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[发明专利]一种非均质单晶磁粉及其制备方法和应用-CN202110231883.7在审
发明人：卢赐福;曾炜炜;周庆;王二豪;唐仁衡;肖方明 -专利权人：广东省科学院稀有金属研究所
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01F1/059 文献下载
摘要：本发明公开了一种非均质单晶磁粉及其制备方法和应用。一种非均质单晶磁粉的制备方法，包括如下步骤：将粒径为1‑20μm的富La/Ce/Y的(Sm,R1)2Fe17合金粉末作为母合金磁粉，将Sm扩散源合金粉末与易挥发的有机溶剂混合形成糊状体，将母合金磁粉与糊状体混合均匀得到混合料，母合金磁粉与扩散源合金粉末的质量比为88:12‑97:3，然后将混合料依次进行扩散热处理、氢爆处理、脱氢处理、制粉和氮化后得到非均质单晶磁粉。本发明以低熔点合金为Sm元素的扩散源，经过热处理将Sm蒸镀到富La/Ce/Y单晶磁粉表面，再经过低温扩散反应，在富La/Ce/Y单晶磁粉表面形成富Sm的薄壳层，这种非均质单晶磁粉经过氮化成为高矫顽力的富
一种非均质单晶磁粉及其制备方法应用

[发明专利]一种自偏置非均质微波铁磁薄膜材料及其制备方法-CN201310739860.2有效
发明人：李山东;徐洁;何丽珠;石星军;杜洪磊;薛倩;高小洋;陈彩云;谢施名 -专利权人：青岛大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01F10/10 文献下载
摘要：本发明属于微波铁磁材料技术领域，涉及一种自偏置非均质微波铁磁薄膜材料及其制备方法，在室温下，以铁磁基材料M为铁磁母材料靶，以掺杂元素D为掺杂元素靶，以单晶Si基片为衬底，衬底长度方向沿着圆形样品转盘的辐向，衬底正对铁磁母材料靶，掺杂元素靶的靶位偏离衬底中心一端5-10cm，在磁控溅射真空腔的真空压力低于5.0×10－6Torr后，通入Ar气或N2气进行溅射，制备得到自偏置非均质微波铁磁薄膜材料；其制备方法简单
一种偏置非均质微波薄膜材料及其制备方法

[发明专利]压粉磁芯及其制造方法、具备该压粉磁芯的电感器以及装配有该电感器的电子/电气设备-CN201710264626.7在审
发明人：中林亮;小岛章伸;佐藤桂一郎;佐藤昭;安彦世一;水岛隆夫 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：关于含有结晶质磁性材料的粉末以及非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯，提供绝缘耐压特性优异并且实现铁损降低的良好的电感器的压粉磁芯。压粉磁芯(1)为含有结晶质磁性材料的粉末以及非晶质磁性材料的粉末，所述结晶质磁性材料的粉末的含量相对于所述结晶质磁性材料的粉末的含量与所述非晶质磁性材料的粉末的含量的总和的质量比率即第一混合比率为40质量
压粉磁芯及其制造方法具备电感器以及装配电子电气设备

[发明专利]压粉磁芯、压粉磁芯的制造方法、具备压粉磁芯的电感器和装配有电感器的电子·电气设备-CN201610866168.X有效
发明人：中林亮;小岛章伸;安彦世一;佐藤昭;佐藤桂一郎;水岛隆夫 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01F27/255 文献下载
摘要：提供一种含有结晶质磁性材料的粉末和非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯，在具备这种压粉磁芯的电感器中，可使直流叠加特性提高和使铁损降低。含有结晶质磁性材料的粉末和非晶质磁性材料的粉末的压粉磁芯(1)，其特征在于，非晶质磁性材料的粉末的中值粒径D₅₀A为15μm以下，并且与结晶质磁性材料的粉末的中值粒径D₅₀
压粉磁芯制造方法具备电感器装配电子电气设备

