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[发明专利]电压调节电路-CN202011278198.1在审
发明人： N·吉布森;S·赫策 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种电压调节电路(700)包含开关输出端子(701B)、高侧输出晶体管(702)、低侧输出晶体管(704)、高侧复制晶体管(722)、低侧复制晶体管(724)和比较器电路(710)。所述高侧输出晶体管(702)被配置成驱动所述开关输出端子(701B)。所述低侧输出晶体管(704)被配置成驱动所述开关输出端子(701B)。所述高侧复制晶体管(722)耦合到所述高侧输出晶体管(702)。所述低侧复制晶体管(724)耦合到所述高侧复制晶体管(722)和所述低侧输出晶体管(704)。所述比较器电路(710)耦合到所述高侧复制晶体管(722)和所述低侧复制晶体管(724)，并且被配置成将从所述高侧复制晶体管(722)和所述低侧复制晶体管(724)两者接收的信号与斜坡信号进行比较。
电压调节电路

[发明专利]响应于外部电源故障从主轴电动机回收能量-CN201910396972.X有效
发明人： K·林加贾亚 -专利权人：意法半导体亚太私人有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H02J7/14 文献下载
摘要：首先，在制动器配置中，控制半桥晶体管，使得半桥的高侧晶体管或低侧晶体管接通。其次，在有源升压配置中，控制半桥晶体管，使得第一半桥的高侧晶体管和第二半桥的低侧晶体管都接通、并且第一半桥的低侧晶体管和第二半桥的高侧晶体管都关断。第三，在有源制动配置中，控制半桥晶体管，使得第一半桥的低侧晶体管和第二半桥的高侧晶体管都接通、并且第一半桥的高侧晶体管和第二半桥级的低侧晶体管都关断。
响应外部电源故障主轴电动机回收能量

[发明专利]用于功率转换器的高侧晶体管驱动器-CN200480026068.1有效
发明人：杨大勇 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2004-05-26 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明是有关于一种高侧晶体管驱动器包括一高侧晶体管、一低侧晶体管、一驱动缓冲器和一控制晶体管。当低侧晶体管接通时，一充泵二极管和一自举电容器产生一浮动电压。驱动缓冲器将传送浮动电压以接通高侧晶体管。控制晶体管用于切换驱动缓冲器。高侧晶体管驱动器进一步包括一加速电路。加速电路用电容耦合方式产生一差动信号。当控制晶体管断开时，加速电路便加速控制晶体管寄生电容器的充电，从而加速高侧晶体管的切换。
用于功率转换器晶体管驱动器

[发明专利]栅极驱动器电路和检测逆变器支路中的短路事件的方法-CN202010685943.8在审
发明人：李旻燮;李俊培 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H03K17/18 文献下载
摘要：该栅极驱动器电路包括：高侧功率晶体管；低侧功率晶体管，其耦接至高侧功率晶体管，其中，在耦接在低侧功率晶体管与高侧功率晶体管之间的负载节点处产生输出电压；栅极驱动器，其被配置成接收高侧控制信号和低侧控制信号、基于高侧控制信号驱动高侧功率晶体管并且基于低侧控制信号驱动低侧功率晶体管；以及短路检测电路，其被配置成基于高侧控制信号、低侧控制信号和输出电压来监测高侧功率晶体管处和低侧功率晶体管处的短路事件，并且响应于检测到在高侧功率晶体管或低侧功率晶体管的任一个处的短路事件而生成故障信号
栅极驱动器电路检测逆变器支路中的短路事件方法

[发明专利]多沟道半导体集成电路-CN200810083556.6无效
发明人：菱川直毅;松永弘树;金田甚作 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：该半导体集成电路包括：高侧晶体管、低侧晶体管、驱动高侧晶体管的电平位移电路以及驱动低侧晶体管的预驱动电路，且以高侧晶体管与低侧晶体管的连接点作为输出端。电平位移电路还包括：栅极被预驱动电路驱动的第一及第二N型MOS晶体管、以及阳极连接在未连接高侧晶体管的栅极的第一及第二N型MOS晶体管的漏极上且阴极连接在输出端的二极管。
沟道半导体集成电路

