耐高温导磁体加快混合料的熔化速率，混合料完全熔化后静置分层，将硅熔体/硅合金熔体浇注后冷凝得到高纯硅/硅合金。本发明提供的方法可实现高硅废料高效的回收利用，可以产生极大的经济效益，具有流程短、能耗低、简单易行等优点，易于实现工业化生产。本发明提供的感应熔炼炉可以用于高硅废料高效的回收。
一种感应熔炼废料制备高纯合金方法熔炼炉

[发明专利]硅氧烷低聚物的制造方法-CN201280025277.9无效
发明人：山谷学;秋本三季;桑野英昭 -专利权人：三菱丽阳株式会社
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明的目的是提供环状体量少、且高分子量的硅氧烷低聚物的制造方法。本发明的一个方式是一种硅氧烷低聚物的制造方法，其特征在于，使用规定式表示的2-羟基羧酸化合物作为催化剂，水解并缩合烷氧基硅烷。通过本发明的制造方法，可以合成具有环状体结构的硅氧烷的含量少，且分子量高的硅氧烷低聚物。
硅氧烷低聚物制造方法