[发明专利]一种去除废水中烃基污染物的磁过滤工艺及其装置-CN201610320992.5有效
发明人：李孟;冯晟;丁京楠;包宇飞 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C02F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除废水中烃基污染物的磁过滤工艺，其特征在于包括磁过滤、反冲洗、磁粉回收、高温催化再生的步骤；具体为：1)磁过滤：使用预载法将磁粉固定到均质滤料层中，然后将废水与磁粉混合后通过预载磁粉的均质滤料层进行过滤，得到去除烃基污染物的废水和磁过滤后的均质滤料层；2)反冲洗：对步骤1)所得磁过滤后的均质滤料层进行反冲洗，得到含有磁粉的水溶液；3)磁粉回收：将步骤2)所得含有磁粉的水溶液利用磁铁对磁粉进行吸附回收；4)高温催化再生：对步骤3)所得磁粉进行高温催化再生。本发明将传统的均质滤料过滤与磁过滤相结合，既保证了过滤的可靠性，又增加了对于水中烃类物质的高效去除效果，解决了烃类物质去除难的问题。
一种去除水中污染物过滤工艺及其装置

[发明专利]单晶磁粉及其磁流变流体和方法-CN202010167069.9在审
发明人：梁燕玲;秦浩 -专利权人：湖南博海新材料股份有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及单晶磁粉及其磁流变流体和方法。具体而言，本发明提供了一种含单晶磁粉的磁流变流体，包括：单晶磁粉；和用作载液的流体，其中，所述单晶磁粉弥散分布在所述流体中。与传统的磁流变流体相比，根据本发明制备的含单晶磁粉的磁流变流体具有巨大的不可替代的优势，例如，比磁饱和强度高、在相同磁场强度下可以获得更高的工作剪切应力、响应更加快速、不易沉降、粘度低、对构件磨损率低、
单晶磁粉及其流变流体方法

[发明专利]基于高温成型的高磁导率非晶质压粉磁芯及其制造方法-CN201380068134.0在审
发明人：金圭镇 -专利权人：裵恩英
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： B22F3/02 文献下载
摘要：在本发明中，根据在高频带下有效磁导率变化幅小的基于高温成型的高磁导率非晶质压粉磁芯的制造方法，作为粉末间的绝缘剂，实施磷酸涂布及基于聚酰亚胺系的2次涂布，使用在高温能够实现粉末润滑的二硫化钼(MoS₂)或石墨粉末，在约200～550℃的温度下，通过自动压缩成型，能够制造一种非晶质压粉磁芯，其在高频带下有效磁导率的变化幅小，有效磁导率为75以上，在50KHz频率与磁通密度1000高斯的条件下另外，本发明的在高温下自动成型的高磁导率的非晶质压粉磁芯，可以提供一种基于高温成型的高磁导率非晶质压粉磁芯，成型密度高，完全无表面破裂，颗粒间绝缘良好，频带依存性小，在高频带下有效磁导率的变化幅小，因而能够作为在数
基于高温成型磁导率非晶质压粉磁芯及其制造方法

[发明专利]电路用磁芯以及使用其的装置-CN201480016752.5在审
发明人：野田浩行;森夏比古;上本育男 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种电路用磁芯以及该磁芯的制造方法，该电路用磁芯损失少、难以磁饱，可小型化而具有大电流，并且高频范围很广。该电路用磁芯(1)为压粉磁芯，该压粉磁芯使用铁类非晶质、钴类非晶质或铁硅铝作为磁性材料，通过压缩成型或注射成型而形成，该电路用磁芯(1)为变压器磁芯或扼流圈磁芯、或电抗器的磁芯。该电路用磁芯(1)由圆柱状的柱部(2)和连接部(3)构成。
电路用磁芯以及使用装置

[实用新型]同心连通单晶生长装置-CN200320108382.7无效
发明人：潘颐 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-11-24 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种同心连通单晶生长装置，适用于不具有同成分熔化物质及高温熔剂中溶质单晶的生长，在坩埚内有一中心套，使溶质细粉区与均质熔体溶液区分隔，有利于大尺寸溶质单晶的快速生长。
同心连通生长装置

[发明专利]高容量全密封聚质晶体蓄电池及其制造工艺-CN201110122173.7无效
发明人：郭治欣 -专利权人：江苏皆吾新能源科技有限公司
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01M10/12 文献下载
摘要：本发明涉及高容量全密封聚质晶体蓄电池及其制造工艺，工艺包括：（1）电极板栅材料的制备，采用铅与稀土金属及添加剂，经高温真空磁化感应炉熔炼制取；（2）电池铅膏及活性物质的制备，将铅粉、单晶体电解质粉加水混合；（3）聚质单晶体电解质的制备，将单晶体电解质粉与凝胶聚丙烯等混合磁化。蓄电池包括外壳、正负极板栅、隔膜和电解质，正负极板栅上分别设有铅膏，正负极板栅分别与正负极端子连接；板栅的材料包括铅、稀土金属和添加剂；铅膏包括聚质单晶解质粉、铅粉和添加剂。电解质包括聚质单晶体电解质粉和硫酸水溶液。采用本发明材料和工艺制造铅酸蓄电池，电池容量较大，并且电池的环境适应性也有较大改善。
容量密封晶体蓄电池及其制造工艺

