专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]R2-CN202210176563.0在审
  • 张鹏杰;曹玉杰;孙威;李炳山 - 北矿磁材(阜阳)有限公司
  • 2022-02-25 - 2022-06-17 - H01F1/057
  • 本发明公开了一R2Fe14B/α‑Fe纳米复合永磁材料的制备方法,属于磁性材料技术领域。但纳米双相复合永磁材料的制备大都采用直接快淬晶晶化,直接快淬法制备双相复合永磁材料存在的最大问题是组织结构不均匀,如组织中存在,晶粒尺寸分布不均匀,存在粗大的晶粒,软、硬磁性相分布不均匀等。采用晶晶化法制备纳米双相复合永磁材料,硬磁2:14:1相的化析出温度高于软磁相α‑Fe的析出温度,化时软磁相和亚稳相先从基体中析出,然后才析出硬磁相,这种化行为导致先结晶的α‑Fe晶粒在后续硬磁相化升温或保温过程中不可避免地长大和粗化
  • 一种basesub
  • [发明专利]OLED面板多晶硅制作方法-CN201010275417.0无效
  • 李惠元;徐正勋;高昕伟 - 四川虹视显示技术有限公司
  • 2010-09-08 - 2011-02-16 - H01L21/336
  • 本发明涉及一OLED面板多晶硅制作方法。在制作形成栅极绝缘层和栅极金属层前,包括如下步骤:(1)对玻璃基板进行清洗之后,通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)在其上沉积氧化硅(SiOx)缓冲层;(2)利用低压化学气相沉积(LPCVD)往玻璃基板上沉积一定厚度的硅形成硅层等步骤本发明的有益效果是:先完成硅材料的有源层的结晶化处理后再进行后续的栅极绝缘层和栅极层工艺,因此在进行后续工艺时,有源层不会发生变形从而影响TFT的特性。
  • 一种oled面板多晶制作方法
  • [发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法-CN201110426671.0无效
  • 杨建明 - 杨建明
  • 2011-12-19 - 2012-05-02 - H01L31/20
  • 薄膜太阳能电池的制备方法,柔性基底的制备及其表面处理:将石英进行裁切后得到石英基片基片;氮化硅绝缘层的沉积及其热处理;含P工N结的硅层的制备:采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在多晶硅层上依次沉积P型、工型以及N型硅层;上层电极的制备及处理:采用真空蒸镀硅层上镀上0.Zum厚的掺铝氧化锌一氧化铝上层电极(AZO/A一AZO)薄膜,得到透明导电层,随后对所述上层电极进行激光蚀刻并组装。
  • 一种薄膜太阳能电池制备方法
  • [发明专利]钛基合金及其制备工艺-CN202310289225.2在审
  • 王秀婷;李洁;李刚 - 泸州职业技术学院
  • 2023-03-22 - 2023-07-25 - C22C45/10
  • 本发明涉及合金材料技术领域,具体为一钛基合金及其制备工艺;本发明未采用液态金属快速凝固的方式制备合金块,而是使用粉末超高压固结,在化温度以下,将其制备为钛基合金,避免了液态金属快速凝固对制备样品尺寸的限制,之后本申请为进一步的提高本发明制备的钛基合金的表面硬度,本发明还使用激光熔覆的方式在其表面制备了耐磨层,并且本发明对耐磨层组分进行了严格限定,从而减少钛基合金与耐磨层之间应力,避免发生剥离现象
  • 一种非晶钛基合金及其制备工艺

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