[发明专利]驱动装置-CN202211393641.9在审
发明人：轩昂 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动装置，包括：依次串联在第一电源电压与地之间的高侧晶体管及低侧晶体管，其连接节点输出输出信号；高侧驱动电路，在输入信号变为第一电平的第一延时时间后驱动高测晶体管导通，在输入信号变为第二电平时驱动高测晶体管关断；电荷泄放电路，与低侧晶体管连接，在输入信号变为第一电平的第二延时时间后形成通路释放低侧晶体管中寄生电容上的电荷，以在高侧晶体管导通阶段保持关断低侧晶体管，在输入信号变为第二电平时开路，第二延时时间小于第一延时时间本申请在高侧晶体管导通使输出信号电平上升前通过电荷泄放电路形成通路释放低侧晶体管中寄生电容上的电荷，避免高侧晶体管和低侧晶体管串通，提升了驱动装置的稳定性。
驱动装置

[发明专利]开关电源装置-CN201811557869.0有效
发明人：汤河润一;前田好彦;大川聪 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：多个高侧晶体管(110)并联连接来构成高侧开关元件(11u、11v、11w)。多个低侧晶体管(120)并联连接来构成低侧开关元件(12u、12v、12w)。多个高侧晶体管(110)和多个低侧晶体管(120)以高侧晶体管(110)与低侧晶体管(120)一对一地彼此相邻的方式配置。
开关电源装置

[发明专利]具有集成浪涌电压限制元件的功率模块和功率电路-CN202010299680.7在审
发明人：李旻燮;秋秉镐;李俊培;卢凯元 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：该功率模块包括：高侧功率晶体管；耦接至高侧功率晶体管的低侧功率晶体管，该低侧功率晶体管包括负载电流通过其进入低侧功率晶体管的第一负载路径端子以及负载电流通过其离开低侧功率晶体管的第二负载路径端子；栅极驱动器集成电路(IC)，其被配置成驱动高侧功率晶体管和/或低侧功率晶体管；引线框，其具有被配置成耦接至低侧电压源的低侧电压引脚；浪涌电压限制元件，其耦接在低侧功率晶体管的第二负载路径端子与低侧电压引脚之间；以及模块封装，其中，高侧功率晶体管、低侧功率晶体管、栅极驱动器IC、引线框和浪涌电压限制元件被封装在模块封装中。
具有集成浪涌电压限制元件功率模块电路

[发明专利]ACF变换器中的逐周期反向电流限制-CN202211402791.1在审
发明人： C·阿德拉格纳;F·菲拉扎 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种用于操作ACF变换器的方法，包括：导通耦合在变压器的初级绕组和参考端子之间的低侧晶体管以使正向电流进入初级绕组，关断低侧晶体管；在关断低侧晶体管之后，导通耦合在初级绕组和钳位电容器之间的高侧晶体管，以使反向电流流过初级绕组；并且在导通高侧晶体管之后，当未检测到反向电流的过电流时，保持高侧晶体管导通达第一时间段，并且在第一时间段之后关断高侧晶体管，并且当检测到反向电流的过电流时，在未保持高侧晶体管导通达第一时间段的情况下关断高侧晶体管
acf 变换器中的周期反向电流限制

[发明专利]用于DC-DC转换器的功率级-CN201780030175.9在审
发明人：斯里尼瓦斯·文卡塔·维拉姆雷迪;马鲁盖什·普拉桑斯·苏布拉马尼亚姆 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：在所描述实例中，用于DC‑DC电压转换器(200)的功率级包含电压输入、高侧n沟道晶体管(210)、高侧p沟道晶体管(215)，及低侧n沟道晶体管(220)。所述电压输入可耦合到电源电压(205)。所述高侧n沟道晶体管(210)的漏极端子耦合到所述电压输入，并且所述高侧n沟道晶体管(210)的源极端子耦合到第一节点，所述第一节点可耦合到所述DC‑DC转换器(200)的输出级。所述高侧p沟道晶体管(215)的源极端子耦合到所述电压输入，并且所述高侧p沟道晶体管(215)的漏极端子耦合到所述第一节点。所述低侧n沟道晶体管(220)的漏极端子耦合到所述第一节点，并且所述低侧n沟道晶体管(220)的源极端子耦合到接地。
耦合到高侧电压输入漏极端子源极端子低侧功率级电源电压接地输出级

