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[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110388636.8在审
发明人：罗军;袁述;许静;张丹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层通过采用离子注入对碳化硅层进行轰击，使碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层，之后对碳化硅的非晶层进行氧化工艺，生成氧化硅层。相较于致密的碳化硅层，碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时具有更快的氧化速度，并且碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时，通过固相外延再次生长，能够改善SiC和氧化硅的界面质量。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]太阳能电池、多结太阳能电池以及制造太阳能电池的方法-CN202210586160.3在审
发明人：渡部大树;片山博贵 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池(10)，包括：设置在结晶硅衬底(11)的第一主面上的n型第一非晶硅层(13)；设置在第一非晶硅层(13)的第一主面上的非晶氧化硅层(14)；和设置在非晶氧化硅层(14)的第一主面上的n型微晶硅层第一非晶硅层(13)、非晶氧化硅层(14)和微晶硅层(15)中的氧原子浓度在厚度方向在非晶氧化硅层(14)中具有最大值。
太阳能电池以及制造方法

[发明专利]一种改善FinFET晶背工艺的方法-CN202111238559.4在审
发明人：李红;郭扬扬;赵保军 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种改善FinFET晶背工艺的方法，在晶圆的晶背上形成第一氧化层；在第一氧化层上形成氮化硅垫层；在氮化硅垫层上形成第一非晶硅层；去除第一非晶硅层；在氮化硅垫层上形成第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层；去除第一、第二氮化硅层，将第二非晶硅层暴露；在晶圆的正面和晶背同时沉积第二氧化层；利用第二非晶硅层作刻蚀阻挡层去除所述晶背的所述第二氧化层；在晶圆的正面和晶背同时沉积多晶硅；之后去除晶背的所述多晶硅和第二非晶硅层；将第二氮化硅层暴露。本发明通过对晶背沉积非晶硅和氮化硅，阻挡刻蚀晶背的氧化层，使得晶背更加平整，有利于后续多晶硅工艺中对晶背的保护。
一种改善 finfet 工艺方法

[发明专利]包括柔性基板或硬性基板的光电装置及其制造方法-CN201110067371.8无效
发明人：明承烨 -专利权人：韩国铁钢株式会社
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：当所述p型窗层由氢化非晶氧化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶碳化硅或氢化非晶氧化硅构成；当所述p型窗层由氢化非晶碳化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶氧化硅构成。
包括柔性硬性光电装置及其制造方法

[发明专利]一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池-CN202010369109.8在审
发明人：李正平;刘超;杨杰;任栋樑;陈昌明;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
一种氧化薄膜钝化异质结太阳电池

[发明专利]利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法-CN201410055784.8有效
发明人：徐骏;张培;张晓伟;谭大猛;绪欣;李伟;徐岭;余林蔚;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4‑16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理
利用纳米二氧化硅界面提高非线性光学性能方法

[发明专利]非晶硅结构的制造方法-CN202010242670.X有效
发明人：龚昌鸿;胡宗福;胡秀梅;陈建勋;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在表面具有图形结构的半导体衬底表面上形成非晶硅层；步骤二、在非晶硅层的表面形成第一氧化硅层，第一氧化硅层中至少包括一层采用FCVD工艺生长的FCVD氧化硅子层；利用FCVD工艺使第一氧化硅层表面平坦化；步骤三、进行退火使FCVD氧化硅子层致密化；步骤四、采用等向性刻蚀工艺对第一氧化硅层和非晶硅层进行刻蚀并停止在非晶硅层的目标厚度上。本发明能简化非晶硅层的平坦化和厚度控制工艺并降低工艺难度，能提高器件电学性能和电性匹配度以及提高产品良率，适用于技术节点不断缩小的需要。
非晶硅结构制造方法

[发明专利]基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构-CN201811362745.7有效
发明人：梁冬冬;魏同波;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模，在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量，促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展，有利于推动产业进步。
基于衬底生长氮化物方法结构

