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[实用新型]电子书触控板传感器用光电二极管-CN201721880634.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积Cr/Au混合金属作为阴极。本实用新型的二极管尺寸小，寿命长，灵敏度高，适用于电子书触控板传感器。
高掺杂衬底低掺杂触控板传感器光电二极管接触孔碳纳米阴极本实用新型圆角正方形二极管沉积金属混合金属外延硅层阳极灵敏度外凸起沉积背面

[实用新型]一种微型硅光电二极管-CN201520974428.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种微型硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.5mm×0.3mm，有源区面积0.43mm×0.23mm，厚度为280±10μm，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环上有氮化硅钝化薄膜，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述氮化硅钝化薄膜上有圆角正方形状接触孔，所述接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积金属Au作为阴极。本实用新型尺寸小，灵敏度高，可应用于光通信、激光二极管功率控制等领域。
一种微型光电二极管

[实用新型]一种无硅导热材料-CN201620009191.2有效
发明人：李忠诚 -专利权人：李忠诚
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无硅导热材料，包括上薄膜层、低粘无硅导热层、高粘无硅导热层以及下薄膜层，所述低粘无硅导热层由低含量的UV胶水和的导热粉体组成，所述高粘无硅导由高含量的UV胶水和导热粉体组成，所述上薄膜层设置于所述低粘无硅导热层的上面，所述低粘无硅导热层设置于所述高粘无硅导热层上，所述下薄膜层设置于所述高粘无硅导热层下。本实用新型的无硅导热材料安全可靠，产品符合环保要求，通过ROHS、无卤第三方检测；散热效果好，导热效果好，应用领域更广，产品自带粘性，组装方便。
一种导热材料

[实用新型]汽车传感器用光电二极管-CN201922467618.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述高掺杂P型硅层外边缘、高掺杂N型硅层内边缘和低掺杂的N型高阻硅衬底上覆盖氮化硅钝化薄膜；所述氮化硅钝化薄膜、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上沉积碳纳米层。本实用新型的二极管稳定性好，灵敏度高，可应用于汽车传感器。
汽车传感器用光电二极管

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端-CN202310015238.0在审
发明人：雷丹;沙玉静;邓耀明;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅基负极材料，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶1，其中，11≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶1，其中，0≤1≤1，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子该硅基负极材料兼具较高容量和较低膨胀性能。本发明实施例还提供了该硅基负极材料的制备方法、以及包含该硅基负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端-CN201911425863.2有效
发明人：雷丹;沙玉静;邓耀明;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅基负极材料，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶x，其中，1x≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶y，其中，0≤y≤1，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子该硅基负极材料兼具较高容量和较低膨胀性能。本发明实施例还提供了该硅基负极材料的制备方法、以及包含该硅基负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]多晶硅高阻结构及其制作方法-CN201711367190.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：胡佳威
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻
多晶硅高阻结构及其制作方法

[实用新型]桥式整流二极管-CN201621469010.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm，有源区尺寸4.72mm×4.72mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管反向击穿电压高，正向电流高。
整流二极管

[实用新型]一种桥式整流二极管-CN201721882359.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管尺寸小，反向击穿电压高。
高掺杂衬底低掺杂基环桥式整流二极管本实用新型沉积金属石墨烯层反向击穿电压阳极金属电极阴极金属电极圆角长方体二极管阴极阳极保护膜硅晶片源区背面

[实用新型]双结深光电二极管-CN201922458935.5有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。本实用新型的双结深光电二极管，浅结和深结的结深分别为4μm和1.5μm，光谱峰值14000Å和4650Å，光谱响应灵敏度高。
双结深光电二极管

[发明专利]含钒铁水制备低硅钛型钒渣的方法-CN201710363475.0有效
发明人：隋智通;娄太平;王明华 -专利权人：隋智通
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C21C7/072 文献下载
摘要：一种含钒铁水制备低硅钛型钒渣的方法，解决了现有含钒铁水吹炼钒渣技术存在渣中硅高、钒低的问题，其采用向高硅低钒铁水喷吹弱氧化性气体作脱硅的弱氧化剂,使含钒铁水中的硅淺氧化成SiO气体脱除掉,优化了的铁水中的钒几乎不氧化,得到的优化铁水是钒高硅低，之后再用氧气作为強氧化剂，去深度氧化这种高钒低硅的净化铁水，即制得高钒低硅的优质钒渣，所以其工艺流程设计合理,运行简便、操作安全、稳定,无环境污染,无废物垃圾排放。利用该方法产出的钒渣品质优良，硅钛杂质含量低,钒含量高。
铁水制备低硅钛型钒渣方法

[实用新型]微型硅光电二极管-CN201520177371.7有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：微型硅光电二极管，在低掺杂正方体P型硅晶片上高掺杂的N型硅层，形成PN⁺结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的N型硅层为圆角正方体，其特征是，所述低掺杂的正方体P型硅晶片的外周设有高掺杂的P型硅环，高掺杂的P型硅环和高掺杂的N型硅层之间隔着低掺杂P型硅层， N型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，低掺杂P型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。本实用新型体积小，灵敏度高，反向击穿电压高于30V，暗电流小于10nA。
微型光电二极管

[发明专利]一种高强低摩擦低膨胀高硅铝合金及其制备方法-CN201910722026.X有效
发明人：黄铁明;黄铁兴;冯永平;刘金霞;池海涛;戴应鑫 -专利权人：福建祥鑫股份有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：一种高强低摩擦低膨胀高硅铝合金及其制备方法，它涉及高硅铝合金熔炼领域，具体是一种高强低摩擦低膨胀高硅铝合金及其制备方法。本发明是要解决现有高硅铝合金难以进行工业化熔炼的问题。本发明用于制备高强低摩擦低膨胀高硅铝合金。
一种高强摩擦膨胀铝合金及其制备方法

[实用新型]一种硅光电二极管-CN201320511500.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着低掺杂的N型硅层，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm，P型硅层上表面设有氮化硅膜，在P型硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极,N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。
一种光电二极管

[发明专利]基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法-CN201410212952.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。通过上述方案，本发明达到了低成本、低衬底损耗、高集成度、高性能的目的，具有很高的实用价值和推广价值。
基于图形高能离子注入衬底损耗集成电路及其制作方法

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