专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于利用羰基金属前驱体沉积金属层的方法-CN200580040101.0无效
  • 铃木健二 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-10-03 - 2007-11-14 - C23C16/16
  • 该方法(300)包括在处理系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125、400、402),形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体处理,在处理室(10、110)中稀释处理,以及将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。沉积系统(1、100)包含衬底夹持器(20、120)、前驱体传输系统(105)、稀释气体源(37、137)和控制器(165),其中衬底夹持器(20、120)被配置用于在具有蒸汽分配系统(30、130)的处理室(10、110)中支撑并加热衬底(25、125、400、402),前驱体传输系统(105)被配置用于形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体处理并将处理引入蒸汽分配系统(30、130),稀释气体源(37、137)被配置用于在处理室(10、110)中向处理添加稀释气体,控制器(165)被配置用于在将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、
  • 用于利用羰基金属前驱沉积方法
  • [发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201310279578.0在审
  • 加藤寿;三浦繁博 - 东京毅力科创株式会社
  • 2013-07-04 - 2014-01-22 - C23C16/455
  • 成膜装置在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转,多次重复依次供给相互不同的处理的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜,其包括:第1处理供给部;第2处理供给部;分离区域;主加热机构,其隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热;以及辅助加热机构,其由加热灯构成,用于向由上述主加热机构加热的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度,在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度,在上述处理温度下,上述第1处理吸附于基板,所吸附的第1处理被第2处理氧化。
  • 装置方法
  • [实用新型]一种废气处理系统-CN202220638459.4有效
  • 尹向亚;胡天保 - 长兴化学(天津)有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-07-19 - B01D5/00
  • 本实用新型涉及废气的处理技术领域,公开一种废气处理系统,包括罐体组件、冷却组件及废气炉,罐体组件能够产生待处理,冷却组件与罐体组件连通,温度低于‑18℃的冷却液和罐体组件产生的待处理能够分别进入冷却组件进行换热,降温后的待处理能够分离成液体和废气,液体能够返回罐体组件,废气炉与冷却组件连通,废气炉用于处理废气。本实施例提供的废气处理系统,冷却组件能够将待处理分离成液体和废气,分离出来的液体能够返回罐体组件进行再次利用,实现了原料的回收,减少了原料的浪费,增加了对待处理处理速度,使得废气炉能够处理更多的废气,废气炉处理后的气体能够达到环保排放要求。
  • 一种废气处理系统
  • [发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202080103019.2在审
  • 稻田哲明;佐藤崇之 - 株式会社国际电气
  • 2020-09-18 - 2023-03-17 - H01L21/31
  • 本发明提供一种基板处理装置,具备:处理容器,其构成处理室;第一气体供给系统,其具有将第一处理供给至处理室内的第一供给口;第二气体供给系统,其具有将组成与第一处理不同的第二处理供给至处理室内的第二供给口;等离子体生成部,其构成为沿着处理容器的外周设置,且由被供给高频电力的电极构成,并对供给至处理室内的第一处理及第二处理进行等离子体激发;以及基板保持台,其保持基板,第二供给口设置于供给管,并且设置于比第一供给口靠下方,该供给管设置为从处理室的顶面且比第一供给口靠处理容器的径向上的中央侧的位置向下方延伸。
  • 处理装置半导体制造方法以及程序
  • [发明专利]含有含氟化合物的气体处理方法及设备-CN200510080106.8无效
  • 李秋煌;黄建良;卢敏彦;张美元 - 财团法人工业技术研究院;成泰科技股份有限公司
  • 2005-06-29 - 2007-01-03 - B01D53/68
  • 本发明是关于含氟化合物的触媒分解处理技术,尤其有关半导体产业所产生的含全氟碳化物,氢氟碳化物,NF3,或SF6的废气的触媒分解处理技术。一种含有含氟化合物的气体处理方法,包含下列步骤:a)于水气或水气及氧的存在下,将一含有含氟化合物的气体于300~800℃与触媒接触,使该含氟化合物被分解,而形成含有氟化氢的第一处理产物;b)将该第一处理产物与一固态吸附剂接触,使该第一处理产物中的氟化氢为该吸附剂所吸附,而形成一实质上不含有氟化氢的第二处理产物。由于第二处理产物不含有强腐蚀性氟化氢,于是本发明可使用一热交换器使其加热该含有含氟化合物的气体,而回收该第二处理产物的热。
  • 含有氟化气体处理方法设备

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