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[发明专利]一种多层堆叠阳极键合结构及其制备方法-CN202011530587.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州原位芯片科技有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层堆叠阳极键合结构，包括阳极键合结构和导电薄膜，所述导电薄膜设于所述阳极键合结构的边缘，且依次连通所述阳极键合结构的各层晶圆的上表面或下表面，该结构通过导电薄膜将晶圆上表面或下表面与边缘连接，实现晶圆上表面或下表面与键合设备的有效连接，最终实现多层堆叠阳极键合结构的有效键合，克服了现有阳极键合设备进行多层堆叠阳极键合存在的问题，同时，对表面未加工结构或已加工结构的晶圆堆叠阳极键合都适合。
一种多层堆叠阳极结构及其制备方法

[发明专利]纳米间隙原位活化的复合阳极键合方法-CN201810183325.6有效
发明人：潘明强;孙立宁 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米间隙原位活化的复合阳极键合方法，包括放电活化工序及阳极键合工序，所述复合阳极键合方法的具体步骤包括：设置复合阳极键合参数；将硅片和玻璃片相互贴合叠放在固定工作台上，在被键合界面形成纳米间隙，同时施加所设定的键合压力，并加热至所设定的键合温度；施加介质阻挡放电电压参数、介质阻挡放电时间参数、介质阻挡放电频率参数、键合电压参数与键合时间参数，以得到键合层。本发明先利用阳极键合初始界面的纳米间隙作为介质阻挡放电间隙完成活化工序，再通过切换电源直接完成阳极键合工序，实现了原位活化的阳极键合，与此同时，调整了对应的介质阻挡放电参数，显著降低了键合温度，实现了低温键合
纳米间隙原位活化复合阳极方法

[发明专利]一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法-CN201310100553.X无效
发明人：刘曰涛;肖春雷;王伟;杨明坤;魏修亭 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合方法，该方法包括以下具体步骤：将玻璃片夹持在一固定工作台上，将硅片夹持在超声换能器上，超声换能器固定在一可动工作台上，设定工作台的加热温度，设置超声参数，设置阳极键合参数，可动工作台带动硅片移动，并按设定的键合压力使硅片与玻璃片相互接触，使硅片与玻璃相互摩擦，活化键合界面；去掉超声的同时，施加键合电压进行阳极键合；键合完成后拆下被键合件。相对于传统高温阳极键合方法，本发明的低温超声阳极键合方法在同样键合强度下，键合温度，键合电压及键合时间均能大大缩减，提高了MEMS器件的键合性能。
一种硅片玻璃片低温超声阳极方法

[实用新型]阳极键合装置-CN202120790241.6有效
发明人：宋跃;王贵 -专利权人：北京鸿基点科技发展有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种阳极键合装置，包括加热筒、传热盘、上电极和下电极；加热筒中空，上方开口，内部为键合腔；传热盘固定于加热筒内的下部，外壁与加热筒的内壁相贴合，顶端面能够承载硅片；上电极设于传热盘的正上方整体上，能够取代传统的阳极键合装置，整体造价较为便宜，适用于中小型公司和实验室使用，有利于阳极键合装置的推广。而且，有利于在实验室内进行低成本的键合实验，便于小批量制作硅片和其他材料片的组合体，降低改进相关工艺参数的研发成本。另外，由于装置整体尺寸较小，更易于对键合温度进行控制，保障键合质量。同时，大大缩短了键合周期。
阳极装置

[实用新型]复合阳极键合装置-CN201820309107.8有效
发明人：潘明强;孙立宁 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合阳极键合装置，用于纳米间隙原位活化的复合阳极键合，其特征在于，包括介质阻挡放电电源、键合电源、电极、以及电源切换控制机构，所述介质阻挡放电电源与键合电源分别通过所述电源切换控制机构与所述电极相连本装置先在被键合界面的纳米间隙进行介质阻挡放电的活化工序，再通过切换电源直接完成阳极键合工序，实现了原位活化的阳极键合。本装置简化了整体设备的复杂性，降低了生产成本，并且操作更方便，工艺可控性更好；另外，通过本装置完成的阳极键合无需重新设置被键合件的放电间隙与键合间隙，减少了由操作误差引起的质量问题，提高了成品率。
键合电源介质阻挡放电复合阳极阳极键合电源切换键合装置纳米间隙原位活化电极本实用新型工艺可控性操作误差放电间隙整体设备质量问题重新设置装置简化成品率活化生产成本

[发明专利]一种晶圆级阳极键合方法-CN201110395020.X有效
发明人：罗巍;解婧;张阳;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级阳极键合方法。所述晶圆级阳极键合方法，包括如下步骤：将待键合的硅或金属样片和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗；将清洗后的硅或金属样片和玻璃样片吹干，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压到单点阴极，使贴合后的硅和玻璃发生第一次阳极键合；将第一次阳极键合后的样片，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压和压力到平板阴极，使第一次键合后的样片中未键合部分全部完成键合。本发明使用两步键合的方法，能够实现大面积、键合界面无气泡的高质量、高效率的阳极键合，工艺过程简单，可控性强。
一种晶圆级阳极方法

[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制造方法-CN201410264612.1有效
发明人：何野;董健;蒋恒;龙芝剑 -专利权人：江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式压力传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构；所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的膈膜作为压阻式压力传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明压力传感器结构新颖
一种 mems 压阻式压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种压阻式压力传感器及其制造方法-CN201410264486.X有效
发明人：何野;董健;蒋恒;龙芝剑 -专利权人：江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式压力传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构；所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的膈膜作为压阻式压力传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明压力传感器结构新颖
一种压阻式压力传感器及其制造方法

