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[发明专利]FeSiBPNbCr非晶磁粉及其制备方法-CN202111616284.3在审
发明人：倪红卫;刘涛;李杨;张华 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种FeSiBPNbCr非晶磁粉及其制备方法。该制备方法以高磷铁矿或高磷铁矿与铌铁矿、铬砂、石英砂、硼砂、磷灰石的混合物作为反应原料，采用氢基还原的方式对反应原料进行还原熔炼，将得到的还原合金熔融除渣并合金化，得到精炼钢液；再采用气雾化法快速冷却精炼钢液，制得FeSiBPNbCr非晶粉体；经热处理后，得到FeSiBPNbCr非晶磁粉。通过上述方式，本发明能够有效利用冶金工艺与非晶磁粉成型工艺之间的协同作用，在精确控制冶炼条件的基础上有效简化工艺流程，控制杂质含量，并精确控制非晶磁粉的成分，大幅降低生产成本，从而在保证制得的非晶磁粉具有优异软磁性能的同时以低成本实现大规模高效生产
fesibpnbcr 非晶磁粉及其制备方法

[发明专利]基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置-CN201610840597.X有效
发明人：刘文柱;陈仁芳;吴卓鹏;张丽平;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致
非晶硅沉积磁场生成单元衬底磁场磁场干扰等离子体高速带电粒子生长衬底表面平行化学气相沉积偏转反应气体生长表面生长过程微观结构折射率带隙刻蚀室内引入保证

[发明专利]钕铁硼球形非晶微晶粉末制备方法-CN88108934.6无效
发明人：吴成义;张丽英;王小鹏;董晓晖 -专利权人：吴成义;张丽英;王小鹏;董晓晖
申请日： 1988-12-31 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及钕铁硼球形非晶微晶粉末的制备方法。采用喷雾雾化和离心雾化的复合雾化法，以压力为150公斤/厘米2，流速为3.8马赫数的氮气或氩气进行喷雾雾化，以转速为12000转/分的金属圆盘进行离心雾化可制备成分为(重量比)Na23-40％，B0.3-3.8％，余为铁的钕铁硼球形非晶微晶粉末，粉末磁性能达(B·H)max＝7-20MGOe。
钕铁硼球形非晶微晶粉末制备方法

[发明专利]一种双槽电解制备纳米晶/非晶金属多层薄膜增塑的方法-CN201610423847.X有效
发明人：黄平;王飞;崔妍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C25D5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双镀槽电解制备纳米晶/非晶金属多层薄膜增塑的方法。通过双槽法制备技术，在两电镀液中交替沉积出了结构完整的纳米晶/非晶多层膜，该薄膜层结构明晰，且调至尺寸可控。相比于同等厚度的纯纳米晶Ni膜，多层薄膜在断前能承担更大的断裂应力且具有更大的塑性变形量。本发明充分结合了纳米晶金属和非晶态金属的塑性变形特点，利用双槽法电镀制备出纳米晶/非晶多层结构薄膜，实现了对纯纳米晶金属薄膜塑性变形能力的提高。并且调制尺寸可调，力学性能可控。
纳米晶多层薄膜双槽电解制备非晶金属非晶增塑沉积制备多层结构薄膜塑性变形能力薄膜层结构非晶态金属塑性变形量尺寸可调尺寸可控断裂应力交替沉积金属薄膜力学性能塑性变形电镀液多层膜规模化电镀调制镀槽可控金属

[发明专利]III族金属氮化物单晶的制造方法-CN201080030599.3有效
发明人：下平孝直;今井克宏;岩井真 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。
iii 金属氮化物制造方法

[发明专利]可悬挂折叠式非晶硅光伏电池组-CN201710456276.4在审
发明人：冯爱新;贾天代;卢丹琨;张津超;陈欢;刘勇 -专利权人：温州大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本发明公开了可悬挂折叠式非晶硅光伏电池组，包括光伏电池板以及与其电性连接的输出线路，光伏电池板包含数块非晶硅光伏电池和透明导电层，数块非晶硅光伏电池以三浦折叠法形式分布于透明导电层上，形成具有可供功率输出的光伏电池组，透明导电层的柔性使其便于以三浦折叠法展开或折叠；透明导电层为两面粘贴PET透明胶带保护层的ZnO基TCO透明导电薄膜。采用“三浦折叠法”使得整个光伏电池组展开和收拢非常方便，只需要拉伸光伏电池组的对角就可以将整个光伏电池组展开，不到两秒就能将整个光伏电池组摆放到位；减小了电池占用空间，并可拆卸。
悬挂折叠式非晶硅光伏电池组

[发明专利]基于脱合金制备钴基多孔非晶催化剂的改性方法及应用-CN202210453394.0在审
发明人：周雪纯;冯涛;陈双琴;李迈 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B01J23/882 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脱合金制备钴基多孔非晶条带的改性方法及其在催化降解中的应用，其制备步骤为：首先按Co‑Fe‑Mo‑Si‑B对各种原料进行配料，利用单辊旋淬法，“甩带”制备出非晶合金条带，将条带浸泡在不同浓度、不同类型的酸中进行脱合金处理，最终得到表面具有多孔结构的钴基非晶合金条带。本发明所得产品具有良好的非晶形成能力，短时间的脱合金处理就能得到具有杰出催化降解性能的钴基多孔非晶条带，在环保领域尤其是染料污水处理中展现出巨大的商业应用前景。
基于合金制备基多孔非晶催化剂改性方法应用

