专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电容规划的方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202111280170.6在审
  • 马静洁;安学娜;宗剑;卢建宁;王步来;李冠一;古斌 - 上海应用技术大学
  • 2021-10-29 - 2022-02-01 - G06Q10/06
  • 本发明提供的发电容规划的方法、装置、计算机设备及存储介质,包括:S1获取规划年所有时段的负荷预测数据、新能源出力预测数据、发电机组的基础数据及储能装置的基础数据;S2基于规划年中每一天的开机机组组合情况,计算所有时段的剩余低谷调峰容量,绘制剩余低谷调峰容量持续曲线;S3建立基于低谷调峰能力需求和储能装置的发电容规划模型;S4结合筛选曲线法和拉格朗日松弛法对发电容规划模型求解,获取发电容规划结果。本发明考虑低谷调峰能力需求,通过统筹规划储能装置与常规发电机组,得出能满足系统低谷调峰能力需求及经济性兼顾的发电容规划结果,为含新能源和储能装置的电力系统发电容规划问题提供合理决策依据,在实际发电容规划中具有良好的应用前景
  • 发电容量规划方法装置计算机设备存储介质
  • [发明专利]车辆的充放电控制装置-CN201910256623.8有效
  • 后久惠司;守屋孝纪 - 丰田自动车株式会社
  • 2019-04-01 - 2023-03-03 - H02J7/00
  • 所述电子控制装置构成为,算出电池中的充电容(SOC)相对于目标容量(SOCgt)的过多不足量作为容量差(ΔSOC),在所述充电容的不足量比第1规定值大的情况下增加电力供给设备(23)的输出电压,在所述充电容的过多量比第所述电子控制装置构成为,在算出的满充电容(SOCmax)小的情况下,与所述满充电容大的情况相比,减小每单位时间的所述电力供给设备的输出电压的变化量(ΔVout)。
  • 车辆放电控制装置
  • [发明专利]电化学电容-CN201310323744.2无效
  • 萩原直人;真野响太郎 - 太阳诱电株式会社
  • 2013-07-30 - 2014-02-12 - H01G11/74
  • 本发明提供一种伴随着蓄电元件的充放电,能够防止导电性低下的电化学电容器。该电化学电容器包括容器、电解液、蓄电元件、配线及粘接层。容器形成有储液室。电解液收装在储液室中。蓄电元件收装在储液室中,是由正极电极板、分隔板及负极电极板层叠而成的蓄电元件,在正极电极板中含有的正极活性物质和电解液之间形成的静电比在负极电极板中含有的负极活性物质和电解液之间形成的静电大。
  • 电化学电容器
  • [发明专利]钛酸锂-碳复合纳米材料及其制备方法与应用-CN201010034204.9有效
  • 刘文;陈继涛;周恒辉;张新祥;曹廷炳;朱楠 - 北京大学
  • 2010-01-13 - 2010-06-23 - H01M4/485
  • 该方法包括:1)将钛酸锂溶胶或导电物质掺杂的钛酸锂溶胶或金属离子掺杂的钛酸锂溶胶静电纺丝得到薄膜;所述导电物质为导电金属或导电性碳;2)将所述薄膜在惰性气氛中进行热处理,得到所述钛酸锂-碳复合纳米材料。本发明提供的钛酸锂-碳复合纳米材料,具有准一维形态结构,结晶性能好,导电性好,安全性能好,在作为锂离子电池负极材料应用时具有快的锂离子扩散速度和高的电子电导率,具有高的充放电容、优异的大电流充放电性能、稳定的循环性能,10C放充电容125mAh/g,40C放充电容达到95mAh/g,大电流40C放充电3000次容量保持率达到85%。
  • 钛酸锂复合纳米材料及其制备方法应用
  • [发明专利]半导体结构和静电防护的测试方法-CN202110310166.3有效
  • 戴惠芳 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-03-23 - 2022-05-31 - H01L23/64
  • 本发明实施例提供一种半导体结构和一种静电防护的测试方法,半导体结构包括:介质层,介质层具有正对的第一面和第二面;伪电连接层,伪电连接层位于第一面上;位于第一面上的电连接层,且电连接层与伪电连接层之间具有间隔;第一导电层,第一导电层位于第二面上,第一导电层与伪电连接层具有第一正对区域,且第一导电层、介质层与伪电连接层构成第一电容;第二导电层,第二导电层位于第二面上,第二导电层与电连接层具有第二正对区域,且第二导电层、介质层与伪电连接层构成第二电容,第二电容电容小于第一电容电容。本发明实施例有利于降低静电释放对电连接层的危害,以提高半导体结构的电学性能。
  • 半导体结构静电防护测试方法

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