[发明专利]一种钕铁硼磁粉及其制备方法-CN202110353955.5在审
发明人：彭乙洪 -专利权人：东阳市银海磁业有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明属于稀土永磁材料技术领域，公开了一种钕铁硼磁粉及其制备方法。该方法包含：(1)配料熔炼；(2)粗破碎：将步骤(1)制备的铸锭或速凝片破碎成细小颗粒；(3)快淬甩带：将步骤(2)粗破碎的磁粉加到感应炉中熔炼，再进行快淬甩带处理，获得非晶化钕铁硼薄带；(4)回火处理，提高非晶薄带的均质化，改善材料的力学特性；(5)低温下二次破碎及筛分；(6)晶化处理，使钕铁硼薄带微观结构向纳米晶转变；(7)盐雾时效处理，提高磁粉磁性能和抗氧化性。该方法通过回火处理、低温破碎处理、钕铁硼磁粉晶化、盐雾时效处理等工序，降低了钕铁硼磁粉的氧含量，去除了磁粉的尖角形貌，避免了局部退磁效应的产生，提高了最大磁能积。
一种钕铁硼磁粉及其制备方法

[发明专利]复合基板及复合基板的制造方法-CN201780006333.7有效
发明人：秋山昌次;丹野雅行 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar
复合制造方法

[发明专利]对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置-CN201910132739.0在审
发明人：高木聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的被处理体；第2工序，在该第2工序中，使卤元素吸附于被处理体的被处理面；第3工序，在该第3工序中，向被处理体供给用于对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的原料气体，在被处理体的被处理面上对非晶质硅膜或非晶质锗膜或非晶质硅锗膜进行成膜。
锗膜成膜被处理体硅锗膜硅膜单晶硅方法和装置单晶硅锗单晶锗非晶质非晶质硅膜被处理面非晶质硅原料气体卤元素吸附

[发明专利]稀土合金球形单晶磁粉的制造方法及111取向稀土超磁致伸缩材料-CN202010143114.7在审
发明人：唐少龙;董大舜;钱进;黄业;都有为 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01F1/055 文献下载
摘要：本发明提供了111取向有稀土超磁致伸缩材料及合金球形单晶磁粉的制备方法,步骤包括：1)制备R‑Fe‑M合金球形磁粉；2)将R‑Fe‑M合金球形磁粉与惰性固体分散剂均匀混合后，在R‑Fe‑M合金熔点以下温度退火获得R‑Fe‑M立方Laves相单晶颗粒，退火温度在该立方Laves相熔点以下50℃到200℃的范围，优选退火时间在1～4小时；3)除掉固体分散剂，获得R‑Fe‑M立方Laves相球形单晶磁粉。本发明将R‑Fe‑M合金球形磁粉用惰性固体分散剂隔开，通过高温下R‑Fe‑M立方Laves相晶粒的异常长大能力制备球形单晶颗粒。制备具有高度111取向的粘结稀土超磁致伸缩材料和烧结稀土超磁致伸缩材料。
稀土合金球形单晶磁粉制造方法 111 取向超磁致伸缩材料

[发明专利]非晶质合金薄带、非晶质合金粉末及纳米晶体合金压粉磁芯以及纳米晶体合金压粉磁芯的制造方法-CN202080012084.4有效
发明人：太田元基 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B22F1/08 文献下载
摘要：本发明的非晶质合金薄带具有由合金组成：Fe100‑a‑b‑c‑dCuaSib根据本发明的非晶质合金薄带，能够提供具有优异的粉碎性和软磁特性的非晶质合金薄带、非晶质合金粉末以及使用它们制造的纳米晶体合金压粉磁芯的制造方法。
非晶质合金粉末纳米晶体压粉磁芯以及制造方法

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