[发明专利]一种氢化重稀土基非晶合金粉末材料及其制法-CN202310379257.1在审
发明人：沈宝龙;张明杰;邵里良;薛琳;罗强;王倩倩 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B22F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化重稀土基非晶合金粉末材料，本发明还公开了上述氢化重稀土基非晶合金粉末材料的制备方法。本发明通过选择特定组分协同搭配各组分含量使该合金材料具有非晶成形能力；本发明通过气雾化法能够制得大小均匀、球形度好的非晶合金粉末，一方面能够有效抑制合金材料的晶化程度，另一方面能够有效提高非晶合金粉末在氢化过程中的吸氢程度和吸氢速率；本发明通过将非晶合金粉末进行等温吸氢处理，使得到的氢化重稀土基非晶合金粉末材料大幅提高了合金的磁熵变值，在5T外场下最大磁熵变值可达到18.7J kg‑1K‑1；本发明氢化重稀土基非晶合金粉末材料可用作低温磁制冷领域的制冷工质，具有良好的热转换效率。
一种氢化稀土基非晶合金粉末材料及其制法

[发明专利]一种含Li和Ca的轻质Al基非晶合金-CN201010530204.8有效
发明人：惠希东;贺莹莹;胡磊;王树申;赵岩峰;戚玉凤;陈国良 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C22C45/08 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金领域，具体涉及一种新型轻质的Al-Li-Ca-Ni-La非晶合金。该非晶合金的化学成分(原子百分比)为：Al77％～82％、Li5％～12％、Ca6％～10％、Ni3％～7％、La0％～3％。该材料采用单辊快淬法形成薄带状试样，薄带厚度均匀，通过调整辊速大小，可形成厚度不同的薄带，在辊速为17m/s下，所得薄带最大厚度可达100μm。过渡族元素Ni和稀土元素La的添加能够提高该合金的非晶形成能力，并且提高了合金的晶化温度。
一种 li ca al 基非晶合金

[发明专利]半导体器件的电容器及其形成方法-CN98115946.X有效
发明人：金荣宽;朴仁善;李相旼;朴昌洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-07-10 - 公布日： 1999-07-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。
半导体器件电容器及其形成方法

[发明专利]一种用于核废料容器辐射防护的非晶合金涂层制备方法-CN202010142132.3在审
发明人：李朝明;潘文高;李运红;禹兴利 -专利权人：上海离原环境科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C23C4/129 文献下载
摘要：本发明公开了用于核废料容器辐射防护的非晶合金涂层制备方法包括以下步骤：将Al2O3粉末和Fe‑Cr‑C‑Si‑Gd‑B铁基非晶合金粉末采用高速混合机进行混合；使用大功率超声波对混合粉末进行超声波筛分；将Al2O3粉末和铁基非晶合金复合粉末烘干；以及采用超音速火焰喷涂法将复合粉末直接喷涂到核废料容器表面。本发明用于核废料容器辐射防护的非晶合金涂层制备方法提高Fe‑Cr‑C‑Si‑Gd‑B铁基非晶合金复合涂层与核反应堆废料容器的结合力、致密度、非晶含量和耐磨性能，降低了非晶合金复合涂层的孔隙率，同时涂层具有优异的中子吸收能力
一种用于核废料容器辐射防护合金涂层制备方法

[发明专利]一种纳米双相块体锆基非晶合金及其制备方法-CN202010359410.0在审
发明人：古杨欣;兰司;吕昊;张祥意;刘思楠 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米双相锆基非晶合金及其制备方法，所述非晶合金的原子表达式为（FexCu1‑x）33Al8Zr59，x范围为0.25~0.7，通过向Cu‑Al‑Zr三元非晶合金中添加适量Fe元素，将其在熔炼炉内氩气保护的环境下通过由外部电流控制的电弧充分熔化混合，随后采用水冷铜模吸铸法获得直径2mm的具有纳米尺度结构异质性的非晶合金。本发明能够通过熔炼铸造工艺调节材料纳米尺度结构异质性，可以大幅提升锆基大块非晶合金塑性，使之能够更好的作为结构材料被使用。
一种纳米块体锆基非晶合金及其制备方法

[发明专利]多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法-CN201110111195.3无效
发明人：李媛;吴兴坤;郝芳;周丽萍;杨晗琼 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本发明是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层本发明以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高
多晶薄膜用非晶硅低温诱导制备方法

[实用新型]多晶硅薄膜-CN201120134612.1有效
发明人：李媛;吴兴坤;郝芳;杨晗琼 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用非晶硅低温诱导制备的多晶硅薄膜，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本实用新型是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层本实用新型以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高
多晶薄膜

[发明专利]用于CADI铸铁的非晶孕育剂及其制备方法和使用方法-CN201611025154.1有效
发明人：石卫东;刘清信;王晶;宋文涛 -专利权人：石卫东
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C21C1/10 文献下载
摘要：本发明用于CADI铸铁的非晶孕育剂及其制备方法和使用方法。本非晶孕育剂包括以下重量百分比的各元素50‑78的Si，0.2‑2.5的Ca，0.5‑2.5的Al，0‑0.4的Cu，0‑1.5的Sr，0‑2.5的Zr，0‑0.09的CeO2，余量为Fe。非晶孕育剂的制备采用与现有技术工艺条件不同的极速冷却法，非晶孕育剂的添加量是浇注包CADI铸铁熔液的0.03‑0.12WT.％。本非晶孕育剂具有使CADI铸铁显微组织高度均匀化和大幅度提高石墨球数的突出优点。
用于 cadi 铸铁孕育及其制备方法使用方法

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