[发明专利]一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池-CN202010369102.6在审
发明人：杨杰;李正平;刘超;任栋樑;徐小娜;周国平;陈昌明 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-02 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种以氢化非晶氮氧化硅薄膜为钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括n型单晶硅片，n型单晶硅片的正表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极；所述n型单晶硅片的背表面依次形成氢化非晶氮氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以氢化非晶氮氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。
一种氢化非晶氮氧化薄膜钝化异质结太阳电池

[发明专利]低温多晶硅显示面板制造方法-CN201811466799.8在审
发明人：江艺 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅本发明可避免所述非晶硅层上因残留有空气中粒子或金属离子而使生成的多晶硅晶格产生缺陷的问题。
非晶硅层一氧化硅层氮化硅层氧化硅层真空环境退火低温多晶硅玻璃基板显示面板保护层多晶硅金属离子准分子基板晶格雷射粒子制造残留

[发明专利]一种HJT太阳能电池及其制造设备与制造方法-CN202211005209.8在审
发明人：董雪迪;林佳继;张武 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种HJT太阳能电池及其制造设备与制造方法，所述HJT太阳能电池包括由上至下依次层叠的第一集电极、第一TCO薄膜、P型掺杂微晶硅薄膜、P型掺杂氢化非晶氧化硅薄膜、第一本征氢化非晶氧化硅薄膜、N型硅片、第二本征氢化非晶氧化硅薄膜、N型掺杂氢化非晶氧化硅薄膜、N型掺杂微晶硅薄膜、第二TCO薄膜以及第二集电极。本发明通过将本征层及掺杂层的替换为氢化氧化硅薄膜能同时提高钝化效果、透光性及与TCO薄膜的匹配程度，最大化减少光学损失，同时，在掺杂氢化非晶氧化硅薄膜与TCO膜之间设置掺杂微晶硅薄膜，能够降低与TCO薄膜的接触电阻
一种 hjt 太阳能电池及其制造设备方法

[发明专利]显示面板、显示面板的制程和显示装置-CN201710342078.5有效
发明人：卓恩宗;田轶群 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、显示面板的制程和显示装置，其中，显示面板的制程包括：在基板上铺设纳米氧化硅，形成纳米氧化硅层；在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅，形成非晶硅层；通过激光照射所述非晶硅层，使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层；在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物，形成栅极氧化物层。本发明通过激光照射非晶硅层，使得非晶硅层再结晶形成多晶硅层，从而降低了激光照射能量，降低成本。
显示面板显示装置

[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法-CN01108131.7无效
发明人：秦明;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2001-03-15 - 公布日： 2001-10-10 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：多晶硅薄膜的制造方法是一种用镍诱导非晶硅晶化获得高质量多晶硅薄膜的方法，其具体的方法为①在绝缘衬底上淀积一层非晶硅材料；②用二氧化硅覆盖非晶硅薄膜；③在二氧化硅上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法工艺刻蚀掉露出非晶硅；④在二氧化硅及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层；⑤在500～650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。
多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜及其制备方法-CN201811402564.2在审
发明人：叶昱均 -专利权人：陕西坤同半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开是关于一种多晶硅薄膜及其制备方法，该多晶硅薄膜制备方法包括：在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；进行快速退火处理，使得所述非晶硅层内部的氢含量小于3％；去除所述第一氧化硅层表面的有机物；去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；在所述非晶硅层上形成第二氧化硅层；进行准分子激光退火处理，使得所述非晶硅层形成多晶硅层。
一种多晶薄膜及其制备方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法-CN201110351984.4无效
发明人：赵淑云;郭海成;王文 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜的制备方法，包括：步骤1)、以等离子体化学气相沉积二氧化硅到玻璃衬底上，再以低压化学气相沉积非晶硅；步骤2)、非晶硅表面形成纳米二氧化硅层，通过光刻工艺形成诱导窗口，诱导线处形成薄的化学氧化层；步骤3)、二氧化硅层和化学氧化层上溅射一层薄的镍硅氧化物，高温退火将非晶硅全部晶化。
多晶薄膜制备方法

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