专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种材料快速分析的方法-CN202210580972.7在审
  • 施一公;卢滢先;汤夏平;赵艳雨 - 清华大学;西湖大学
  • 2022-05-25 - 2022-08-30 - G01R27/26
  • 本发明涉及一种谱分析方法,用于对待测材料的进行分析,该谱分析方法包括下列步骤:测量待测样品的直流电导率和,其中,所述待测样品中包含待测材料组分;确定与待测样品具有相同直流电导率的基准样品的,其中,所述基准样品中不包含待测材料组分,对任一相同频段总是采用与测量待测样品的时相同的测量系统测量所述基准样品的;在整个频谱上,用基准样品的的实部对待测样品的的实部进行归一化,绘制出的实部归一化曲线;用基准样品的的虚部对待测样品的的虚部进行归一化,绘制虚部归一化曲线。
  • 一种材料介电谱快速分析方法
  • [发明专利]一种频域响应测试曲线的平滑处理方法-CN202111137879.0在审
  • 张玉波;张磊;赵坚;颜海俊 - 广西电网有限责任公司电力科学研究院
  • 2021-09-27 - 2021-12-28 - G01R27/26
  • 本发明属于电压与绝缘技术领域,具体涉及一种频域响应测试曲线的平滑处理方法,包括步骤S1:将响应测试仪连接滤波模块,再对变压器固体绝缘进行频域响应测试以得到其频域的FDS曲线;S2:对频域的FDS曲线进行平滑处理;S3:采用处理后的频域的FDS曲线进行后续的分析处理。本发明在测试数据时进行滤波,减少了响应测试的现场噪音影响,降低了数据异常的概率。本发明对测得的测试曲线进行平滑处理,提高了后续针对频域的FDS曲线的分析处理的精度。本发明采用带通滤波器,设置带通滤波器的上下剪切频率与响应测试仪的测试频率范围相匹配,可以有效滤除测试频率之外的噪声,提高测试数据的精确度。
  • 一种频域介电响应测试曲线平滑处理方法
  • [发明专利]一种利用频谱特性鉴别胃癌腺上皮细胞的方法-CN201310319388.7有效
  • 马青;沈斌;方云;赵伟红;张倩;汤治元 - 宁波大学
  • 2013-07-25 - 2013-11-27 - G01N22/00
  • 本发明公开了一种利用频谱特性鉴别胃癌腺上皮细胞的方法,特点是包括将正常人胃腺上皮细胞样品与胃癌腺上皮细胞样品分别进行体外细胞培养后,经过胰蛋白酶消化、吹打,配制成相应的细胞悬浮液的步骤;对上述细胞悬浮液进行测量,获得正常人胃腺上皮细胞与胃癌腺上皮细胞具有行为特征的特征参数,通过差异显著性检验分析,获得鉴别用特征参数及相应数值范围的步骤;测量待测胃细胞悬浮液的鉴别用特征参数值,若其中任一个鉴别用特征参数值落在相应的胃癌组数值范围内且在正常组数值范围外,即可鉴别该胃细胞为胃癌腺上皮细胞,优点是无损伤性,准确性,为进一步开发早期胃癌筛查诊断仪器提供了基础。
  • 一种利用频谱特性鉴别胃癌上皮细胞方法
  • [发明专利]集成电路记忆体及其操作方法-CN201610868028.6有效
  • 庄绍勳;谢易叡;黄智宏 - 财团法人交大思源基金会
  • 2016-09-30 - 2020-08-04 - H01L27/112
  • 记忆体包含多个记忆胞,记忆胞的每一者包含第一效晶体管与第二效晶体管。第一效晶体管包含至少一栅层及至少一栅电极层,至少一栅电极层用以接收并施加电信号于栅层,使第一效晶体管的第一区域和第二区域的电信号在第三区域传递。第二效晶体管包含至少一栅层及至少一栅电极层,至少一栅电极层用以接收并施加电信号于栅层,使第二效晶体管的第一区域和第二区域的电信号在第三区域传递。通过施加电信号于第二效晶体管的栅层,使得栅层的电导态由电导态转变为低电导态,而使栅层的电导态进行转态,栅层的电导态和低电导态分别表示该记忆胞的两个不同的储存状态。
  • 集成电路记忆体及其操作方法
  • [发明专利]一种寻找高性能新型制冷材料的方法-CN202110467958.1在审
  • 陈静;许盼;吴磊;段鸾芳 - 南京工业职业技术大学
  • 2021-04-28 - 2021-07-23 - G16C60/00
  • 一种寻找高性能新型制冷材料的方法,其特征在于:包括以下步骤:第一步,确定铁材料的,寻找到异常温区;第二步,根据寻找能量特殊转化的特征区域;第三步,根据能量特殊转化的特征区域找出带有该材料变温滞回线或者制备该铁材料样品测试变温滞回线;第四步,根据材料的变温滞回线计算出绝热温变来确定材料的卡性能。本发明通过利用能量变化异常温区;无需制备或者只需少量制备样品就能寻找制冷性能材料成为可能。极大的缩短了研发新材料的周期,同时节约了研发新材料的成本。
  • 一种寻找性能新型制冷材料方法
  • [发明专利]电子迁移率晶体管装置及其制造方法-CN201910432625.8在审
  • 陈志谚 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 2019-05-23 - 2020-11-24 - H01L29/778
  • 本发明提供一种电子迁移率晶体管装置及其制造方法,其中装置包含半导体层、栅极电极、第一层、源极板、第二层、源极电极、第三层以及漏极结构。栅极电极设置于半导体层上。第一层设置于栅极电极上且具有第一凹槽位于栅极电极的第一侧,其中第一凹槽的底表面低于栅极电极的顶表面。源极板设置于第一层上且从栅极电极的第二侧延伸至第一凹槽内。第二层设置于源极板上。源极电极设置于第二层上且与源极连接。第三层设置于源极电极上。漏极结构设置于栅极电极的第一侧且穿过第三层,其中第一凹槽位于漏极结构和栅极结构之间。
  • 电子迁移率晶体管装置及其制造方法

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