[发明专利]驱动PMOS和NMOS全桥功率级的高效概念-CN202310310755.0在审
发明人： D·伯纳唐 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种电路，可以是全桥驱动电路，包括第一PMOS高侧晶体管器件和第一NMOS低侧晶体管器件。该电路还包括导通电路装置，其被配置为：通过将存储在第一PMOS高侧晶体管器件的栅极中的电荷路由到第一NMOS低侧晶体管器件的栅极，导通第一PMOS高侧晶体管器件、同时导通第一NMOS低侧晶体管器件，以对第一NMOS低侧晶体管器件的栅极充电。
驱动 pmos nmos 功率高效概念

[发明专利]具有充电电流缩减的功率级电路-CN201810027971.3有效
发明人：杨曜玮 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种功率级电路，包括多个高侧金氧半场效晶体管以及控制电路。每一个高侧金氧半场效晶体管的第一端电性连接至电源，所述高侧金氧半场效晶体管的第二端彼此电性连接用以产生输出信号。控制电路电性连接至每一个高侧金氧半场效晶体管的门极端，控制电路以任意顺序导通所述高侧金氧半场效晶体管，以缩减高侧金氧半场效晶体管导通时的充电电流，借此减少电力消耗和延长高侧金氧半场效晶体管的使用寿命。
具有充电电流缩减功率电路

[发明专利]运算放大器、显示面板驱动器和显示装置-CN201110043121.0无效
发明人：西村浩一;岛谷淳 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：运算放大器包括分别在输出端子和正电源线间、在输出端子和负电源线间的高和低侧输出晶体管；分别在第一节点和输出端子间、在第二节点和输出端子间的第一和第二电容器元件；源极连接高侧输出晶体管的栅极且漏极连接低侧输出晶体管的栅极的第一PMOS晶体管；源极连接低侧输出晶体管的栅极且漏极连接高侧输出晶体管的栅极的第一NMOS晶体管；源极连接第一节点且漏极连接高侧输出晶体管的栅极的第二PMOS晶体管；源极连接第二节点且漏极连接低侧输出晶体管的栅极的第二NMOS晶体管。第一和第二PMOS晶体管的栅极、第一和第二NMOS晶体管的栅极分别被共同地连接且分别被馈送第一和第二偏压。
运算放大器显示面板驱动器显示装置

[发明专利]功率开关布置-CN201980078075.2在审
发明人： J·朱斯;A·施佩特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率开关布置(1)，所述功率开关布置包括低侧晶体管(LSS)和高侧晶体管(HSS)，所述低侧晶体管和所述高侧晶体管如此设置，使得所述低侧晶体管和所述高侧晶体管在所述功率开关布置(1)的切换周期的分别交替的时间区段中导通或阻断所述低侧晶体管(LSS)的源极连接端(2)与负载连接端(3)连接，并且所述低侧晶体管(LSS)的漏极连接端(5)通过存储电感与供给电压(Vin)连接。所述高侧晶体管(HSS)的漏极连接端(6)与所述负载连接端(3)连接，并且所述高侧晶体管(HSS)的源极连接端(7)通过所述存储电感与所述供给电压(Vin)连接根据本发明，提供一种所提及类型的功率开关布置(1)，其特征在于，所述低侧晶体管(LSS)包括至少两个晶体管部段(LSS1，LSS2，LSS3)。所述晶体管部段中的至少两个在与所述存储电感的连接中具有不同的电阻(R1，R2，R3)。
功率开关布置

[发明专利]电机驱动电路-CN202011538311.5在审
发明人：李森;宫志超 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种电机驱动电路，包括H桥电路，包括多个高侧晶体管和低侧晶体管，每个高侧晶体管和对应的低侧晶体管连接于供电端和地之间，二者的中间节点用于提供输出端连接电机；开关驱动电路，用于提供多个高侧晶体管和低侧晶体管的开关信号；以及续流保护电路，用于在H桥电路处于关断状态时根据采样电压产生续流保护信号，采样电压通过对高侧晶体管的体二极管的管压降采样获得，其中，若采样电压大于预设参考电压，续流保护信号提供脉冲信号，开关驱动电路根据脉冲信号导通对应的高侧晶体管，可在H桥电路处于关断状态时避免电路中出现的大电流通过高侧晶体管的体二极管续流，降低寄生三极管漏电的风险，提高了芯片的安全性。
电机驱动电路

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