[发明专利]微晶玻璃与不锈钢材料的超低温阳极键合方法及装置-CN200510020000.9有效
发明人：李宏;程金树;汤李缨;全健;曹欣 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： C03C27/02 文献下载
摘要：本发明是微晶玻璃与不锈钢材料的超低温阳极键合方法及装置。本方法是：先将样品玻璃进行熔制和按热处理工艺进行处理，然后将获得的微晶玻璃基片和不锈钢基片进行抛光、清洗、干燥，再迅速放进阳极键合装置内，使之在100～180℃及键合电压为600～1000V状态下实现有效阳极键合，并获得新的键合材料。本装置设有真空泵(1)、温度控制器(2)、真空室(3)和高温摄像装置(7)，真空室的内腔自上而下依次装有阴极(4)、微晶玻璃基片(5)、不锈钢基片(6)、阳极(8)、加热板(9)和冷却水管(10)。本发明能在较低的键合温度及键合电压下实现材料的有效阳极键合，从而获得残余应力小、键合强度高、密封性好的新材料。
玻璃不锈钢材料超低温阳极方法装置

[发明专利]一种MEMS压阻式加速度传感器及其制造方法-CN201410263747.6在审
发明人：董健;蒋恒;孙笠 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式加速度传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃-硅基-第二键合玻璃三明治结构；所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的悬臂梁作为压阻式加速度传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅-玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅-玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅-玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明传感器结构新颖
一种 mems 压阻式加速度传感器及其制造方法

[发明专利]一种压阻式加速度传感器及其制造方法-CN201410263793.6有效
发明人：蒋恒;孙笠;董健 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阳极键合封装的压阻式加速度传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构；所述的硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有质量块、淡硼扩散压阻的悬臂梁作为压阻式加速度传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明传感器结构新颖
一种压阻式加速度传感器及其制造方法

[发明专利]一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合装置-CN201310100552.5无效
发明人：刘曰涛;肖春雷;王伟;杨明坤;魏修亭 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种硅片与玻璃片的低温超声阳极键合装置，该装置包括底板，手动升降台，温控键合炉，玻璃片夹持器，硅片夹持器，超声变幅杆，Z轴自动升降台，显微镜，X轴平台，Z轴支架，Y轴平台，超声波发生器，直流电源，电器支架相对于传统高温阳极键合方法，本发明的低温超声阳极键合方法在同样键合强度下，键合温度，键合电压及键合时间均能大大缩减，提高了MEMS器件的键合性能。
一种硅片玻璃片低温超声阳极装置

[发明专利]一种用于聚氨酯弹性体和铝片的低温阳极键合方法-CN202010020254.5有效
发明人：阴旭;刘翠荣;赵浩成;孟庆森;杜超;赵为刚;孟员员 -专利权人：太原科技大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于聚氨酯弹性体和铝片的低温阳极键合方法。该方法包括原料的表面清洗过程、原料的表面活化过程、热引导预连接过程、梯度电场阳极键合过程以及封边保护过程。本发明一种用于聚氨酯弹性体和铝片的低温阳极键合方法，其实现的阳极键合连接性能稳定，聚氨酯弹性体适用范围广，首次实现了聚氨酯弹性体和铝片的有效连接，聚氨酯弹性体室温离子导电率大于10‑7S/cm就可满足键合条件，这一条件放宽了适用于阳极键合的聚氨酯弹性体的范围，具有很强材料适应性。低温下对聚氨酯弹性体不会造成破坏，可以确保一定宽度且分布均匀的键合层，键合强度可以达到0.95MPa～2.75MPa。
一种用于聚氨酯弹性体低温阳极方法

[发明专利]硅-玻璃用低温阳极键合工艺-CN202010218648.1在审
发明人：王云翔;冒薇;段仲伟;祝翠梅;姚园;许爱玲 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C03C27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅‑玻璃用低温阳极键合工艺，其包括如下步骤：步骤1、对硅晶圆、玻璃衬底进行表面清洗工艺；步骤2、对玻璃衬底、硅晶圆进行氧等离子体处理；步骤3、将上述玻璃衬底与硅晶圆置于阳极键合设备中，当阳极键合设备达到所需的真空度时，对玻璃衬底与硅晶圆进行加热，在玻璃衬底与硅晶圆的加热温度达到180℃～250℃时，将玻璃衬底与硅晶圆接触，并在所需键合电压400V～500V的作用下使得玻璃衬底与硅晶圆完成所需的阳极键合。本发明与现有工艺兼容，能降低阳极键合的温度和电压，提高芯片型原子钟等产品的良率，安全可靠。
玻璃低温阳极工艺

[发明专利]微型流体泵送器件的制备方法及微型流体泵器件-CN202310929324.2在审
发明人：王焕焕;葛斌 -专利权人：常州元晶电子科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型流体泵送器件的制备方法及微型流体泵器件，制备方法包括：S1，基于MEMS微细加工技术将SOI硅片制备成SOI泵体；S2，利用阳极键合工艺将第一玻璃基片与所述SOI泵体的第一表面键合，形成键合样片；S3，对所述键合样片进行阳极导通处理，使得所述SOI泵体在其第二表面键合第二玻璃基片的过程中可连接阳极；S4，利用阳极键合工艺将第二玻璃基片与SOI泵体的第二表面键合，形成微型流体泵送器件。
微型流体器件制备方法

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