专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于建筑室内石膏板吊顶端部收口连接结构-CN202222491297.9有效
  • 刘福长;胡俊;游媛 - 广东省第五建筑工程有限公司
  • 2022-09-20 - 2022-12-20 - E04B9/00
  • 本申请公开了一种用于建筑室内石膏板吊顶端部收口连接结构,涉及石膏板连接技术领域,包括侧墙和顶墙,所述顶墙固定连接于所述侧墙的顶部,所述顶墙靠近所述侧墙的一侧固定连接连接框。本申请通过连接框、活动板、通道和顶墙等结构间的配合设置,连接框固定连接于顶墙底部,连接框与侧墙之间留设有间隙,活动板位于连接框与侧墙之间的间隙内部,活动板与连接框底部侧壁转动连接,当石膏板面板上方的灯具线路出现故障后,用户可向上推动活动板打开连接框与侧墙之间的间隙,并通过连接框内腔进入石膏板面板顶部进行维修,尽量避免了现有的石膏板吊顶上方的线路出现故障后,需要用户将石膏板吊顶拆除后才能进行检修,使用十分不方便的问题
  • 一种用于建筑室内石膏板吊顶收口连接结构
  • [发明专利]电荷库IGBT顶端结构及制备方法-CN201410625507.6在审
  • 胡军 - 万国半导体股份有限公司
  • 2014-11-07 - 2015-05-27 - H01L29/739
  • 本发明的各个方面提出了一种含有IGBT器件,它包括一个或多个沟槽栅极沉积在半导体衬底上方,以及一个第一导电类型的浮动本体区,沉积在两个相邻的沟槽栅极之间,以及半导体衬底和第二导电类型的重掺杂顶区之间。沉积在顶区上方的第一导电类型的本体区掺杂浓度,高于第一导电类型的浮动本体区掺杂浓度。要强调的是,本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容,本摘要符合以上要求。应明确,本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。
  • 电荷igbt顶端结构制备方法

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