专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]微沟槽电火花加工工具电极及其制备方法-CN201710348594.9有效
  • 伍晓宇;雷建国;吴稳;伍博;鲁艳军;徐斌 - 深圳大学
  • 2017-05-17 - 2019-02-05 - B23H1/04
  • 本发明揭示了一种微沟槽电火花加工工具电极及其制备方法,微沟槽电火花加工工具电极包括层叠贴合连接的表皮导电、低电阻率导电电阻率导电,且贴合后的厚度端面为加工面;低电阻率导电电阻率导电设有多层,表皮导电设有两;两个表皮导电分别位于层叠的低电阻率导电电阻率导电的两个侧壁;低电阻率导电电阻率导电间隔设置;且,两个表皮导电内部分别贴紧设有电阻率导电。每个低电阻率导电都由两个电阻率导电包夹;提高了微沟槽电火花加工工具电极的刚度;且电阻率导电比低电阻率导电损耗大得多,使得低电阻率导电始终保持有足够的长度,进而具有自修整能力,使用寿命更长。
  • 沟槽电火花加工工具电极及其制备方法
  • [发明专利]一种多层数字化土工膜及制备方法-CN202210530676.6有效
  • 陈芳;徐焰;张鹏程;胡宁宁;闫建国 - 西北工业大学
  • 2022-05-16 - 2023-07-25 - B32B33/00
  • 本发明涉及一种多层数字化土工膜及制备方法,涉及土工膜技术领域,土工膜包括土工膜基体、两绝缘、两层高电阻导电胶和两电阻导电胶;所述土工膜基体的每面均铺贴所述电阻导电胶;两所述电阻导电胶电阻导电胶带垂直铺设;每层所述电阻导电胶电阻导电胶带间隔铺设;所述电阻导电胶带之间的间隔用于调整测量精度;所述低电阻导电胶涂敷在所述电阻导电胶上;所述绝缘铺贴在所述低电阻导电胶上;所述低电阻导电胶与数字检测子系统连接
  • 一种多层数字化土工制备方法
  • [发明专利]转换器-CN201280012458.8有效
  • 高松成亮;熊谷信志;小久保阳太 - 东海橡塑工业株式会社
  • 2012-09-04 - 2013-12-11 - H02N11/00
  • 转换器(1)具备:包含弹性体且体积电阻率为1012Ω·cm以上的电阻(10),和配置在电阻(10)的表里两侧并包含粘合剂和导电材料的一对电极(30a)、(30b),和位于电阻(10)的表里至少一侧、夹装在电极(30a)和电阻(10)之间、包含弹性体且比高电阻(10)的体积电阻率小2位数以上的中电阻(20)。根据转换器(1),通过将中电阻(20)夹装在至少一侧的电极(30a)和电阻(10)之间,活化电阻(10)原本具有的耐介质击穿性,从而可以施加更大的电压,获得更大的力。
  • 转换器
  • [发明专利]半导体器件及制备方法-CN202310636908.0在审
  • 蔡超迁;卓红标;刘春玲 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-01 - H01L23/64
  • 本发明提供了一种半导体器件及制备方法,包括:在基底的表面均形成多晶硅;对阻多晶硅电阻区域的多晶硅进行离子注入;在阻多晶硅电阻区域的多晶硅的表面形成保护;在栅极电阻区域的多晶硅的表面形成金属;使用图案化的光刻胶作为掩膜,刻蚀金属、栅极电阻区域的多晶硅、保护阻多晶硅电阻区域的多晶硅,露出部分基底的表面,以分别形成栅极电阻、位于栅极电阻的表面的金属阻多晶硅电阻以及位于阻多晶硅电阻的表面的保护本发明保护了阻多晶硅电阻不被清洗剂的离子污染,进而保证了半导体器件的阻值精度。
  • 半导体器件制备方法
  • [发明专利]一种低电阻/B值片式热敏电阻及其制造方法-CN200710113773.0有效
  • 陶明德;刘倩 - 山东中厦电子科技有限公司
  • 2007-09-12 - 2008-02-13 - H01C7/04
  • 本发明公开了一种信息技术领域的传感器技术中的片式热敏电阻,特别公开了一种低电阻/B值片式热敏电阻及其制造方法。该低电阻/B值片式热敏电阻,其特殊之处在于:元件的芯片由两个低电阻之间夹一B值热敏的复合结构,低电阻由Mn-Ni-Cu-Ca构成,B值由Mn-Co-Cu-Ti-Nb构成;用扎膜技术分别制成形成低电阻的低电阻膜片和形成B值热敏B值膜片,并迭合制成复合膜片,高温锻烧形成热敏芯片,经切割和端电极制作做成片式NTCR。本发明采用了低阻B值迭合,大大地降低了元件的电阻。具有工艺简单,制造成本低,便于大批量生产的特点。
  • 一种电阻值片式热敏电阻及其制造方法

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