专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种显示面板的制备方法及显示面板-CN202111629085.6在审
  • 陈钦盛 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-12-28 - 2022-04-12 - H01L27/12
  • 本申请实施例公开了一种显示面板的制备方法及显示面板,显示面板的制备方法,包括以下制备步骤:在基板上制备一金属;在所述金属上制备光,以所述光为掩膜板刻蚀去除裸露于所述光外的金属;刻蚀所述光使其成为间隔设置的第一光单元和第二光单元;在所述第一光单元、所述第二光单元、刻蚀后的所述金属以及所述基板上制备导电材料形成导电;去除所述第一光单元、所述第二光单元,同时去除覆盖在所述第一光单元和所述第二光单元上的导电;刻蚀并去除裸露于所述导电外的金属形成间隔设置的第一金属单元和第二金属单元
  • 一种显示面板制备方法
  • [实用新型]一种新型全水电力电缆-CN201420295739.5有效
  • 郑德华;汤浩;王明波;李海山;唐波;米苗;张露之 - 四川金瑞电工有限责任公司
  • 2014-06-05 - 2014-10-15 - H01B9/02
  • 本实用新型涉及电力电缆技术领域,具体来说是一种新型全水电力电缆,包括至少一根纵向水导体,所述每根纵向水导体包括中心线,所述中心线的外侧均匀绕包有SAP水带,所述SAP水带的外侧绕包有半导电阻水带,所述SAP水带与半导电阻水带之间设置有防水粉;所述纵向水导体外设置有导体屏蔽。本实用新型采用水导体,绝缘水填充水包带水内外护结构设计。可适用中压水电力电缆,且使用了挤压式内护使水效果更优异。还使用了水导体设计。达到了双向水的目的。
  • 一种新型水电电缆
  • [发明专利]一种彩膜基板、液晶显示板及显示装置-CN201910503772.X有效
  • 曹军红 - 重庆惠科金渝光电科技有限公司;北海惠科光电技术有限公司
  • 2019-06-12 - 2021-11-30 - G02F1/1335
  • 本申请提出一种彩膜基板、液晶显示板及显示装置,所述彩膜基板包括:透明基板;色,所述色设置于所述透明基板上,所述色包括多个不同颜色的色,所述色分为厚色区与薄色区,其中厚色区的色厚度大于薄色区的色厚度,所述厚色区与所述薄色区的分界线垂直于所述透明基板;填色,所述填色设置于所述薄色区上,且所述薄色区位于所述填色与所述透明基板之间,所述填色的透光率大于所述色的透光率;黑色矩阵,所述黑色矩阵填充于所述透明基板及所述色之间本申请使得薄色区叠加填色的色度等于厚色区的色度,达到了显示面板不存在色偏的效果。
  • 一种彩膜基板液晶显示显示装置
  • [发明专利]COA基板、彩色滤光膜及彩色滤光膜的形成方法-CN201610361975.6有效
  • 洪日;谢克成 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2016-05-27 - 2019-05-03 - G02F1/1362
  • 该方法包括以下步骤:采用多种色在阵列基板上形成色,相邻的两种色之间存在凸起的叠加区;在色上形成钝化;在钝化上形成光;将叠加区所对应的光去除;将叠加区所对应的钝化去除,以使叠加区的色显露出来该彩色滤光膜包括色和钝化;色形成在阵列基板之上,色由多种颜色的色形成,相邻的两种色之间存在叠加区;钝化上、叠加区所对应的位置处的钝化被去除以使色显露出来。本发明能有效降低ODF对组后因色残留气体释放导致的液晶气泡的产生,无需增加额外的费用,也不用牺牲开口率。
  • coa基板彩色滤光形成方法
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法-CN201710335301.3有效
  • 宋利旺 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2017-05-12 - 2020-05-12 - H01L27/12
  • 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法,方法包括:提供衬底基板,在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘、有源、欧姆接触、源/漏极及绝缘;在绝缘上涂布光;对光进行曝光,使光图案化,在欲形成像素电极的对应位置暴露绝缘,并且形成分布在暴露的绝缘周缘的第一光区域及分布在第一光区域外围的第二光区域,第一光区域光的厚度小于第二光区域光的厚度;通过蚀刻制程移除暴露的绝缘,形成过孔,暴露出漏极,第一光区域对应过孔上方边缘;对光进行灰化处理,去除第一光区域,暴露出过孔侧壁,保留部分第二光区域;在过孔中形成像素电极,像素电极覆盖过孔侧壁,形成薄膜晶体管阵列基板。
  • 薄膜晶体管阵列及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202210526030.0有效
  • 陈忠奎;陈超;邓辉 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-05-16 - 2022-08-26 - H01L21/027
  • 本发明提供一种半导体结构的制备方法,包括:提供第一衬底,所述第一衬底内具有若干第一深沟槽;在所述第一衬底上形成第一光,所述第一光充满所述第一深沟槽;对所述第一光进行第一曝光工艺;减薄所述第一光直至露出所述第一衬底,保留所述第一深沟槽内的所述第一光;在所述第一衬底上形成第二光;对所述第二光及所述第一光进行第二曝光工艺及显影工艺,以除去第一衬底上的部分第二光及对应的第一深沟槽内的第一光。通过第一光充满第一深沟槽,为第二光的形成提供平坦的表面,提升第二光各处厚度的均匀性,进而提升第二光内部应力的均匀性,避免产生裂缝。
  • 一种半导体结构制备方法
  • [发明专利]柱塞式射出机构的改良构造-CN201811581338.5有效
  • 陈璟浩 - 欧特捷实业股份有限公司
  • 2018-12-24 - 2022-02-15 - B29C45/53
  • 一种柱塞式射出机构的改良构造,包含有:一身部,具有一本体,一第一孔自本体的一端往内直线延伸,一出料通道自本体的另一端往内延伸并于第一孔位于延伸端末的孔壁上形成一第一开口,以连通出料通道与第一孔,一进料通道设于本体上,并于第一孔位于延伸端末的孔壁上形成一与该第一开口相隔开来的第二开口;一滑动部,具有一柱塞,同轴设于第一孔中,而使一端相向于该第一孔位于延伸端末的孔壁以及使周侧柱面贴接于第一孔的孔壁上,并可沿自身柱轴的方向相对于该身部进行直线的往复位移,可于计量位置与归零位置间移动,一料部,具有一贯设于柱塞的第二孔,一料元件设于第二孔中,并于闭位置及开放位置间往复地位移。
  • 柱塞射出机构改良构造
  • [发明专利]一种忆器及其制备方法-CN202110553812.9在审
  • 李祎;黄晓弟;付瑶瑶;缪向水 - 华中科技大学
  • 2021-05-20 - 2021-09-03 - H01L45/00
  • 本发明提供一种忆器及其制备方法,由上至下包括:上电极、第一空位浓度、第二空位浓度以及下电极;第一空位浓度的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化;第二空位浓度的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化;第一空位浓度和第二空位浓度变材料相同;第一空位浓度的固定浓度值或最低空位浓度值大于第二空位浓度的固定浓度值或最高空位浓度值。本发明通过梯度调制变材料,多层复合变材料由高空位浓度到低空位浓度,保证外部施加电场分布局域化。
  • 一种忆阻器及其制备方法

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